公开(公告)号：DE102018222879A1

公开(公告)日：2019-06-27

申请号：DE102018222879

申请日：2018-12-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZIMMER JÜRGEN ,  BEVER THOMAS ,  KEGLER CHRISTIAN ,  KUEMMEL HANSJOERG WALTER ,  LUBER SEBASTIAN

IPC: G01D5/12 ,  G01P3/487

Abstract: Ein beispielhafter Mehrfachumdrehungszähler-Sensor (MTC-Sensor) umfasst einen Magnetstreifen, der folgende Merkmale umfasst: eine Domänenwand-Erzeugungseinrichtung, die sich an einem ersten Ende des Magnetstreifens befindet, wobei die Domänenwand-Erzeugungseinrichtung zumindest eine Domänenwand in dem Magnetstreifen erzeugen soll, wobei die zumindest eine Domänenwand dazu konfiguriert ist, sich auf der Basis eines durch einen Magneten erzeugten Magnetfeldes fortzupflanzen; wobei eine Position der zumindest einen Domänenwand eine Umdrehungszahl des Magnetfeldes des Magneten angibt; wobei die Umdrehungszahl einen oder mehrere eines vordefinierten Bruchteils einer vollständigen Rotation des Magnetfelds angeben soll; eine an einem zweiten Ende des Magnetstreifens befindliche Endspitze, wobei das zweite Ende des Magnetstreifen dem ersten Ende gegenüberliegt; und eine Mehrzahl von sich überlappenden Streifenwindungen, die eine Mehrzahl von Überschneidungen in dem Magnetstreifen bewirken.

公开(公告)号：DE102018222879B4

公开(公告)日：2022-09-29

申请号：DE102018222879

申请日：2018-12-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZIMMER JÜRGEN ,  BEVER THOMAS ,  KEGLER CHRISTIAN ,  KUEMMEL HANSJOERG WALTER ,  LUBER SEBASTIAN

IPC: G01D5/12 ,  G01P3/487

Abstract: Mehrfachumdrehungszähler-Sensor (MTC-Sensor) (400, 700A, 700B, 700C), der folgende Merkmale aufweist:einen Magnetstreifen (310), der folgende Merkmale aufweist:eine Domänenwand-Erzeugungseinrichtung (DWG), die sich an einem ersten Ende des Magnetstreifens (310) befindet,wobei die Domänenwand-Erzeugungseinrichtung (DWG) zumindest eine Domänenwand (DW) in dem Magnetstreifen (310) erzeugen soll, wobei die zumindest eine Domänenwand (DW) dazu konfiguriert ist, sich auf der Basis eines durch einen Magneten erzeugten Magnetfeldes fortzupflanzen,wobei eine Position der zumindest einen Domänenwand (DW) eine Umdrehungszahl des Magnetfeldes des Magneten angibt, wobei die Umdrehungszahl einen oder mehrere eines vordefinierten Bruchteils einer vollständigen Rotation des Magnetfelds angeben soll;eine an einem zweiten Ende des Magnetstreifens (310) befindliche Endspitze,wobei das zweite Ende des Magnetstreifen (310) dem ersten Ende gegenüberliegt; undeine Mehrzahl von sich überlappenden Streifenwindungen, die eine Mehrzahl von Überschneidungen in dem Magnetstreifen (310) bewirken.

公开(公告)号：DE102020105272A1

公开(公告)日：2020-09-10

申请号：DE102020105272

申请日：2020-02-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEINHOLD DIRK ,  BRANDL FLORIAN ,  GRUENBERGER ROBERT ,  LANGHEINRICH WOLFRAM ,  LUBER SEBASTIAN ,  MEIER ROLAND ,  WINKLER BERNHARD

IPC: B81B7/02

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung und ein Verfahren zur Herstellung derselben werden bereitgestellt. Die Halbleitervorrichtung beinhaltet einen Halbleiterchip, der ein Substrat mit einer ersten Oberfläche und einer der ersten Oberfläche gegenüberliegenden zweiten Oberfläche beinhaltet; mindestens einen Spannungsentkopplungsgraben, der sich von der ersten Oberfläche in das Substrat erstreckt, wobei sich der mindestens eine Spannungsentkopplungsgraben teilweise in das Substrat zur zweiten Oberfläche hin erstreckt, jedoch nicht vollständig zur zweiten Oberfläche; ein mikroelektromechanisches System (MEMS)-Element, beinhaltend einen empfindlichen Bereich, das an der ersten Oberfläche des Substrats angeordnet und seitlich von dem mindestens einen Spannungsentkopplungsgraben beabstandet ist; und ein Spannungsentkopplungsmaterial, das den mindestens einen Spannungsentkopplungsgraben füllt und den empfindlichen Bereich des MEMS-Elements bedeckt.