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公开(公告)号：DE102024208405A1
公开(公告)日：2025-03-20
申请号：DE102024208405
申请日：2024-09-04
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： LUTZ THERESA , BELLA MALIKA , ALBERT STEPHAN GERHARD , BROCKMEIER ANDRÉ , SOUNDARA PANDIAN MOHANRAJ , BEVER THOMAS
Abstract: Eine Spiegelvorrichtung eines mikroelektromechanischen Systems (MEMS) umfasst einen Rahmen, der einen Rahmenhohlraum definiert, eine Aufhängungsanordnung; und einen Spiegelkörper, der durch die Aufhängungsanordnung derart an den Rahmen gekoppelt ist, dass der Spiegelkörper über dem Rahmenhohlraum aufgehängt ist. Der Spiegelkörper umfasst eine Sandwichstruktur, die eine Frontplatte, eine Rückplatte und eine Hohlkernanordnung, die zwischen der Frontplatte und der Rückplatte angeordnet ist, beinhaltet. Die Frontplatte und die Rückplatte definieren eine Dickenabmessung des Spiegelkörpers. Die Hohlkernanordnung beinhaltet eine Vielzahl von Stützstrukturen, die sich zwischen der Frontplatte und der Rückplatte erstrecken und eine Vielzahl von Hohlräumen zwischen der Frontplatte und der Rückplatte definieren.
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公开(公告)号：DE102018222879B4
公开(公告)日：2022-09-29
申请号：DE102018222879
申请日：2018-12-21
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： ZIMMER JÜRGEN , BEVER THOMAS , KEGLER CHRISTIAN , KUEMMEL HANSJOERG WALTER , LUBER SEBASTIAN
Abstract: Mehrfachumdrehungszähler-Sensor (MTC-Sensor) (400, 700A, 700B, 700C), der folgende Merkmale aufweist:einen Magnetstreifen (310), der folgende Merkmale aufweist:eine Domänenwand-Erzeugungseinrichtung (DWG), die sich an einem ersten Ende des Magnetstreifens (310) befindet,wobei die Domänenwand-Erzeugungseinrichtung (DWG) zumindest eine Domänenwand (DW) in dem Magnetstreifen (310) erzeugen soll, wobei die zumindest eine Domänenwand (DW) dazu konfiguriert ist, sich auf der Basis eines durch einen Magneten erzeugten Magnetfeldes fortzupflanzen,wobei eine Position der zumindest einen Domänenwand (DW) eine Umdrehungszahl des Magnetfeldes des Magneten angibt, wobei die Umdrehungszahl einen oder mehrere eines vordefinierten Bruchteils einer vollständigen Rotation des Magnetfelds angeben soll;eine an einem zweiten Ende des Magnetstreifens (310) befindliche Endspitze,wobei das zweite Ende des Magnetstreifen (310) dem ersten Ende gegenüberliegt; undeine Mehrzahl von sich überlappenden Streifenwindungen, die eine Mehrzahl von Überschneidungen in dem Magnetstreifen (310) bewirken.
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公开(公告)号：DE102008054314B4
公开(公告)日：2021-05-12
申请号：DE102008054314
申请日：2008-11-03
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： ZIMMER JÜRGEN , BEVER THOMAS
Abstract: Magnetoresistive Vorrichtung, die folgende Merkmale aufweist:ein Substrat (101);eine elektrisch isolierte Region (103; 1103; 1303), die eine auf dem Substrat (101) aufgebrachte metallische Schicht umfasst;eine auf der metallischen Schicht aufgebrachte isolierende Schicht (104);einen auf der isolierenden Schicht (104) aufgebrachten magnetoresistiven Streifen (105; 401; 901; 1101; 1201; 1301); undzumindest eine leitfähige Durchkontaktierung (108; 404; 904; 1108; 1308; 1318), die die elektrisch isolierte Region (103; 1103; 1303) mit dem magnetoresistiven Streifen (105; 401; 901; 1101; 1201; 1301) koppelt,wobei die elektrisch isolierte Region (103; 1103; 1303) nur durch die Durchkontaktierung (108; 404; 904; 1108; 1208; 1308) elektrisch kontaktiert ist.
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公开(公告)号：DE102012216069A1
公开(公告)日：2013-03-14
申请号：DE102012216069
申请日：2012-09-11
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： BEVER THOMAS , PRUEGL KLEMENS , RABERG WOLFGANG , STRASSER ANDREAS , ZIMMER JUERGEN
Abstract: Ausführungsbeispiele beziehen sich auf magnetoresistive(MR-)Sensoren, Sensorelemente und Strukturen sowie Verfahren. Insbesondere beziehen sich Ausführungsbeispiele auf MR-, beispielsweise Giant-MR-(GMR-) oder Tunnel-MR-(TMR-)Spinventil-Schichtsysteme und verwandte Sensoren, die eine verbesserte Stabilität aufweisen. Ausführungsbeispiele umfassen zumindest entweder eine mehrschichtige Pinned-Schicht und/oder eine mehrschichtige Referenzschicht, wodurch der Stapel stabiler wird und sich dadurch für eine Verwendung bei höheren Temperaturen und Magnetfeldern eignet als herkömmliche Systeme und Sensoren.
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公开(公告)号：DE102013018789B4
公开(公告)日：2025-03-06
申请号：DE102013018789
申请日：2013-11-07
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： BEVER THOMAS , FEICK HENNING , KAUTZSCH THORALF , MEINHOLD DIRK , MELZNER HANNO , OFFENBERG DIRK , PARASCANDOLA STEFANO , UHLIG INES
Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Vorrichtung (400), welches folgende Schritte aufweist:Bereitstellen eines ungleichmäßigen Dotierungsprofils in einem Halbleitersubstrat (102), so dass ein elektrisches Feld mit vertikalen Feldvektorkomponenten in zumindest einem Teil eines Lichtwandlungsgebiets (112) des Halbleitersubstrats (102) erzeugt wird, undErzeugen (606) einer Steuerelektrodenstruktur, die mehrere Steuerelektroden (106, 106b, 106c) oberhalb des ungleichmäßigen Dotierungsprofils zum Lenken lichterzeugter Ladungsträger aufweist, wobei die Steuerelektrodenstruktur zwischen zwei Diodenstrukturen (114) zum Akkumulieren der lichterzeugten Ladungsträger angeordnet ist,wobei das Bereitstellen des ungleichmäßigen Dotierungsprofils aufweist:Bereitstellen (602) einer dotierten Schicht (202) in dem Lichtwandlungsgebiet (112), wobei die dotierte Schicht (202) Dotierungsatome aufweist, wobei das Bereitstellen der dotierten Schicht ein Erzeugen der dotierten Schicht (202), so dass die dotierte Schicht (202) eine laterale Variation einer Nettodotierungskonzentration aufweist, umfasst, wobei die laterale Variation der Nettodotierungskonzentration in Bezug auf ein Zentrum der Steuerelektrodenstruktur symmetrisch ist,Durchführen (604) eines Migrationsschritts zur Migration zumindest eines Teils der Dotierungsatome der dotierten Schicht (202) zu einem Gebiet oberhalb der dotierten Schicht (202),wobei das ungleichmäßige Dotierungsprofil in vertikaler Richtung ein lokales Maximum der Nettodotierungskonzentration in der dotierten Schicht (202) aufweist,wobei die Nettodotierungskonzentration in vertikaler Richtung von der dotierten Schicht (202) hin zu der Steuerelektrodenstruktur abnimmt, so dass lichterzeugte Ladungsträger, die innerhalb eines ersten Tiefenbereichs erzeugt werden, zu der Steuerelektrodenstruktur gelenkt werden,wobei die Nettodotierungskonzentration in vertikaler Richtung von der dotierten Schicht (202) fort von der Steuerelektrodenstruktur abnimmt, so dass die lichterzeugten Ladungsträger, die innerhalb eines zweiten Tiefenbereichs erzeugt werden, von der Steuerelektrodenstruktur fort gelenkt werden,wobei die dotierte Schicht (202) eine vergrabene Schicht ist,wobei ferner mindestens eine weitere dotierte Schicht (204) in einer Tiefe, die von der Tiefe der dotierten Schicht (202) verschieden ist, bereitgestellt wird,wobei die weitere dotierte Schicht (204) durch das Halbleitersubstrat räumlich von der dotierten Schicht (202) getrennt ist,wobei die weitere dotierte Schicht (204) eine Abschirmungswirkung für die Diodenstrukturen (114) bereitstellt, so dass sich die lichterzeugten Ladungsträger nicht direkt von innerhalb des Lichtwandlungsgebiets (112) zu den Diodenstrukturen (114), sondern nur unter dem Einfluss von durch die Steuerelektroden (106, 106b, 106c) erzeugten elektrischen Feldern bewegen dürfen, undwobei sich die weitere dotierte Schicht (204) in lateraler Richtung zumindest bis über ein definiertes Gebiet hinaus erstreckt, zu dem die lichterzeugten Ladungsträger gelenkt werden.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE102018222879A1
公开(公告)日：2019-06-27
申请号：DE102018222879
申请日：2018-12-21
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： ZIMMER JÜRGEN , BEVER THOMAS , KEGLER CHRISTIAN , KUEMMEL HANSJOERG WALTER , LUBER SEBASTIAN
Abstract: Ein beispielhafter Mehrfachumdrehungszähler-Sensor (MTC-Sensor) umfasst einen Magnetstreifen, der folgende Merkmale umfasst: eine Domänenwand-Erzeugungseinrichtung, die sich an einem ersten Ende des Magnetstreifens befindet, wobei die Domänenwand-Erzeugungseinrichtung zumindest eine Domänenwand in dem Magnetstreifen erzeugen soll, wobei die zumindest eine Domänenwand dazu konfiguriert ist, sich auf der Basis eines durch einen Magneten erzeugten Magnetfeldes fortzupflanzen; wobei eine Position der zumindest einen Domänenwand eine Umdrehungszahl des Magnetfeldes des Magneten angibt; wobei die Umdrehungszahl einen oder mehrere eines vordefinierten Bruchteils einer vollständigen Rotation des Magnetfelds angeben soll; eine an einem zweiten Ende des Magnetstreifens befindliche Endspitze, wobei das zweite Ende des Magnetstreifen dem ersten Ende gegenüberliegt; und eine Mehrzahl von sich überlappenden Streifenwindungen, die eine Mehrzahl von Überschneidungen in dem Magnetstreifen bewirken.
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公开(公告)号：DE102013018789A1
公开(公告)日：2014-06-05
申请号：DE102013018789
申请日：2013-11-07
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： BEVER THOMAS , FEICK HENNING , KAUTZSCH THORALF , MEINHOLD DIRK , MELZNER HANNO , OFFENBERG DIRK , PARASCANDOLA STEFANO , UHLIG INES
Abstract: Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung umfasst die folgende Schritte auf: Bereitstellen eines ungleichmäßigen Dotierungsprofils, so dass ein elektrisches Feld mit vertikalen Feldvektorkomponenten in zumindest einem Teil eines Lichtwandlungsgebiets erzeugt wird, und Erzeugen einer Steuerelektrodenstruktur, die mehrere Steuerelektroden oberhalb des ungleichmäßigen Dotierungsprofils zum Lenken lichterzeugter Ladungsträger aufweist.
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公开(公告)号：DE102007029665B3
公开(公告)日：2008-12-04
申请号：DE102007029665
申请日：2007-06-27
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： HAMMERSCHMIDT DIRK , WEITZEL JOACHIM , BEVER THOMAS , AUSSERLECHNER UDO
IPC: H01F13/00
Abstract: The method involves producing a test magnetic field (10), which penetrates the magnetic field sensor structure and the permanently magnetizable element. The test magnetic field is detected by the magnetic field sensor structure and a test signal is provided (12) based on the test magnetic field. Independent claims are also included for the following: (1) a device for magnetizing a permanently magnetizable element assigned to a magnetic field sensor structure (2) a safety device for a sensor arrangement (3) an arrangement comprises a magnetic field sensor element.
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公开(公告)号：CA2340059C
公开(公告)日：2003-12-23
申请号：CA2340059
申请日：1999-08-03
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： TIMME HANS-JORG , BEVER THOMAS , AIGNER ROBERT
Abstract: The invention relates to a micromechanical sensor and to a corresponding production method, comprising the following steps: a) preparing a doped semiconductor wafer (4); b) applying an epitaxial layer (1) that is doped in such a way that a jump in the charge carrier density in the interface (11) between the semiconductor wafer and the epitaxial layer occurs; c) optionall y etching ventilation holes (2) traversing the epitaxial layer and optionally filling the ventilation holes with a sacrificial material; d) depositing at least one sacrificial layer (9), at least one spacing layer (10), a membrane (5) and optionally a semiconductor circuit (8) on the top side of the epitaxial layer using a technology known per se, wherein the semiconductor circuit may be applied after the membrane is formed or while depositing the layers required to form the membrane; e) etching a hole (6) on the back part of the sensor, wherein the etching method is selected in such a way that etching advances in the direction of the top side and ceases in the interfac e between the wafer (4) and the epitaxial layer (1) by changing charge carrier concentration. The invention also relates to the utilization of the micromechanical sensor in pressure sensors or microphones.
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公开(公告)号：CA2340059A1
公开(公告)日：2000-02-24
申请号：CA2340059
申请日：1999-08-03
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： BEVER THOMAS , TIMME HANS-JORG , AIGNER ROBERT
Abstract: The invention relates to a micromechanical sensor and to a corresponding production method, comprising the following steps: a) preparing a doped semiconductor wafer (4); b) applying an epitaxial layer (1) that is doped in such a way that a jump in the charge carrier density in the interface (11) between the semiconductor wafer and the epitaxial layer occurs; c) optionall y etching ventilation holes (2) traversing the epitaxial layer and optionally filling the ventilation holes with a sacrificial material; d) depositing at least one sacrificial layer (9), at least one spacing layer (10), a membrane (5) and optionally a semiconductor circuit (8) on the top side of the epitaxial layer using a technology known per se, wherein the semiconductor circuit may be applied after the membrane is formed or while depositing the layers required to form the membrane; e) etching a hole (6) on the back part of the sensor, wherein the etching method is selected in such a way that etching advances in the direction of the top side and ceases in the interfac e between the wafer (4) and the epitaxial layer (1) by changing charge carrier concentration. The invention also relates to the utilization of the micromechanical sensor in pressure sensors or microphones.
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