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公开(公告)号：DE102018220762B4
公开(公告)日：2023-01-19
申请号：DE102018220762
申请日：2018-11-30
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： BRANDL FLORIAN , FRIES MANFRED , KALZ FRANZ-PETER
Abstract: Verfahren zum Schützen eines Elements mit mikroelektromechanischen Systemen (MEMS-Element) (12), das folgende Schritte aufweist:Bereitstellen zumindest eines MEMS-Elements (12), das einen empfindlichen Bereich aufweist, auf einem Substrat (10);Durchführen der folgenden Schritte vor einem Package-Zusammenbau-Prozess:Aufbringen eines Schutzmaterials (13) über dem empfindlichen Bereich des zumindest einen MEMS-Elements (12), so dass der empfindliche Bereich des zumindest einen MEMS-Elements (12) vor einer äußeren Umgebung abgedichtet ist, wobei das Schutzmaterial (13) eine Sensorfunktionalität des zumindest einen MEMS-Elements (12) erlaubt; undAbtrennen eines Abschnitts des Substrats (10), der das zumindest eine MEMS-Element (12) beinhaltet, um einen Chip (14, 34, 44, 54) zu bilden, wobei der Chip (14, 34, 44, 54) zumindest einen Belastungsentkopplungsgraben (16) und einen Rückseitenhohlraum (19), der einstückig mit dem zumindest einen Belastungsentkopplungsgraben (16) gebildet ist, aufweist,wobei der zumindest eine Belastungsentkopplungsgraben (16) und der Rückseitenhohlraum (19) ausgebildet sind, um eine Federstruktur einzurichten, die das MEMS-Element (12) umgibt, wobei der zumindest eine Belastungsentkopplungsgraben (16) seitlich von dem zumindest einen MEMS-Element (12) beabstandet ist und sich in das Substrat (10) hinein erstreckt, und das Schutzmaterial (13) auf einen Bereich innerhalb einer Region eingegrenzt ist, die durch den zumindest einen seitlich beabstandeten Belastungsentkopplungsgraben (16) definiert ist.
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公开(公告)号：DE102020113760B3
公开(公告)日：2021-11-04
申请号：DE102020113760
申请日：2020-05-20
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： BRANDL FLORIAN
Abstract: Eine MEMS-Vorrichtung enthält eine bewegliche MEMS-Struktur, eine erste Stützstruktur, bei der ein Rand der MEMS-Struktur befestigt ist, eine durch die MEMS-Struktur und die erste Stützstruktur begrenzte Kavität, und eine in der Kavität und bei dem Rand der MEMS-Struktur befestigte zweite Stützstruktur, die dazu ausgelegt ist, den Rand der MEMS-Struktur mechanisch zu stützen.
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公开(公告)号：DE102018220762A1
公开(公告)日：2019-06-06
申请号：DE102018220762
申请日：2018-11-30
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： BRANDL FLORIAN , FRIES MANFRED , KALZ FRANZ-PETER
Abstract: Ein Halbleiterbauelement und ein Verfahren zur Herstellung desselben werden derart bereitgestellt, dass ein Element mit mikroelektromechanischen Systemen (MEMS-Element) in einer frühen Herstellungsphase geschützt wird. Ein Verfahren zum Schützen eines MEMS-Elements beinhaltet folgende Schritte: Bereitstellen zumindest eines MEMS-Elements mit einem empfindlichen Bereich auf einem Substrat; und Aufbringen, vor einem Package-Zusammenbau-Prozess, eines Schutzmaterials über dem empfindlichen Bereich des zumindest einen MEMS-Elements, so dass der empfindliche Bereich zumindest eines MEMS-Elements vor einer äußeren Umgebung abgedichtet ist, wobei das Schutzmaterial eine Sensorfunktionalität des zumindest einen MEMS-Elements erlaubt.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE102017123431A8
公开(公告)日：2019-01-17
申请号：DE102017123431
申请日：2017-10-09
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： BRANDL FLORIAN , ECKINGER MARKUS , HAMMERSCHMIDT DIRK , WINKLER BERNHARD
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公开(公告)号：DE102017123431A1
公开(公告)日：2018-11-22
申请号：DE102017123431
申请日：2017-10-09
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： BRANDL FLORIAN , ECKINGER MARKUS , HAMMERSCHMIDT DIRK , WINKLER BERHARD
Abstract: Ein Drucksensor wird bereitgestellt. Der Drucksensor umfasst zumindest zwei Elektroden und eine integrierte Schaltung, die ausgebildet ist, um eine Kapazität zwischen den zumindest zwei Elektroden zu erfassen. Ferner umfasst der Drucksensor eine MEMS-Struktur, umfassend eine leitfähige oder dielektrische Membran, die ausgebildet ist, um sich abhängig von dem Druck relativ zu den zumindest zwei Elektroden zu bewegen.
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公开(公告)号：DE102020110473A1
公开(公告)日：2020-10-22
申请号：DE102020110473
申请日：2020-04-17
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： BRANDL FLORIAN , GEISSLER CHRISTIAN , GRUENBERGER ROBERT , WAECHTER CLAUS , WINKLER BERNHARD
Abstract: Eine Halbleitervorrichtung und ein Verfahren zu ihrer Herstellung werden bereitgestellt. Die Halbleitervorrichtung enthält ein Substrat mit einer ersten Oberfläche und einer zweiten Oberfläche, die gegenüber der ersten Oberfläche angeordnet ist; einen spannungsempfindlichen Sensor, der bei der ersten Oberfläche des Substrats angeordnet ist, wobei der spannungsempfindliche Sensor empfindlich für mechanische Spannung ist; einen Spannungsentkopplungsgraben, der eine vertikale Ausdehnung hat, die sich von der ersten Oberfläche in das Substrat erstreckt, wobei sich der Spannungsentkopplungsgraben vertikal teilweise in das Substrat in Richtung der zweiten Oberfläche, jedoch nicht vollständig zur zweiten Oberfläche erstreckt; und eine Vielzahl von Partikelfiltergräben, die sich vertikal von der zweiten Oberfläche in das Substrat erstrecken, wobei jeder der Vielzahl von Partikelfiltergräben eine longitudinale Ausdehnung aufweist, die sich orthogonal zu der vertikalen Ausdehnung des Spannungsentkopplungsgrabens erstreckt.
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公开(公告)号：DE102020108740A1
公开(公告)日：2020-10-08
申请号：DE102020108740
申请日：2020-03-30
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： BRANDL FLORIAN , GRUENBERGER ROBERT , LANGHEINRICH WOLFRAM
Abstract: Eine Halbleitervorrichtung und ein Verfahren zur Herstellung derselben werden bereitgestellt. Die Halbleitervorrichtung beinhaltet einen Halbleiterchip, der ein Substrat mit einer ersten Oberfläche und einer der ersten Oberfläche gegenüberliegenden zweiten Oberfläche beinhaltet; einen spannungsempfindlichen Sensor, der bei der ersten Oberfläche des Substrats angeordnet ist, wobei der spannungsempfindliche Sensor empfindlich gegenüber mechanischer Spannung ist; ein erstes Paar benachbarter Spannungsentkopplungsgräben, die lateral von einer ersten lateralen Seite des spannungsempfindlichen Sensors angeordnet sind, wobei sich jeder Spannungsentkopplungsgräben des ersten Paares benachbarter Spannungsentkopplungsgräben teilweise von der ersten Oberfläche in das Substrat in Richtung der zweiten Oberfläche erstreckt, jedoch nicht vollständig zur zweiten Oberfläche; und eine erste Federstruktur, die zwischen dem ersten Paar benachbarter Spannungsentkopplungsgräben ausgebildet ist, so dass die erste Federstruktur lateral von dem spannungsempfindlichen Sensor angeordnet ist und dazu ausgelegt ist, externe Spannung von einer Umgebung zu absorbieren.
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8.发明专利
公开(公告)号：DE102020105272A1
公开(公告)日：2020-09-10
申请号：DE102020105272
申请日：2020-02-28
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： MEINHOLD DIRK , BRANDL FLORIAN , GRUENBERGER ROBERT , LANGHEINRICH WOLFRAM , LUBER SEBASTIAN , MEIER ROLAND , WINKLER BERNHARD
IPC: B81B7/02
Abstract: Eine Halbleitervorrichtung und ein Verfahren zur Herstellung derselben werden bereitgestellt. Die Halbleitervorrichtung beinhaltet einen Halbleiterchip, der ein Substrat mit einer ersten Oberfläche und einer der ersten Oberfläche gegenüberliegenden zweiten Oberfläche beinhaltet; mindestens einen Spannungsentkopplungsgraben, der sich von der ersten Oberfläche in das Substrat erstreckt, wobei sich der mindestens eine Spannungsentkopplungsgraben teilweise in das Substrat zur zweiten Oberfläche hin erstreckt, jedoch nicht vollständig zur zweiten Oberfläche; ein mikroelektromechanisches System (MEMS)-Element, beinhaltend einen empfindlichen Bereich, das an der ersten Oberfläche des Substrats angeordnet und seitlich von dem mindestens einen Spannungsentkopplungsgraben beabstandet ist; und ein Spannungsentkopplungsmaterial, das den mindestens einen Spannungsentkopplungsgraben füllt und den empfindlichen Bereich des MEMS-Elements bedeckt.
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