公开(公告)号：DE102014117236A1

公开(公告)日：2015-05-28

申请号：DE102014117236

申请日：2014-11-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BOCHE BERNHARD ,  ENGELHARDT MANFRED ,  GOLLER BERNHARD ,  LEUSCHNER RAINER ,  MAYER KARL ,  NOEHAMMER BERND ,  RÖSNER MICHAEL ,  STRANZL GUDRUN ,  VOERCKEL MONIKA CORNELIA ,  WENDT HERMANN ,  ZGAGA MARTIN

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/78

Abstract: Verfahren zum Verarbeiten eines Halbleiterwerkstücks können enthalten: das Bereitstellen eines Halbleiterwerkstücks mit einem oder mit mehreren Trennfugengebieten; das Ausbilden eines oder mehrerer Gräben in dem Werkstück durch das Entfernen von Material aus dem einen oder aus den mehreren Trennfugengebieten von einer ersten Seite des Werkstücks aus; das Anbringen des Werkstücks mit der ersten Seite an einem Träger; das Dünnen des Werkstücks von einer zweiten Seite des Werkstücks aus; und das Ausbilden einer Metallisierungsschicht über der zweiten Seite des Werkstücks.