公开(公告)号：DE102019108754A1

公开(公告)日：2020-09-10

申请号：DE102019108754

申请日：2019-04-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MODER IRIS ,  GOLLER BERNHARD ,  RUPP ROLAND ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER SANTOS ,  HOECHBAUER TOBIAS

IPC: H01L21/3063 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/304 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Halbleitersubstrat (700) umfasst einen Basisbereich (705), eine Zusatzschicht (710) und eine Oberflächenschicht (720). Die Zusatzschicht (710) ist auf dem Basisbereich (705) ausgebildet. Die Oberflächenschicht (720) ist auf der Zusatzschicht (710) ausgebildet. Die Oberflächenschicht (720) ist mit einer ersten Hauptoberfläche (701) des Halbleitersubstrats (700) in Kontakt. Die Zusatzschicht (710) weist eine andere elektrochemische Auflösungseffizienz als der Basisbereich (705) und die Oberflächenschicht (720) auf. Zumindest ein Bereich der Zusatzschicht (710) und ein Bereich der Oberflächenschicht (720) werden in eine poröse Struktur (820) transformiert. Anschließend wird auf der ersten Hauptoberfläche (701) eine epitaktische Schicht (730) ausgebildet.

公开(公告)号：DE102008057817A9

公开(公告)日：2014-11-06

申请号：DE102008057817

申请日：2008-11-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GANITZER PAUL ,  RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER SANTOS ,  SPORN MARTIN ,  KRAFT DANIEL

Abstract: A device and method of making a device is disclosed. One embodiment provides a substrate. A semiconductor chip is provided having a first surface with a roughness of at least 100 nm. A diffusion soldering process is performed to join the first surface of the semiconductor chip to the substrate.

公开(公告)号：DE102019108754A8

公开(公告)日：2020-10-29

申请号：DE102019108754

申请日：2019-04-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MODER IRIS ,  GOLLER BERNHARD ,  RUPP ROLAND ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER SANTOS ,  HOECHBAUER TOBIAS

IPC: H01L21/3063 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/304 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

公开(公告)号：DE102008057817A1

公开(公告)日：2009-06-25

申请号：DE102008057817

申请日：2008-11-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GANITZER PAUL ,  RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER SANTOS ,  SPORN MARTIN ,  KRAFT DANIEL

IPC: H01L21/58 ,  H01L23/14

Abstract: Eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Herstellen einer Vorrichtung werden offenbart. Eine Ausführungsform sieht ein Substrat vor. Außerdem ist ein Halbleiterchip vorgesehen, der eine erste Fläche mit einer Rauheit von wenigstens 100 nm hat. Es wird ein Diffusionslötprozess ausgeführt, um die erste Fläche des Halbleiterchips mit dem Substrat zu verbinden.