公开(公告)号：DE102005052563A1

公开(公告)日：2007-05-03

申请号：DE102005052563

申请日：2005-11-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： OTREMBA RALF ,  KRAFT DANIEL ,  KOMPOSCH ALEXANDER ,  EDER HANNES ,  GANITZER PAUL ,  WOEHLERT STEFAN

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60

Abstract: A semiconductor chip (1) comprises an adhesion layer -free three layer metallization comprising an aluminum layer (4) directly on the chip, followed by a diffusion-blocking layer (5) and directly, by a solder layer (6). The diffusion-blocking layer comprises titanium, nickel, platinum or chromium and the solder layer comprises diffusion solder. All three layers are applied by sputtering. Independent claims are also included for production processes for the above chip.

公开(公告)号：DE102008057817B4

公开(公告)日：2017-02-16

申请号：DE102008057817

申请日：2008-11-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GANITZER PAUL ,  SPORN MARTIN ,  KRAFT DANIEL ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER

IPC: H01L21/58 ,  H01L23/14 ,  H01L23/488

Abstract: Verfahren, umfassend: Bereitstellen eines Substrats (11); Bereitstellen eines Halbleiterchips (10), der eine erste Fläche (12) mit einer Rauheit von mehr als 500 nm besitzt; Aufbringen einer Metalllage (14) auf die erste Fläche (12) des Halbleiterchips (10), wobei eine Oberfläche der Metalllage (14) eine Rauheit von mehr als 500 nm aufweist; und Ausführen eines Diffusionslötprozesses, um die erste Fläche (12) des Halbleiterchips (10) unter Bildung mindestens einer intermetallischen Phase (16) mit dem Substrat (11) zu verbinden.

公开(公告)号：DE102008057817A1

公开(公告)日：2009-06-25

申请号：DE102008057817

申请日：2008-11-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GANITZER PAUL ,  RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER SANTOS ,  SPORN MARTIN ,  KRAFT DANIEL

IPC: H01L21/58 ,  H01L23/14

Abstract: Eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Herstellen einer Vorrichtung werden offenbart. Eine Ausführungsform sieht ein Substrat vor. Außerdem ist ein Halbleiterchip vorgesehen, der eine erste Fläche mit einer Rauheit von wenigstens 100 nm hat. Es wird ein Diffusionslötprozess ausgeführt, um die erste Fläche des Halbleiterchips mit dem Substrat zu verbinden.

公开(公告)号：DE102008057817A9

公开(公告)日：2014-11-06

申请号：DE102008057817

申请日：2008-11-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GANITZER PAUL ,  RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER SANTOS ,  SPORN MARTIN ,  KRAFT DANIEL

Abstract: A device and method of making a device is disclosed. One embodiment provides a substrate. A semiconductor chip is provided having a first surface with a roughness of at least 100 nm. A diffusion soldering process is performed to join the first surface of the semiconductor chip to the substrate.

公开(公告)号：DE102006043163A1

公开(公告)日：2008-03-27

申请号：DE102006043163

申请日：2006-09-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KOBLINSKI CARSTEN VON ,  KROENER FRIEDRICH ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAV ,  KRAFT DANIEL ,  HELLMUND OLIVER

IPC: H01L23/482 ,  H01B1/02 ,  H01L21/479

Abstract: A method for producing a composite material, associated composite material and associated semiconductor circuit arrangements is disclosed. A plurality of first electrically conducting material particles are applied to a carrier substrate and a second electrically conducting material is galvanically deposited on a surface of the first material particles in such a way that the second material mechanically and electrically bonds the plurality of first material particles to one another.