公开(公告)号：DE102019108754A8

公开(公告)日：2020-10-29

申请号：DE102019108754

申请日：2019-04-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MODER IRIS ,  GOLLER BERNHARD ,  RUPP ROLAND ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER SANTOS ,  HOECHBAUER TOBIAS

IPC: H01L21/3063 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/304 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

公开(公告)号：DE102019108754A1

公开(公告)日：2020-09-10

申请号：DE102019108754

申请日：2019-04-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MODER IRIS ,  GOLLER BERNHARD ,  RUPP ROLAND ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER SANTOS ,  HOECHBAUER TOBIAS

IPC: H01L21/3063 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/304 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Halbleitersubstrat (700) umfasst einen Basisbereich (705), eine Zusatzschicht (710) und eine Oberflächenschicht (720). Die Zusatzschicht (710) ist auf dem Basisbereich (705) ausgebildet. Die Oberflächenschicht (720) ist auf der Zusatzschicht (710) ausgebildet. Die Oberflächenschicht (720) ist mit einer ersten Hauptoberfläche (701) des Halbleitersubstrats (700) in Kontakt. Die Zusatzschicht (710) weist eine andere elektrochemische Auflösungseffizienz als der Basisbereich (705) und die Oberflächenschicht (720) auf. Zumindest ein Bereich der Zusatzschicht (710) und ein Bereich der Oberflächenschicht (720) werden in eine poröse Struktur (820) transformiert. Anschließend wird auf der ersten Hauptoberfläche (701) eine epitaktische Schicht (730) ausgebildet.

公开(公告)号：DE102019132158A1

公开(公告)日：2021-05-27

申请号：DE102019132158

申请日：2019-11-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHUSTEREDER WERNER ,  SWOBODA MARKO ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  DRAGHICI MIHAI ,  LEHNERT WOLFGANG ,  HOECHBAUER TOBIAS ,  BREYMESSER ALEXANDER

IPC: H01L21/26 ,  H01L21/322 ,  H01L21/329 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336

Abstract: Vorgeschlagen werden Verfahren zum Bearbeiten eines Halbleitersubstrats (100). Ein Beispiel eines Verfahrens weist ein Ausbilden von Hohlräumen (104) im Halbleitersubstrat (100) durch Implantieren von Ionen durch eine erste Oberfläche (102) des Halbleitersubstrats (100) auf. Die Hohlräume (104) definieren eine Trennschicht (106) im Halbleitersubstrat (100). Danach wird eine Halbleiterschicht (108) auf der ersten Oberfläche (102) des Halbleitersubstrats (100) ausgebildet. Elemente von Halbleitervorrichtungen werden in der Halbleiterschicht (108) gebildet. Danach wird das Halbleitersubstrat (100) entlang der Trennschicht (106) in einen die Halbleiterschicht (108) enthaltenden ersten Substratteil (1001) und einen zweiten Substratteil (1002) getrennt.