公开(公告)号：FR2979033B1

公开(公告)日：2016-11-25

申请号：FR1202206

申请日：2012-08-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BERGER RUDOLF ,  GRUBER HERMANN ,  LEHNERT WOLFGANG ,  RUHL GUENTHER ,  FOERG RAIMUND ,  MAUDER ANTON ,  SCHULZE HANS JOACHIM ,  KELLERMANN KARSTEN ,  SOMMER MICHAEL ,  ROTTMAIR CHRISTIAN ,  RUPP ROLAND

IPC: H01L21/71 ,  H01L21/20 ,  H01L21/48 ,  H01L23/14

公开(公告)号：FR2987168B1

公开(公告)日：2016-11-25

申请号：FR1300612

申请日：2013-03-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BERGER RUDOLF ,  GRUBER HERMANN ,  LEHNERT WOLFGANG ,  RUHL GUENTHER ,  FOERG RAIMUND ,  MAUDER ANTON ,  SCHULZE HANS JOACHIM ,  KELLERMANN KARSTEN ,  SOMMER MICHAEL ,  ROTTMAIR CHRISTIAN ,  RUPP ROLAND

IPC: H01L21/71 ,  H01L21/20 ,  H01L21/48 ,  H01L23/14

公开(公告)号：DE102011054035B4

公开(公告)日：2020-08-20

申请号：DE102011054035

申请日：2011-09-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BERGER RUDOLF ,  LEHNERT WOLFGANG ,  MAUDER ANTON ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  FOERG RAIMUND ,  GRUBER HERMANN ,  RUHL GÜNTHER ,  KELLERMANN KARSTEN ,  SOMMER MICHAEL ,  ROTTMAIR CHRISTIAN ,  RUPP ROLAND

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/265 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306

Abstract: Verfahren zum Herstellen eines Verbundwafers, aufweisend:Bereitstellen eines monokristallinen Halbleiterwafers (10) mit einer ersten Seite (11) und einer gegenüber der ersten Seite (11) angeordneten zweiten Seite (12);Abscheiden einer Formmasse (35) aufweisend zumindest Kohlenstoffpulver und/oder Pech auf der zweiten Seite (12) des Halbleiterwafers (10); undTempern der abgeschiedenen Formmasse (35) zum Ausbilden eines an dem Halbleiterwafer angebrachten Graphitträgers (36).

公开(公告)号：FR2987168A1

公开(公告)日：2013-08-23

申请号：FR1300612

申请日：2013-03-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BERGER RUDOLF ,  GRUBER HERMANN ,  LEHNERT WOLFGANG ,  RUHL GUENTHER ,  FOERG RAIMUND ,  MAUDER ANTON ,  SCHULZE HANS JOACHIM ,  KELLERMANN KARSTEN ,  SOMMER MICHAEL ,  ROTTMAIR CHRISTIAN ,  RUPP ROLAND

IPC: H01L21/71 ,  H01L21/20 ,  H01L21/48 ,  H01L23/14

Abstract: Procédé de fabrication d'une tranche (13) composite, caractérisé en ce qu'on se procure une tranche de support comprenant une couche de graphite, on se procure une tranche (10) semiconductrice monocristalline ayant une première face (11) et une deuxième face (12) ; et on forme une couche de liaison sur au moins l'une de la première face (11) de la tranche semiconductrice et de la couche de graphite de la tranche de support.

公开(公告)号：FR2979033A1

公开(公告)日：2013-02-15

申请号：FR1202206

申请日：2012-08-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BERGER RUDOLF ,  GRUBER HERMANN ,  LEHNERT WOLFGANG ,  RUHL GUENTHER ,  FOERG RAIMUND ,  MAUDER ANTON ,  SCHULZE HANS JOACHIM ,  KELLERMANN KARSTEN ,  SOMMER MICHAEL ,  ROTTMAIR CHRISTIAN ,  RUPP ROLAND

IPC: H01L21/71 ,  H01L21/20 ,  H01L21/48 ,  H01L23/14

Abstract: Procédé de fabrication d'une tranche (13) composite, on se procure une tranche de support comprenant une couche de graphite, on se procure une tranche (10) semiconductrice monocristalline ayant une première face (11) et une deuxième face (12) ; et on forme une couche de liaison sur au moins l'une de la première face (11) de la tranche semiconductrice et de la couche de graphite de la tranche de support.