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公开(公告)号：DE102019214478A1
公开(公告)日：2021-03-25
申请号：DE102019214478
申请日：2019-09-23
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： SCHALLER RAINER MARKUS , THEUSS HORST , RIEDER BERNHARD
IPC: G01N21/17 , G01N21/3504
Abstract: Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung (100) mit folgenden Merkmalen: einer Mikrostruktur (10), die eine MEMS-Struktur oder eine MOEMS-Struktur aufweist, einem Träger (20), auf dem die Mikrostruktur (10) angeordnet ist, einem Gehäuse (30), das aus einem für zumindest eine vorherbestimmte Wellenlänge eines Lichts transparenten Material besteht und einen Hohlraum (40), der die Mikrostruktur (10) auf dem Träger (20) direkt umgibt, hermetisch einkapselt. Die Vorrichtung (10) lässt sich als eine Lichtemittereinheit (200) und/oder Lichtdetektoreinheit (300) ausbilden, wobei die Einheiten einzeln oder gemeinsam Teil eines Photoakustischen Gassensors (400) sein können.
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公开(公告)号：DE102022115688A1
公开(公告)日：2022-12-29
申请号：DE102022115688
申请日：2022-06-23
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： ERDOEL TUNCAY , HARTNER WALTER , MOELLER ULRICH , RIEDER BERNHARD , SELER ERNST , WOJNOWSKI MACIEJ
IPC: H01P5/08
Abstract: Ein Chip-Package umfasst einen Chip, der ausgebildet ist, ein Signal zu erzeugen und/oder zu empfangen; ein Laminatsubstrat, das einen substratintegrierten Wellenleiter (SIW) zum Tragen des Signals umfasst, wobei der substratintegrierte Wellenleiter eine Chip-zu-SIW-Übergangsstruktur umfasst, die ausgebildet ist, das Signal zwischen den SIW und den Chip zu koppeln, und eine SIW-zu-Wellenleiter-Übergangsstruktur, die ausgebildet ist, das Signal aus dem SIW aus- oder in den SIW einzukoppeln, wobei die SIW-zu-Wellenleiter-Übergangsstruktur eine Wellenleiterapertur umfasst; und eine Mehrzahl von elektrischen Schnittstellen, die um eine Peripherie der Wellenleiterapertur angeordnet sind, wobei die Mehrzahl von elektrischen Schnittstellen ausgebildet ist, das Signal von der SIW-zu-Wellenleiter-Übergangsstruktur zu empfangen und das Signal von dem Chip-Package auszugeben oder das Signal mit der SIW-zu-Wellenleiter-Übergangsstruktur und in das Chip-Package zu koppeln.
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公开(公告)号：DE102020121855A1
公开(公告)日：2022-02-24
申请号：DE102020121855
申请日：2020-08-20
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： HARTNER WALTER , RIEDER BERNHARD
Abstract: Eine Hochfrequenz-Vorrichtung umfasst eine Leiterplatte und ein auf der Leiterplatte bei einem ersten Montagepunkt montiertes Hochfrequenz-Package mit einem Hochfrequenz-Chip und einem Hochfrequenz-Strahlungselement, wobei die Leiterplatte zumindest in einem ersten Abschnitt, der den ersten Montagepunkt umfasst eine erste Elastizität aufweist. Die Hochfrequenz-Vorrichtung umfasst ferner ein auf der Leiterplatte bei einem zweiten Montagepunkt montiertes Wellenleiter-Bauteil mit einem Wellenleiter, wobei das Hochfrequenz-Strahlungselement dazu ausgelegt ist, in den Wellenleiter Signale einzustrahlen und/oder über den Wellenleiter Signale zu empfangen. Die Leiterplatte weist zumindest in einem zweiten Abschnitt mit erhöhter Elastizität zwischen dem ersten Montagepunkt und dem zweiten Montagepunkt eine zweite Elastizität auf, wobei die zweite Elastizität höher als die erste Elastizität ist.
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公开(公告)号：DE102020101293A1
公开(公告)日：2021-07-22
申请号：DE102020101293
申请日：2020-01-21
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： SELER ERNST , RIEDER BERNHARD , MÖLLER ULRICH
IPC: H01P3/00
Abstract: Eine Hochfrequenz-Vorrichtung umfasst eine Halbleitervorrichtung, umfassend einen Hochfrequenz-Chip, und ein erstes Verbindungselement, welches dazu ausgelegt ist, die Halbleitervorrichtung mechanisch und elektrisch mit einer Platine zu verbinden. Die Hochfrequenz-Vorrichtung umfasst ferner ein über der Halbleitervorrichtung angeordnetes Wellenleiter-Bauteil, umfassend einen in dem Wellenleiter-Bauteil ausgebildeten Wellenleiter, und ein zweites Verbindungselement, welches das Wellenleiter-Bauteil mit der Halbleitervorrichtung mechanisch verbindet. Zumindest eines von dem ersten Verbindungselement oder dem zweiten Verbindungselement ist elastisch ausgebildet.
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公开(公告)号：DE102021112811B3
公开(公告)日：2022-08-04
申请号：DE102021112811
申请日：2021-05-18
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： RIEDER BERNHARD , SCHALLER RAINER MARKUS
IPC: B81B7/02 , B81B3/00 , B81C1/00 , G01M3/04 , G01N29/036
Abstract: Ein Gassensor (10) umfasst ein Substrat (1), ein erstes halbleiterbasiertes Sensorelement (2) zur Bestimmung der Dichte und/oder Viskosität eines Gases, welches über dem Substrat (1) angeordnet ist und ein Schwingelement (2A) aufweist, und einen Deckel (3), welcher über dem ersten Sensorelement (2) angeordnet ist, wobei das Substrat (1) und/oder der Deckel (3) eine Öffnung für den Durchtritt eines Gases zu dem ersten Sensorelement (2) aufweist.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE102020113232A1
公开(公告)日：2021-11-18
申请号：DE102020113232
申请日：2020-05-15
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： HARTNER WALTER , RIEDER BERNHARD
Abstract: Eine Hochfrequenz-Vorrichtung umfasst ein Verkapselungsmaterial und einen in das Verkapselungsmaterial eingebetteten Hochfrequenz-Chip, wobei der Hochfrequenz-Chip eine erste Hauptfläche und eine zweite Hauptfläche aufweist. Die Hochfrequenz-Vorrichtung umfasst ferner eine über der ersten Hauptfläche des Hochfrequenz-Chips und dem Verkapselungsmaterial angeordnete elektrische Umverteilungsschicht und eine in der Umverteilungsschicht ausgebildete Hochfrequenz-Antenne, die dazu ausgelegt ist, in einer von der zweiten Hauptfläche zu der ersten Hauptfläche weisenden Richtung Signale abzustrahlen und/oder in einer von der ersten Hauptfläche zu der zweiten Hauptfläche weisenden Richtung Signale zu empfangen. Die Hochfrequenz-Vorrichtung umfasst ferner eine unterhalb der Hochfrequenz-Antenne angeordnete und in das Verkapselungsmaterial eingebettete Mikrowellenkomponente mit einer elektrisch leitenden Wandstruktur.
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公开(公告)号：DE102019128779A1
公开(公告)日：2021-04-29
申请号：DE102019128779
申请日：2019-10-24
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： RIEDER BERNHARD , KILGER THOMAS
IPC: H01L23/66 , H01L21/60 , H01L23/488
Abstract: Eine Hochfrequenz-Vorrichtung umfasst einen Hochfrequenz-Chip, ein über einer Chipoberfläche des Hochfrequenz-Chips angeordnetes erstes Verbindungselement, welches dazu ausgelegt ist, den Hochfrequenz-Chip mechanisch und elektrisch mit einer Platine zu verbinden, und ein über der Chipoberfläche angeordnetes und mit dem Hochfrequenz-Chip elektrisch gekoppeltes Hochfrequenz-Signalführungselement, welches von einem elektrisch nichtleitenden Material bedeckt ist und dazu ausgelegt ist, ein Signal in einer Richtung parallel zur Chipoberfläche zu übertragen, wobei das erste Verbindungselement und das Hochfrequenz-Signalführungselement bezüglich einer Richtung senkrecht zur Chipoberfläche auf einer gleichen Höhe angeordnet sind, und wobei das erste Verbindungselement über einen Bereich von dem Hochfrequenz-Signalführungselement beabstandet ist, der frei von dem elektrisch nichtleitenden Material ist.
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公开(公告)号：DE102019110840A1
公开(公告)日：2020-10-29
申请号：DE102019110840
申请日：2019-04-26
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： RIEDER BERNHARD
Abstract: Eine RF-Vorrichtung beinhaltet eine konforme RF-Antenne, die dazu ausgelegt ist, auf einer nichtmetallischen Komponente eines Fahrzeugs befestigt zu werden, und die dazu ausgelegt ist, bei Frequenzen höher als 10 GHz zu arbeiten. Die RF-Vorrichtung beinhaltet ferner einen RF-Chip, der auf der konformen RF-Antenne befestigt und elektrisch mit der konformen RF-Antenne gekoppelt ist, um ein RF-Signal mit einer Frequenz von höher als 10 GHz an die konforme RF-Antenne zu übertragen.
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公开(公告)号：DE102021102228A1
公开(公告)日：2022-08-04
申请号：DE102021102228
申请日：2021-02-01
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： HARTNER WALTER , ELIAN KLAUS , ERDOEL TUNCAY , GEISSLER CHRISTIAN , RIEDER BERNHARD , SCHALLER RAINER MARKUS , THEUSS HORST , WOJNOWSKI MACIEJ
IPC: H01P1/06
Abstract: Eine Hochfrequenz-Vorrichtung umfasst eine Leiterplatte und ein auf der Leiterplatte montiertes Hochfrequenz-Package mit einem Hochfrequenz-Chip und einem Hochfrequenz-Strahlungselement. Die Hochfrequenz-Vorrichtung umfasst ferner ein Wellenleiter-Bauteil mit einem Wellenleiter, wobei das Hochfrequenz-Strahlungselement dazu ausgelegt ist, in den Wellenleiter Sendesignale einzustrahlen und/oder über den Wellenleiter Empfangssignale zu empfangen. Die Hochfrequenz-Vorrichtung umfasst ferner einen zwischen einer ersten Seite des Hochfrequenz-Package und einer zweiten Seite des Wellenleiter-Bauteils angeordneten Spalt und eine Abschirmstruktur, welche dazu ausgelegt ist: eine relative Bewegung zwischen dem Hochfrequenz-Package und dem Wellenleiter-Bauteil in einer ersten Richtung senkrecht zur ersten Seite des Hochfrequenz-Package zuzulassen, und die Sendesignale und/oder die Empfangssignale derart abzuschirmen, dass eine Ausbreitung der Signale über den Spalt abgeschwächt oder verhindert wird.
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10.发明专利
公开(公告)号：DE102019128779B4
公开(公告)日：2021-05-12
申请号：DE102019128779
申请日：2019-10-24
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： RIEDER BERNHARD , KILGER THOMAS
IPC: H01L23/66 , H01L21/60 , H01L23/488
Abstract: Eine Hochfrequenz-Vorrichtung umfasst einen Hochfrequenz-Chip, ein über einer Chipoberfläche des Hochfrequenz-Chips angeordnetes erstes Verbindungselement, welches dazu ausgelegt ist, den Hochfrequenz-Chip mechanisch und elektrisch mit einer Platine zu verbinden, und ein über der Chipoberfläche angeordnetes und mit dem Hochfrequenz-Chip elektrisch gekoppeltes Hochfrequenz-Signalführungselement, welches von einem elektrisch nichtleitenden Material bedeckt ist und dazu ausgelegt ist, ein Signal in einer Richtung parallel zur Chipoberfläche zu übertragen, wobei das erste Verbindungselement und das Hochfrequenz-Signalführungselement bezüglich einer Richtung senkrecht zur Chipoberfläche auf einer gleichen Höhe angeordnet sind, und wobei das erste Verbindungselement über einen Bereich von dem Hochfrequenz-Signalführungselement beabstandet ist, der frei von dem elektrisch nichtleitenden Material ist.
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