公开(公告)号：DE102015103062A1

公开(公告)日：2015-09-03

申请号：DE102015103062

申请日：2015-03-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BROCKMEIER ANDRE ,  GRIESSLER CHRISTIAN ,  MAIER KATHARINA ,  SCHREIBER KAI-ALEXANDER ,  SOLAZZI FRANCESCO ,  ZORN PETER

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  G01L9/06 ,  G01P15/09 ,  H01L21/30

Abstract: Es werden Verfahren, Geräte und Vorrichtungen beschrieben, in denen ein Hauptwafer irreversibel mit einem Trägerwafer haftschlüssig verbunden und gedünnt wird, um eine Dicke des Hauptwafers zu verringern, zum Beispiel auf eine Dicke von 300 μm oder darunter.

公开(公告)号：DE102020120370B3

公开(公告)日：2022-02-03

申请号：DE102020120370

申请日：2020-08-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BROCKMEIER ANDRE ,  GLANZER BARBARA ANGELA ,  OLDSEN MARTEN ,  SOLAZZI FRANCESCO ,  KOBLINSKI CARSTEN VON

IPC: B81B7/02 ,  B81C3/00

Abstract: Die Halbleitervorrichtung (10) umfasst einen mikroelektromechanischen System(MEMS)-Chip (1), welcher eine erste Hauptoberfläche und eine zweite Hauptoberfläche aufweist, welche der ersten Hauptoberfläche gegenüberliegt, ein erstes Substrat (2) auf Glasbasis, auf welchem der MEMS-Chip (1) mit seiner ersten Hauptoberfläche angeordnet ist, und ein zweites Substrat (3), welches auf der zweiten Hauptoberfläche des MEMS-Chips (1) angeordnet ist, wobei der MEMS-Chip (1) eine erste Ausnehmung (1A) aufweist, welche über eine Mehrzahl von in dem ersten Substrat (2) angeordneten Perforationslöchern (2A) mit der Umgebung in Verbindung steht.

公开(公告)号：DE102020134366A1

公开(公告)日：2022-06-23

申请号：DE102020134366

申请日：2020-12-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PEREZ BARRAZA JULIA ISABEL ,  EBERL MATTHIAS ,  SOLAZZI FRANCESCO

IPC: G01N27/18 ,  B81B7/02 ,  G01N27/16 ,  G01N33/22 ,  H01L23/28 ,  H01M8/04089

Abstract: Es ist ein Sensor zum Messen einer Gaseigenschaft vorgeschlagen, wobei der Sensor (700) einen Halbleiter-Die (701) umfasst, wobei der Halbleiter-Die (701) Folgendes umfasst: einen Referenzhohlraum (202) und einen Messungshohlraum (203), wobei ein Referenzsensorelement (504, 505, 506) in dem Referenzhohlraum (202) angeordnet ist, wobei ein Messungssensorelement (507, 508, 509) in dem Messungshohlraum (203) angeordnet ist, wobei der Referenzhohlraum (202) von Umgebungsgas versiegelt ist, wobei der Messungshohlraum (203) fluid mit Umgebungsgas verbunden ist. Ferner ist ein Verfahren zum Herstellen eines solchen Sensors vorgeschlagen.

公开(公告)号：DE102020114082A1

公开(公告)日：2020-12-03

申请号：DE102020114082

申请日：2020-05-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SOLAZZI FRANCESCO ,  HASSLER MARTIN ,  STEINER CHRISTOPH

IPC: G01L9/00 ,  B81B3/00 ,  G01L9/06 ,  G01L9/12 ,  G01L27/00

Abstract: Ein Drucksensor kann einen ersten Widerstandswert eines ersten Widerstandes und einen zweiten Widerstandswert eines zweiten Widerstandes überwachen. Der erste Widerstand und der zweite Widerstand können Abtastelemente einer Abtastkomponente eines Drucksensors sein. Der Drucksensor kann basierend auf einer Differenz zwischen dem ersten Widerstandswert und dem zweiten Widerstandswert, die einen Schwellenwert erfüllt, bestimmen, dass eine Messung von der Abtastkomponente unzuverlässig ist. Der Drucksensor kann basierend auf dem Bestimmen, dass die Messung von der Abtastkomponente unzuverlässig ist, eine mit dem Drucksensor assoziierte Handlung durchführen.