公开(公告)号：DE102017112780A1

公开(公告)日：2018-12-13

申请号：DE102017112780

申请日：2017-06-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FISCHER PETRA ,  SCHLAMINGER JOHANNA ,  VOERCKEL MONIKA CORNELIA ,  ZORN PETER

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/52

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren (100) zum Verarbeiten eines Elektronikbauelements Folgendes beinhalten: Ausbilden einer strukturierten Hartmaskenschicht (206p) über einer Leistungsmetallisierungsschicht (202), wobei die strukturierte Hartmaskenschicht (206p) wenigstens ein Oberflächengebiet (202s) der Leistungsmetallisierungsschicht (202) exponiert; und Strukturieren der Leistungsmetallisierungsschicht (202) durch Nassätzen (220) des exponierten mindestens einen Oberflächengebiets (202s) der Leistungsmetallisierungsschicht (202).

公开(公告)号：DE102015102718A1

公开(公告)日：2015-09-10

申请号：DE102015102718

申请日：2015-02-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KOBLINSKI CARSTEN VON ,  FASTNER ULRIKE ,  BROCKMEIER ANDRE ,  ZORN PETER

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/283 ,  H01L21/48 ,  H01L23/08 ,  H01L23/498

Abstract: Ein Trägersubstrat, das eine Vielzahl an Aufnahmen jeweils zum Aufnehmen und Tragen eines Halbleiterchips aufweist, ist bereitgestellt. Halbleiterchips sind in den Aufnahmen angeordnet, und Metall ist in die Aufnahmen plattiert, um eine Metallstruktur auf und in Kontakt mit den Halbleiterchips auszubilden. Das Trägersubstrat wird geschnitten, um getrennte Halbleitervorrichtungen auszubilden.

公开(公告)号：DE102014106823B4

公开(公告)日：2015-11-26

申请号：DE102014106823

申请日：2014-05-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KOBLINSKI CARSTEN VON ,  FASTNER ULRIKE ,  ZORN PETER ,  OTTOWITZ MARKUS

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/78 ,  H01L23/498

Abstract: Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen, wobei das Verfahren umfasst: Bereitstellen eines Stapels, der einen Halbleiterwafer (300) und ein an dem Halbleiterwafer (300) angebrachtes Glassubstrat (200) aufweist, wobei der Halbleiterwafer (300) mehrere Halbleiterbauelemente (310) aufweist, wobei das Glassubstrat (200) mehrere Öffnungen (205, 207) aufweist, die jeweils einen jeweiligen Bereich der Halbleiterbauelemente (310) durch das Glassubstrat (200) unbedeckt lassen, und mindestens einen Graben (206), der auf einer Seite (202) des Glassubstrats (200) ausgebildet ist, die von dem Halbleiterwafer (300) weg weist, und der die Öffnungen (205, 207) verbindet, wobei der mindestens eine Graben (206) eine Tiefe (d3) aufweist, die kleiner ist als eine Dicke (d1) des Glassubstrats (200); Ausbilden einer Metallschicht (410) mindestens auf freiliegenden Wänden des mindestens einen Grabens (206) und der Öffnungen (205, 207) und auf den unbedeckten Bereichen der Halbleiterbauelemente des Halbleiterwafers (300); Ausbilden eines Metallgebiets (402, 403) durch electrochemisches Abscheiden von Metall (401) in die Öffnungen (205, 207) und den mindestens einen Graben (206) und durch nachfolgendes Schleifen des Glassubstrats (200), um die den mindestens einen Graben (206) zu entfernen; und Schneiden des Stapels, der den Halbleiterwafer (300) und das angebrachte Glassubstrat (200) aufweist, um die Halbleiterbauelemente (310) zu trennen.

公开(公告)号：DE102015103062A1

公开(公告)日：2015-09-03

申请号：DE102015103062

申请日：2015-03-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BROCKMEIER ANDRE ,  GRIESSLER CHRISTIAN ,  MAIER KATHARINA ,  SCHREIBER KAI-ALEXANDER ,  SOLAZZI FRANCESCO ,  ZORN PETER

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  G01L9/06 ,  G01P15/09 ,  H01L21/30

Abstract: Es werden Verfahren, Geräte und Vorrichtungen beschrieben, in denen ein Hauptwafer irreversibel mit einem Trägerwafer haftschlüssig verbunden und gedünnt wird, um eine Dicke des Hauptwafers zu verringern, zum Beispiel auf eine Dicke von 300 μm oder darunter.

公开(公告)号：DE102015102718B4

公开(公告)日：2021-02-11

申请号：DE102015102718

申请日：2015-02-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KOBLINSKI CARSTEN VON ,  FASTNER ULRIKE ,  BROCKMEIER ANDRE ,  ZORN PETER

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/283 ,  H01L21/48 ,  H01L23/08 ,  H01L23/498

Abstract: Verfahren zum Herstellen von Halbleitervorrichtungen (300, 500, 600), umfassend:Bereitstellen eines Trägersubstrats (100, 400), das eine erste Seite (101), eine zweite Seite (102, 402) und eine Vielzahl an Aufnahmen (105, 405) jeweils zum Aufnehmen und Tragen eines Halbleiterchips (200) aufweist, wobei die Aufnahmen (105, 405) sich von der ersten Seite (101) zur zweiten Seite (102, 402) des Trägersubstrats (100, 400) erstrecken;Platzieren von Halbleiterchips (200), die jeweils eine erste Seite (201) und eine zweite Seite (202) aufweisen, in den Aufnahmen (105, 405), wobei die Aufnahmen (105, 405) zumindest Teile der ersten Seite (201) und der zweiten Seite (202) der Halbleiterchips (200) freiliegend lassen;Plattieren von Metall in die Aufnahmen (105, 405), um eine Metallstruktur (152) auf und in Kontakt mit der zweiten Seite (202) der Halbleiterchips (200) auszubilden; undDurchschneiden des Trägersubstrats (100, 400), um getrennte Halbleitervorrichtungen (300, 500, 600) auszubilden.

公开(公告)号：DE102015104800A1

公开(公告)日：2015-10-01

申请号：DE102015104800

申请日：2015-03-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RAJARAMAN VIJAYE KUMAR ,  KARLOVSKY KAMIL ,  NEIDHART THOMAS ,  MAYER KARL ,  LEUSCHNER RAINER ,  MOSER CHRISTINE ,  JOSHI RAVI KESHAV ,  BREYMESSER ALEXANDER ,  GOLLER BERNHARD ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  ZORN PETER

IPC: H01M10/0525 ,  H01L27/06 ,  H01M2/06

Abstract: Eine Lithium-Ionen-Batterie (2) umfasst ein erstes Substrat (100), das eine erste Hauptoberfläche (120) hat, und einen Deckel (200), der ein isolierendes Material umfasst. Der Deckel (200) ist an der ersten Hauptoberfläche (120) des ersten Substrates (100) angebracht, und ein Hohlraum (252) ist zwischen dem ersten Substrat (100) und dem Deckel (200) gebildet. Die Lithium-Ionen-Batterie (2) umfasst weiterhin ein elektrisches Zwischenverbindungselement (230) in dem Deckel (200), wobei das elektrische Zwischenverbindungselement (230) eine elektrische Verbindung zwischen einer ersten Hauptoberfläche (210) und einer zweiten Hauptoberfläche (220) des Deckels (200) vorsieht. Die Lithium-Ionen-Batterie umfasst weiterhin einen Elektrolyten (130) in dem Hohlraum (252), eine Anode (11) an dem ersten Substrat (100), wobei die Anode eine Komponente umfasst, die aus einem Halbleitermaterial hergestellt ist, und eine Kathode (12) an dem Deckel (200).

公开(公告)号：DE102014106823A1

公开(公告)日：2014-11-20

申请号：DE102014106823

申请日：2014-05-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KOBLINSKI CARSTEN VON ,  FASTNER ULRIKE ,  ZORN PETER ,  OTTOWITZ MARKUS

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/498

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen beinhaltet das Bereitstellen eines Stapels mit einem Halbleiterwafer (300) und einem Glassubstrat (200) mit Öffnungen (205) und mindestens einem Graben (206), das an dem Halbleiterwafer (300) angebracht ist. Der Halbleiterwafer (300) weist mehrere Halbleiterbauelemente (310) auf. Die Öffnungen (205) des Glassubstrats (200) lassen jeweilige Bereiche der Halbleiterbauelemente (310) durch das Glassubstrat (200) unbedeckt, und der Graben (206) verbindet die Öffnungen (205). Eine Metallschicht wird mindestens an freiliegenden Wänden des Grabens (206) und den Öffnungen (205) und an den unbedeckten Bereichen der Halbleiterbauelemente (310) des Halbleiterwafers (300) ausgebildet. Ein Metallgebiet wird durch Galvanisieren von Metall in den Öffnungen (205) und dem Graben (206) und durch nachfolgendes Schleifen des Glassubstrats (200), um die Gräben (206) zu entfernen, ausgebildet. Der Stapel des Halbleiterwafers (300) und des angebrachten Glassubstrats (200) wird geschnitten, um die Halbleiterbauelemente (310) zu trennen.

公开(公告)号：DE102014106823B9

公开(公告)日：2017-03-09

申请号：DE102014106823

申请日：2014-05-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KOBLINSKI CARSTEN VON ,  FASTNER ULRIKE ,  ZORN PETER ,  OTTOWITZ MARKUS

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/78 ,  H01L23/498

Abstract: Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen, wobei das Verfahren umfasst: Bereitstellen eines Stapels, der einen Halbleiterwafer (300) und ein an dem Halbleiterwafer (300) angebrachtes Glassubstrat (200) aufweist, wobei der Halbleiterwafer (300) mehrere Halbleiterbauelemente (310) aufweist, wobei das Glassubstrat (200) mehrere Öffnungen (205, 207) aufweist, die jeweils einen jeweiligen Bereich der Halbleiterbauelemente (310) durch das Glassubstrat (200) unbedeckt lassen, und mindestens einen Graben (206), der auf einer Seite (202) des Glassubstrats (200) ausgebildet ist, die von dem Halbleiterwafer (300) weg weist, und der die Öffnungen (205, 207) verbindet, wobei der mindestens eine Graben (206) eine Tiefe (d3) aufweist, die kleiner ist als eine Dicke (d1) des Glassubstrats (200); Ausbilden einer Metallschicht (410) mindestens auf freiliegenden Wänden des mindestens einen Grabens (206) und der Öffnungen (205, 207) und auf den unbedeckten Bereichen der Halbleiterbauelemente des Halbleiterwafers (300); Ausbilden eines Metallgebiets (402, 403) durch electrochemisches Abscheiden von Metall (401) in die Öffnungen (205, 207) und den mindestens einen Graben (206) und durch nachfolgendes Schleifen des Glassubstrats (200), um den mindestens einen Graben (206) zu entfernen; und Schneiden des Stapels, der den Halbleiterwafer (300) und das angebrachte Glassubstrat (200) aufweist, um die Halbleiterbauelemente (310) zu trennen.

公开(公告)号：DE102016113827A1

公开(公告)日：2017-02-02

申请号：DE102016113827

申请日：2016-07-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BROCKMEIER ANDRE ,  BREYMESSER ALEXANDER ,  VON KOBLINSKI CARSTEN ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  ZORN PETER

IPC: C03B11/08 ,  G02B1/00 ,  G02B6/13 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Glaselementen umfasst ein Inkontaktbringen einer ersten Hauptoberfläche (110) eines Glassubstrats (100) mit einer ersten Arbeitsfläche (210) eines ersten Formsubstrats (200), wobei die erste Arbeitsfläche (210) mit einer Mehrzahl erster vorstehender Teile (250) versehen ist, und ein Inkontaktbringen einer zweiten Hauptoberfläche (120) des Glassubstrats (100) mit einer zweiten Arbeitsfläche (310) eines zweiten Formsubstrats (300), wobei die zweite Arbeitsfläche (310) mit einer Mehrzahl zweiter vorstehender Teile (320) versehen ist. Das Verfahren umfasst ferner ein Steuern einer Temperatur des Glassubstrats (100) auf eine Temperatur oberhalb einer Glasübergangstemperatur, um die Mehrzahl an Glaselementen zu schaffen, ein Entfernen des ersten und des zweiten Formsubstrats (200, 300) von dem Glassubstrat (100) und ein Trennen benachbarter der Mehrzahl von Glaselementen.

公开(公告)号：DE102015104816A1

公开(公告)日：2015-10-01

申请号：DE102015104816

申请日：2015-03-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JOSHI RAVI KESHAV ,  BREYMESSER ALEXANDER ,  GOLLER BERNHARD ,  KARLOVSKY KAMIL ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  ZORN PETER

IPC: H01M10/0525 ,  H01L21/50 ,  H01L27/06

Abstract: Eine Batterie (2) umfasst ein erstes Substrat (100), das eine erste Hauptoberfläche (110) hat, ein zweites Substrat (155), das aus einem leitenden Material oder einem Halbleitermaterial hergestellt ist, und einen Träger (150) aus einem isolierenden Material. Der Träger (150) hat eine erste und eine zweite Hauptoberfläche (151, 153), wobei das zweite Substrat (155) an der ersten Hauptoberfläche (151) des Trägers (150) angebracht ist. Eine Öffnung (152) ist in der zweiten Hauptoberfläche (153) des Trägers (150) gebildet, um einen Teil einer zweiten Hauptoberfläche (156) des zweiten Substrates (155) freizulegen. Die zweite Hauptoberfläche (153) des Trägers (150) ist an dem ersten Substrat (100) angebracht, um dadurch einen Hohlraum (162) zu bilden. Die Batterie umfasst weiterhin einen Elektrolyten (130), der in dem Hohlraum (162) angeordnet ist.