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    Verfahren zur Erzeugung einer Kavität innerhalb eines Halbleitersubstrats
    2.
    发明专利
    Verfahren zur Erzeugung einer Kavität innerhalb eines Halbleitersubstrats 未知

    公开(公告)号：DE102012206531A1

    公开(公告)日：2013-10-17

    申请号：DE102012206531

    申请日：2012-04-20

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： SCHREIBER KAI-ALEXANDER ,  BEHRENDT ANDREAS ,  SGOURIDIS SOKRATIS ,  WINKLER BERNHARD ,  ZGAGA MARTIN

    IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  H01L21/265

    Abstract: Ein Verfahren zum Erzeugen zumindest einer Kavität innerhalb eines Halbleitersubstrats umfasst ein Trockenätzen des Halbleitersubstrats von einer Oberfläche des Halbleitersubstrats aus an zumindest einem beabsichtigten Kavitätsort um zumindest eine vorläufige Kavität zu erhalten. Das Verfahren umfasst auch ein Abscheiden eines Schutzmaterials hinsichtlich eines nachfolgenden Nassätzprozesses an der Oberfläche des Halbleitersubstrats und an Kavitätsoberflächen der zumindest einen vorläufigen Kavität. Weiterhin umfasst das Verfahren ein Entfernen des Schutzmaterials zumindest an einem Abschnitt eines Bodens der zumindest einen vorläufigen Kavität um das Halbleitersubstrat freizulegen. Es folgt ein elektrochemisches Ätzen des Halbleitersubstrats an dem freigelegten Abschnitt des Bodens der zumindest einen vorläufigen Kavität. Ein Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen Sensorsystem, bei dem diese Art der Kavitätenbildung eingesetzt wird, ist ebenfalls offenbart. Ferner ist ein entsprechendes mikroelektromechanisches System (MEMS) offenbart.

    Verfahren zur Erzeugung einer Kavität innerhalb eines Halbleitersubstrats
    4.
    发明专利
    Verfahren zur Erzeugung einer Kavität innerhalb eines Halbleitersubstrats 未知

    公开(公告)号：DE102012206531B4

    公开(公告)日：2015-09-10

    申请号：DE102012206531

    申请日：2012-04-20

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： SCHREIBER KAI-ALEXANDER ,  BEHRENDT ANDREAS ,  SGOURIDIS SOKRATIS ,  WINKLER BERNHARD ,  ZGAGA MARTIN

    IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  H01L21/265

    Abstract: Verfahren zum Herstellen eines mikroelektromechanischen Systems mit folgenden Merkmalen: Bereitstellen eines dotierten Halbleitersubstrats mit einer ersten Oberfläche und einer der ersten Oberfläche gegenüber liegenden zweiten Oberfläche; Durchführen eines Lithographieprozesses und einer anschließenden Implantation zur Herstellung eines umdotierten Bereichs innerhalb des dotierten Halbleitersubstrats, wobei ein pn-Übergang bei einer Tiefe innerhalb des Halbleitersubstrats gebildet wird, wobei die Tiefe des pn-Übergangs eine gewünschte Tiefe eines Bodens zumindest einer zu bildenden Kavität bestimmt; Durchführen eines Strukturierungsprozesses zur Herstellung von mikroelektromechanischen Strukturen in dem Halbleitersubstrat und an der zweiten Oberfläche, wobei zumindest ein Teil der vorgesehenen mikroelektromechanischen Strukturen sich in den umdotierten Bereich erstreckt; Trockenätzen des Halbleitersubstrats von der ersten Oberfläche des Halbleitersubstrats aus an zumindest einem beabsichtigten Kavitätsort, um zumindest eine vorläufige Kavität zu erhalten, wobei das Trockenätzen gestoppt wird, bevor die gewünschte Tiefe der Kavität erreicht wird; Abscheiden eines Schutzmaterials hinsichtlich eines nachfolgenden elektrochemischen Ätzprozesses an der ersten Oberfläche des Halbleitersubstrats und an Kavitätsoberflächen der zumindest einen vorläufigen Kavität; Entfernen des Schutzmaterials zumindest an einem Abschnitt eines Bodens der zumindest einen vorläufigen Kavität um das Halbleitersubstrat freizulegen; und elektrochemisches Ätzen des Halbleitersubstrats an dem freigelegten Abschnitt des Bodens der zumindest einen vorläufigen Kavität bis zu dem pn-Übergang, so dass dieser als elektrochemischer Ätzstopp den Boden der zumindest einen Kavität bildet, so dass die zumindest eine Kavität an den Teil der mikroelektromechanischen Strukturen angrenzt, der sich in den umdotierten Bereich erstreckt.

    5.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE50306331D1

    公开(公告)日：2007-03-08

    申请号：DE50306331

    申请日：2003-11-20

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： HOECKELE UWE ,  JOHNSON ANDREW ,  KESSLER HANS-GEORG ,  NOWIK OREST ,  SCHREIBER KAI-ALEXANDER ,  WINZIG HUBERT ,  SISTERN IAN

    IPC: C23C16/44 ,  B08B6/00 ,  B08B7/00 ,  C23C20060101 ,  C23F4/00

    Abstract: A method for cleaning silicon-containing deposits in process chamber is described. Fluorine-containing compounds and additional compounds are used for the cleaning. The deposits are removed using a cleaning gas contains fluorine-containing compounds, at least 50% of which have more than one carbon atom and are C 4 F 8 or C 2 F 6 molecules, and additional compounds, at least 50% of which have at least one oxygen atom and at least 50% are N 2 O molecules. A pressure in the chamber is between 266 Pa and 665 Pa. The method permits economical and environmentally friendly cleaning of the process chamber.

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