公开(公告)号：WO9962113A2

公开(公告)日：1999-12-02

申请号：PCT/DE9901429

申请日：1999-05-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  LOSEHAND REINHARD ,  WERTHMANN HUBERT

Inventor： LOSEHAND REINHARD ,  WERTHMANN HUBERT

IPC: H01L29/47 ,  H01L21/329 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/66143 ,  H01L29/872

Abstract: The invention relates to a method for producing Schottky diodes which comprise a guard ring (10) in the marginal area of the Schottky contact. Said guard ring (10) is produced by depositing a guard ring material (4) on the surface (8) of the semiconductor layer (2), said surface being provided with a structured masking layer (3) beforehand, and afterwards by siliconizing the guard ring material (4). The guard ring material (4) is a metal, especially a high barrier metal which, in particular, contains platinum.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于生产具有在所述肖特基接触（10）的边缘区域中的保护环的肖特基二极管的方法。 保护环（10）产生的，通过沉积保护环材料设置到预先用结构化的掩模层（3）（4）表面（8）的半导体层（2）和随后渗硅保护环材料（4）。 在此，表示在保护环材料是金属，特别是高阻挡金属，其具有特别的铂。

公开(公告)号：DE102015101935A1

公开(公告)日：2015-08-20

申请号：DE102015101935

申请日：2015-02-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WERTHMANN HUBERT

IPC: H01L23/60 ,  H01L21/205 ,  H01L21/28 ,  H01L29/868 ,  H02H9/04

Abstract: Eine ESD (elektrostatische Entladungs)-Schutzvorrichtung umfasst eine erste Gruppe-III-Nitrid-p-i-n-Diode und eine zweite Gruppe-III-Nitrid-p-i-n-Diode, die mit der ersten Gruppe-III-Nitrid-p-i-n-Diode in einer antiparallelen Anordnung verbunden ist, die ausgelegt ist, Spannungsbegrenzung bei 5V oder weniger unter Durchlassvorspannung entweder der ersten oder der zweiten Gruppe-III-Nitrid-p-i-n-Diode für transienten in sowohl die Durchlass- als auch die Sperrrichtung bereitzustellen. Ein entsprechendes Verfahren zur Herstellung der ESD-Schutzvorrichtung wird ebenfalls bereitgestellt.

公开(公告)号：DE102015118829A1

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：DE102015118829

申请日：2015-11-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ARCIONI FRANCESKA ,  BETTINESCHI GABRIELE ,  GLAS ALEXANDER ,  SCHAFFER JOSEF-PAUL ,  WERTHMANN HUBERT ,  WOJNOWSKI MACIEJ

IPC: H04B3/02

Abstract: Ein Gleichtakt-Unterdrücker zum Beseitigen von Gleichtakt-Rauschen in Differential-Hochfrequenz-Datenübertragungssystemen und eine zugeordnetes Verfahren beinhalten eine lange gewickelte Differential-Übertagungsleitung, die dazu konfiguriert ist, Daten zwischen einer Quelle und einer Last zu übertragen. Die Differential-Übertagungsleitung umfasst einen ersten leitenden Draht und einen zweiten leitenden Draht, die induktiv und kapazitiv miteinander gekoppelt sind und die lateral aufeinander ausgerichtet oder vertikal aufeinander ausgerichtet sind. Ferner ist die Differential-Übertragungsleitung für Differential-Signale angepasst und für Gleichtakt-Rauschen fehlangepasst.

公开(公告)号：DE102016120342B4

公开(公告)日：2022-09-01

申请号：DE102016120342

申请日：2016-10-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WILLEMEN JOOST ,  SOJKA DAMIAN ,  WERTHMANN HUBERT ,  SCHMENN ANDRE

IPC: H01L23/60

Abstract: Vorrichtung (100) zum Schutz vor elektrostatischen Entladungen, die Folgendes umfasst:eine erste Halbleiterschicht (102), die mit einem Dotiermaterial eines ersten Dotierungstyps dotiert ist;eine zweite Halbleiterschicht (104), die über der ersten Halbleiterschicht (102) angeordnet und mit einem Dotiermaterial eines zweiten Dotierungstyps, der zu dem ersten Dotierungstyp entgegengesetzt ist, dotiert ist;eine Isolationsstruktur (106), die sich von einer Oberfläche (104s) der zweiten Halbleiterschicht (104) in die zweite Halbleiterschicht (104) erstreckt und einen ersten Bereich (104a) der zweiten Halbleiterschicht (104) von einem zweiten Bereich (104b) der zweiten Halbleiterschicht (104) seitlich trennt;einen ersten Wannenbereich (108a), der in dem ersten Bereich (104a) der zweiten Halbleiterschicht (104) angeordnet und mit einem Dotiermaterial des zweiten Dotierungstyps dotiert ist;einen ersten dotierten Bereich (1 10a), der in dem ersten Wannenbereich (108a) angeordnet und mit einem Dotiermaterial des ersten Dotierungstyps dotiert ist, wobei der erste dotierte Bereich (1 10a) und der erste Wannenbereich (108a) einen ersten pn-Übergang (122a) einer ersten vertikalen Struktur (130a) zum Schutz vor elektrostatischen Entladungen bilden und wobei der erste Bereich (104a) der zweiten Halbleiterschicht (104) und die erste Halbleiterschicht (102) einen zweiten pn-Übergang (124a) der ersten vertikalen Struktur (130a) zum Schutz vor elektrostatischen Entladungen bilden;einen zweiten Wannenbereich (108b), der in dem zweiten Bereich (104b) der zweiten Halbleiterschicht (104) angeordnet und mit einem Dotiermaterial des zweiten Dotierungstyps dotiert ist; undeinen zweiten dotierten Bereich (110b), der in dem zweiten Wannenbereich (108b) angeordnet und mit einem Dotiermaterial des ersten Dotierungstyps dotiert ist, wobei der zweite dotierte Bereich (110b) und der zweite Wannenbereich (108b) einen ersten pn-Übergang (122b) einer zweiten vertikalen Struktur (130b) zum Schutz vor elektrostatischen Entladungen bilden und wobei der zweite Bereich (104b) der zweiten Halbleiterschicht (104) und die erste Halbleiterschicht (102) einen zweiten pn-Übergang (124b) der zweiten vertikalen Struktur (130b) zum Schutz vor elektrostatischen Entladungen bilden und wobei die erste Halbleiterschicht (102) die erste vertikale Struktur (130a) zum Schutz vor elektrostatischen Entladungen und die zweite vertikale Struktur (130b) zum Schutz vor elektrostatischen Entladungen in einer Reihenanordnung elektrisch verbindet;wobei eine seitliche Ausdehnung (122w) des ersten pn-Übergangs (122a) der ersten vertikalen Struktur (130a) zum Schutz vor elektrostatischen Entladungen größer als 80 % der seitlichen Ausdehnung (124w) des zweiten pn-Übergangs (124a) der ersten vertikalen Struktur (130a) zum Schutz vor elektrostatischen Entladungen ist, undwobei eine seitliche Ausdehnung (122w) des ersten pn-Übergangs (122b) der zweiten vertikalen Struktur (130b) zum Schutz vor elektrostatischen Entladungen größer als 80 % der seitlichen Ausdehnung (124w) des zweiten pn-Übergangs (124b) der zweiten vertikalen Struktur (130b) zum Schutz vor elektrostatischen Entladungen ist.

公开(公告)号：DE10144380A1

公开(公告)日：2003-03-27

申请号：DE10144380

申请日：2001-09-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LOSEHAND REINHARD ,  WERTHMANN HUBERT ,  BARTL ULF ,  AHRENS CARSTEN ,  HARTUNG WOLFGANG

IPC: H01F17/00 ,  H01F41/04 ,  H01L23/522 ,  H01L23/64 ,  H01L27/08 ,  H01F19/04 ,  H01F17/04

Abstract: The magnetic component, integrated in a substrate, has an electrical conductor winding (2), supplied with current for generating a magnetic field in magnetic conductors (7,10a,10b), respectively provided by different layers (6,8) of a magnetic material, having differing domain orientations.

公开(公告)号：DE102015101935B4

公开(公告)日：2020-03-26

申请号：DE102015101935

申请日：2015-02-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WERTHMANN HUBERT

IPC: H01L23/60 ,  H01L29/201 ,  H01L29/868 ,  H02H9/04

Abstract: Vorrichtung zum Schutz vor elektrostatischen Entladungen, umfassend:eine erste Gruppe-III-Nitrid-p-i-n-Diode; undeine zweite Gruppe-III-Nitrid-p-i-n-Diode, die mit der ersten Gruppe-III-Nitrid-p-i-n-Diode in einer antiparallelen Anordnung verbunden ist, wobei die Anordnung eingerichtet ist,ein Spannungsklemmen bei 5V oder weniger unter Vorspannung in Durchlassrichtung entweder der ersten oder der zweiten Gruppe-III-Nitrid-p-i-n-Diode für transienten Strom sowohl in der Durchlass- als auch in der Sperrrichtung bereitzustellen,wobei die erste Gruppe-III-Nitrid-p-i-n-Diode eine erste intrinsische Gruppe-III-Nitridzone umfasst, die zwischen einer ersten Gruppe-III-Nitridzone vom n-Typ und einer ersten Gruppe-III-Nitridzone vom p-Typ angeordnet ist;die zweite Gruppe-III-Nitrid-p-i-n-Diode eine zweite intrinsische Gruppe-III-Nitridzone umfasst, die zwischen einer zweiten Gruppe-III-Nitridzone vom n-Typ und einer zweiten Gruppe-III-Nitridzone vom p-Typ angeordnet ist;die erste Gruppe-III-Nitridzone vom n-Typ mit der zweiten Gruppe-III-Nitridzone vom p-Typ elektrisch verbunden ist; unddie erste Gruppe-III-Nitridzone vom p-Typ mit der zweiten Gruppe-III-Nitridzone vom n-Typ elektrisch verbunden ist,wobei die erste Gruppe-III-Nitridzone vom n-Typ mit der zweiten Gruppe-III-Nitridzone vom p-Typ und die erste Gruppe-III-Nitridzone vom p-Typ mit der zweiten Gruppe-III-Nitridzone vom n-Typ durch eine einzige Metallisierungsschicht elektrisch verbunden sind.

公开(公告)号：DE102016120342A1

公开(公告)日：2018-04-26

申请号：DE102016120342

申请日：2016-10-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WILLEMEN JOOST ,  SOJKA DAMIAN ,  WERTHMANN HUBERT ,  SCHMENN ANDRE

IPC: H01L23/60

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Vorrichtung (100) zum Schutz vor elektrostatischen Entladungen eine erste vertikale Struktur (130a) zum Schutz vor elektrostatischen Entladungen und eine zweite vertikale Struktur (130b) zum Schutz vor elektrostatischen Entladungen, die in einer ersten Halbleiterschicht (102) und in einer zweiten Halbleiterschicht (104) bereitgestellt sind und seitlich nebeneinander angeordnet sind, enthalten, wobei die erste vertikale Struktur (130a) zum Schutz vor elektrostatischen Entladungen und die zweite vertikale Struktur (130b) zum Schutz vor elektrostatischen Entladungen durch die erste Halbleiterschicht (102) in einer Reihenanordnung miteinander verbunden sind.

公开(公告)号：DE10330838B4

公开(公告)日：2005-08-25

申请号：DE10330838

申请日：2003-07-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： AHRENS CARSTEN ,  POMPL STEFAN ,  BARTL ULF ,  WERTHMANN HUBERT ,  HARTUNG WOLFGANG ,  PEICHL RAIMUND ,  EISENER BERND ,  HERZUM CHRISTIAN

IPC: H01L21/329 ,  H01L29/417 ,  H01L29/872

Abstract: An electronic device includes a substrate, an insulating layer arranged on the substrate, the insulating layer having an opening in an area of the surface of the substrate, an active layer arranged within the opening on the surface of the substrate, the active layer including a guard ring in those areas of the surface and of the active layer which are adjacent to the insulating layer, and a contacting layer arranged on an area of the active layer, the contact layer being adjacent to an area of the guard ring. The device may be produced by a process of three-fold self-alignment, to be precise utilizing a spacer process by means of which a diffusion source having a lateral extension far below the lithography limit is made possible.

公开(公告)号：DE10330838A1

公开(公告)日：2005-02-10

申请号：DE10330838

申请日：2003-07-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： AHRENS CARSTEN ,  POMPL STEFAN ,  BARTL ULF ,  WERTHMANN HUBERT ,  HARTUNG WOLFGANG ,  PEICHL RAIMUND ,  EISENER BERND ,  HERZUM CHRISTIAN

IPC: H01L21/329 ,  H01L29/417 ,  H01L29/872

Abstract: An electronic device includes a substrate, an insulating layer arranged on the substrate, the insulating layer having an opening in an area of the surface of the substrate, an active layer arranged within the opening on the surface of the substrate, the active layer including a guard ring in those areas of the surface and of the active layer which are adjacent to the insulating layer, and a contacting layer arranged on an area of the active layer, the contact layer being adjacent to an area of the guard ring. The device may be produced by a process of three-fold self-alignment, to be precise utilizing a spacer process by means of which a diffusion source having a lateral extension far below the lithography limit is made possible.

公开(公告)号：DE59914804D1

公开(公告)日：2008-08-21

申请号：DE59914804

申请日：1999-05-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LOSEHAND REINHARD ,  WERTHMANN HUBERT

IPC: H01L21/329 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872 ,  H01L29/93

Abstract: A method for producing a Schottky diode formed of a doped guard ring in an edge area of the Schottky contact is described. The guard ring is produced by depositing a high barrier material, especially made of platinum, on the surface of the semiconductor layer. The surface is provided with a structured masking layer beforehand, and which is subsequently etch-backing.