公开(公告)号：DE102020132237A1

公开(公告)日：2021-12-16

申请号：DE102020132237

申请日：2020-12-03

Applicant: INTEL CORP

Inventor： KARHADE OMKAR G ,  DESHPANDE NITIN A ,  BHATIA MOHIT ,  AGRAHARAM SAIRAM ,  CETEGEN EDVIN ,  TRIPATHI ANURAG ,  SANKARASUBRAMANIAN MALAVARAYAN ,  KRAJNIAK JAN ,  DUBEY MANISH ,  LIU JINHE ,  LI WEI ,  HUANG JINGYI

IPC: H01L23/538 ,  H01L25/065

Abstract: Hier werden mikroelektronische Strukturen mit Brücken sowie zugehörige Anordnungen und Verfahren offenbart. In einigen Ausführungsformen kann eine mikroelektronische Struktur ein Substrat und eine Brücke umfassen.

公开(公告)号：DE102023130379A1

公开(公告)日：2025-01-02

申请号：DE102023130379

申请日：2023-11-03

Applicant: INTEL CORP

Inventor： KARHADE OMKAR G ,  DESHPANDE NITIN A ,  MAYA FRANCISCO ,  MINN KHANT ,  POTHUKUCHI SURESH V ,  SARKAR ARNAB ,  BHATIA MOHIT ,  KRISHNATREYA BHASKAR JYOTI ,  DONG SIYAN

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/67 ,  H01L21/98

Abstract: Eine Einrichtung umfasst eine erste IC-Vorrichtung, wobei die erste IC-Vorrichtung ein Referenzelement mit einer Längengröße umfasst, die größer als eine Breitengröße des Referenzelements ist, wobei das Referenzelement mindestens einen ersten Bereich und mindestens einen zweiten Bereich umfasst, wobei der mindestens eine erste Bereich Licht von einer Lichtquelle stoppen soll und der mindestens eine zweite Bereich Licht von der Lichtquelle während einer Bestimmung einer Ausrichtung zwischen der ersten IC-Vorrichtung und einer zweiten IC-Vorrichtung durchlassen soll.

公开(公告)号：DE102023134683A1

公开(公告)日：2025-01-02

申请号：DE102023134683

申请日：2023-12-11

Applicant: INTEL CORP

Inventor： KRISHNATREYA BHASKAR JYOTI ,  ELSHERBINI ADEL A ,  RAWLINGS BRANDON M ,  JUN KIMIN ,  KARHADE OMKAR G ,  BHATIA MOHIT ,  DESHPANDE NITIN ,  MAJHI PRASHANT ,  SWAN JOHANNA M

IPC: H10D80/30 ,  H01L23/31 ,  H01L23/50

Abstract: Mikroelektronische Anordnungen, zugehörige Bauelemente und Verfahren sind hierin offenbart. Bei einigen Ausführungsbeispielen kann eine mikroelektronische Anordnung eine erste Schicht mit einem ersten Die mit einem ersten Kontakt; einen zweiten Die mit einem zweiten Kontakt; und eine Anschlussfläche-Schicht auf dem ersten und dem zweiten Die mit einer ersten Anschlussfläche und einer zweiten Anschlussfläche umfassen, wobei die erste Anschlussfläche mit dem ersten Kontakt gekoppelt und in einer ersten Richtung von diesem versetzt ist und die zweite Anschlussfläche mit dem zweiten Kontakt gekoppelt und in einer zweiten, von der ersten Richtung verschiedenen Richtung von diesem versetzt ist; und eine zweite Schicht, die einen dritten Die mit dritten und vierten Kontakten umfasst, wobei die erste Schicht mit der zweiten Schicht durch Metall-zu-Metall-Bonds und Fusionsbonds gekoppelt ist, der erste Kontakt mit dem dritten Kontakt durch die erste Anschlussfläche gekoppelt ist und der zweite Kontakt mit dem vierten Kontakt durch die zweite Anschlussfläche gekoppelt ist.