附载体铜箔、积层体、印刷配线板、电子机器及印刷配线板的制造方法

    公开(公告)号:CN106304615B

    公开(公告)日:2019-01-08

    申请号:CN201610465850.8

    申请日:2016-06-23

    Abstract: 本发明涉及附载体铜箔、积层体、印刷配线板、电子机器及印刷配线板的制造方法,具体提供一种极薄铜层的厚度为0.9μm以下的附载体铜箔,其可良好地抑制剥离载体时发生的针孔的产生。本发明的附载体铜箔依序具有载体、中间层及极薄铜层,且极薄铜层的厚度为0.9μm以下,在根据JIS B0601‑1994而利用激光显微镜测定载体的极薄铜层侧表面时,算术平均粗糙度Ra为0.3μm以下,通过按照JIS C 6471 8.1的90°剥离法剥离所述载体时的剥离强度为20N/m以下。

    附载体的金属箔、积层体、印刷配线板的制造方法及电子机器的制造方法

    公开(公告)号:CN107889354A

    公开(公告)日:2018-04-06

    申请号:CN201610866134.0

    申请日:2016-09-29

    Abstract: 本发明提供一种附载体的金属箔,其在对绝缘基板的积层步骤前,载体与金属层的密接力高,另一方面,不存在因对绝缘基板的积层步骤所导致的载体与金属层的密接性的极端上升或下降,且在载体/金属层能够容易地进行剥离。本发明是依序具有载体、含有氧的第一中间层、金属层的附载体的金属箔。附载体的金属箔在利用STEM进行射线分析时,在第一中间层中,10个部位的氧为5at%以上的部分的厚度的平均值为0.5nm以上且30nm以下,标准差/平均值为0.6以下。另外,在进行利用XPS的深度方向分析时,从被剥离的载体的所述第一中间层侧表面起至10个部位的氧成为10at%以下为止的以SiO2换算的深度的平均值为0.5nm以上且30nm以下,标准差/平均值为0.6以下。

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