Abstract:
Adaptive electrostatic discharge (ESD) protection of a device interface has very good ESD robustness when it is handled or when installed into or removed from a system. And has robust immunity to DPI, electromagnetic interference (EMI) and the like, when it is operational in a system. There is a significant capacitive coupling between the drain and gate of a ESD protection metal oxide semiconductor (MOS) device to enhance ESD protection and lower snap back voltage thereof whenever there is no (or a low level) DPI on the external connection to be protected. Whereupon when a significant DPI/EMI signal is detected on the external connection, the capacitive coupling between the drain and gate of the MOS ESD protection device is disconnected, bypassed or attenuated so that DPI/EMI immunity of the device is enhanced.
Abstract:
Eine integrierte Schaltungsanordnung zum Steuern und Messen von elektrischem Strom wird bereitgestellt. Die integrierte Schaltungsanordnung weist eine Haupttransistoranordnung auf, die zum Steuern eines Hauptstroms konfiguriert ist, und eine Vielzahl von Messtransistoranordnungen, die zum Steuern eines kombinierten Messstroms konfiguriert sind. Die Haupttransistoranordnung und die Vielzahl von Messtransistoranordnungen sind mit einem gemeinsamen Gate-Knoten verbunden. Der Einschaltwiderstand der Haupttransistoranordnung ist niedriger als ein kombinierter Einschaltwiderstand der Vielzahl von Messtransistoranordnungen. Die Messtransistoranordnungen sind über zumindest einen Abschnitt der integrierten Schaltung verteilt, um einen Einfluss von zumindest einer lokalen Eigenschaft der integrierten Schaltungsanordnung auf den kombinierten Messstrom zu reduzieren.
Abstract:
An electronic amplifier circuit comprising an operational amplifier circuit, such as a two-stage operational amplifier circuit, in tandem with a operational transconductance amplifier. The electronic amplifier circuit has high open-loop gain and high gain-bandwidth while maintaining stability over a wide range of operating parameters.
Abstract:
A sigma-delta modulator may have a plurality of capacitor pairs, a plurality of switches to couple any pair of capacitors from the plurality of capacitor pairs selectively to an input signal or a reference signal, and a control unit operable to control sampling through the switches to perform a charge transfer in two phases wherein any pair of capacitors can be selected to be assigned to the input signal or the reference signal, and wherein after a plurality of charge transfers a gain error cancellation is performed by rotating the capacitor pairs cyclically such that after a rotation cycle, each capacitor pair has been assigned a first predetermined number of times to the input signal, and has also been assigned a second predetermined number of times to the reference signal.
Abstract:
Eine Stromerfassungsschaltung weist einen Stromerfassungsverstärker und eine Korrekturschaltung auf. Der Stromerfassungsverstärker weist eine Offset-Spannung auf. Die Korrekturschaltung ist ausgebildet, um die Offset-Spannung des Stromerfassungsverstärkers auszuwerten. Die Korrekturschaltung ist weiterhin ausgebildet, um basierend auf der ausgewerteten Offset-Spannung ein Korrektursignal an den Stromerfassungsverstärker auszugeben. Das Korrektursignal dient zum Einstellen der Offset-Spannung.
Abstract:
Un aparato para la reducción de tonos de reposo indeseados mediante la adición de una señal aleatoria de un cuantificador de resolución variable de un convertidor de analógico a digital (ADC) sigma-delta multibit, que comprende: un modulador sigma-delta de M bits, en el que M>1, que comprende un convertidor (114) de digital a analógico (DAC) de M bits, un circuito (118) de suma de tensión analógica que recibe una señal de entrada analógica y que es operativo para añadir una señal de salida del DAC (114) de M bits a la señal de entrada analógica, un filtro (116) en lazo analógico acoplado a la salida del circuito (118) de suma de tensión analógica que genera una suma filtrada de la salida del circuito de suma de tensión analógica, caracterizado por un cuantificador (626, 628, 630) de resolución variable que recibe la suma filtrada del filtro en lazo analógico y que genera señales de salida en una secuencia, un codificador (632) acoplado al cuantificador (626, 628, 630) de resolución variable, en el que el codificador (632) convierte la señal de salida respectiva del cuantificador (626, 628, 630) de resolución variable en unas representaciones binarias respectivas de M bits del mismo y la representación binaria respectiva de M bits se aplica al DAC (114) de M bits, y un generador (222) de secuencia aleatoria acoplado al cuantificador (626, 628, 630) de resolución variable en el que el generador (222) de secuencia aleatoria genera una pluralidad de números N(n) aleatorios en una secuencia, en la que N(n) son números enteros aleatorios y en la que 2<>=N(n)<>=nniv, en la que nniv es una resolución máxima predefinida, mediante lo que se determina una resolución del cuantificador (626, 628, 630) de resolución variable por uno respectivo de la pluralidad de números N(n) aleatorios para cada muestra de tensión analógica respectiva tomada desde la señal de entrada analógica; una referencia de tensión acoplada al cuantificador (626, 628, 630) de resolución variable; y un filtro (108) digital acoplado al codificador (632) y que recibe la representación binaria de M bits desde el mismo.
Abstract:
Adaptive electrostatic discharge (ESD) protection of a device interface has very good ESD robustness when it is handled or when installed into or removed from a system. And has robust immunity to DPI, electromagnetic interference (EMI) and the like, when it is operational in a system. There is a significant capacitive coupling between the drain and gate of a ESD protection metal oxide semiconductor (MOS) device to enhance ESD protection and lower snap back voltage thereof whenever there is no (or a low level) DPI on the external connection to be protected. Whereupon when a significant DPI/EMI signal is detected on the external connection, the capacitive coupling between the drain and gate of the MOS ESD protection device is disconnected, bypassed or attenuated so that DPI/EMI immunity of the device is enhanced.
Abstract:
Ein Low Drop-Out (LDO) weist Spannungseingänge zum Empfangen von Einspeisungen von Spannungsquellen auf. Der LDO-Spannungsregler weist einen geregelten Spannungsausgang, Sperrdioden und eine Schaltung auf, die ausgebildet ist, um Leckverluste von einem ersten Spannungseingang mit einer ersten Sperrdiode zu blockieren, wenn der erste Spannungseingang kleiner als der geregelte Spannungsausgang ist, und um den geregelten Spannungsausgang von dem ersten Spannungseingang und einem zweiten Spannungseingang bereitzustellen.