公开(公告)号：DE102011012928A1

公开(公告)日：2012-09-06

申请号：DE102011012928

申请日：2011-03-03

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LEIRER CHRISTIAN DR ,  BIEBERSDORF ANDREAS DR ,  VOGL ANTON ,  BUTENDEICH RAINER DR ,  RUMBOLZ CHRISTIAN

IPC: H01L33/22 ,  H01L21/205

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilm-Halbleiterkörpers angegeben, das die folgenden Schritte aufweist: – Bereitstellen eines Aufwachssubstrates (1), – Epitaktisches Aufwachsen einer Halbleiterschicht (3) mit trichterförmigen und/oder inversen pyramidenförmigen Vertiefungen (4) auf das Aufwachssubstrat (1), – Verfüllen der Vertiefungen (4) mit einem Halbleitermaterial (6) derart, dass pyramidenförmige Auskoppelstrukturen (13) entstehen, – Aufbringen einer Halbleiterschichtenfolge (7) mit einer aktiven Schicht (8), die zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignet ist, auf den Auskoppelstrukturen (13), – Aufbringen eines Trägers (11) auf die Halbleiterschichtenfolge (7), und – Ablösen zumindest der Halbleiterschicht (3) mit den trichterförmigen und/oder inversen pyramidenförmigen Vertiefungen (4), so dass die pyramidenförmigen Auskoppelstrukturen (13) als Vorsprünge (14) auf einer Strahlungsaustrittsfläche (12) des Dünnfilm-Halbleiterkörpers ausgebildet werden. Weiterhin wird ein Dünnfilm-Halbleiterkörper angegeben.

公开(公告)号：DE102010025608A1

公开(公告)日：2012-01-05

申请号：DE102010025608

申请日：2010-06-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BIEBERSDORF ANDREAS DR ,  MOOSBURGER JUERGEN DR ,  BERGENEK KRISTER DR

IPC: H01L33/50 ,  F21V9/08 ,  H01L33/56 ,  H01L33/58

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauteil (100) angegeben, mit – zumindest einem strahlungsemittierenden Halbleiterbauelement (1); – zumindest einem Konverterelement (2), welches zur Konversion der von dem Halbleiterbauelement (1) emittierten elektromagnetischen Strahlung dient; – zumindest einem Filtermittel (3), welches Filterpartikel (31) umfasst oder mit diesen gebildet ist, wobei – das Filtermittel (3) zumindest einen vorgebbaren Wellenlängenbereich der von dem Halbleiterbauelement (1) emittierten elektromagnetischen Strahlung stärker streut und/oder absorbiert als einen von dem vorgegebenen Wellenlängenbereich verschiedenen Wellenlängenbereich, und – die Filterpartikel (31) einen d50-Wert, in Q0 gemessen, von wenigstens 0,5 nm bis höchstens 500 nm und/oder – die Filterpartikel (31) zumindest stellenweise fadenartig ausgebildet sind und in einem fadenartigen Bereich (31A) einen Durchmesser (D) aufweisen, der wenigstens 0,5 nm und höchstens 500 nm beträgt.

公开(公告)号：DE102011012925A1

公开(公告)日：2012-09-06

申请号：DE102011012925

申请日：2011-03-03

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LEIRER CHRISTIAN DR ,  BIEBERSDORF ANDREAS DR ,  VOGL ANTON ,  HERTKORN JOACHIM DR ,  TAKI TETSUYA DR ,  BUTENDEICH RAINER DR

IPC: H01L33/22 ,  H01L21/205 ,  H01L31/0384

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips mit den folgenden Schritten angegeben: – Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (1) in einer Epitaxieanlage, – epitaktisches Abscheiden zumindest einer Zwischenschicht (2) auf das Aufwachssubstrat (1), – Erzeugen einer dem Aufwachssubstrat (1) abgewandten strukturierten Oberfläche (3) an der dem Aufwachssubstrat (1) abgewandten Seite der Zwischenschicht (2), – epitaktisches Abscheiden einer aktiven Schicht (4) auf die strukturierte Oberfläche (3), wobei – die strukturierte Oberfläche (3) in der Epitaxieanlage erzeugt wird, und – die aktive Schicht (4) der Strukturierung der strukturierten Oberfläche (3) zumindest stellenweise konform oder zumindest stellenweise im Wesentlichen konform folgt.