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    Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilm-Halbleiterkörpers und Dünnfilm-Halbleiterkörper
    1.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilm-Halbleiterkörpers und Dünnfilm-Halbleiterkörper 未知

    公开(公告)号：DE102011012928A1

    公开(公告)日：2012-09-06

    申请号：DE102011012928

    申请日：2011-03-03

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： LEIRER CHRISTIAN DR ,  BIEBERSDORF ANDREAS DR ,  VOGL ANTON ,  BUTENDEICH RAINER DR ,  RUMBOLZ CHRISTIAN

    IPC: H01L33/22 ,  H01L21/205

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilm-Halbleiterkörpers angegeben, das die folgenden Schritte aufweist: – Bereitstellen eines Aufwachssubstrates (1), – Epitaktisches Aufwachsen einer Halbleiterschicht (3) mit trichterförmigen und/oder inversen pyramidenförmigen Vertiefungen (4) auf das Aufwachssubstrat (1), – Verfüllen der Vertiefungen (4) mit einem Halbleitermaterial (6) derart, dass pyramidenförmige Auskoppelstrukturen (13) entstehen, – Aufbringen einer Halbleiterschichtenfolge (7) mit einer aktiven Schicht (8), die zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignet ist, auf den Auskoppelstrukturen (13), – Aufbringen eines Trägers (11) auf die Halbleiterschichtenfolge (7), und – Ablösen zumindest der Halbleiterschicht (3) mit den trichterförmigen und/oder inversen pyramidenförmigen Vertiefungen (4), so dass die pyramidenförmigen Auskoppelstrukturen (13) als Vorsprünge (14) auf einer Strahlungsaustrittsfläche (12) des Dünnfilm-Halbleiterkörpers ausgebildet werden. Weiterhin wird ein Dünnfilm-Halbleiterkörper angegeben.

    Strahlung emittierender Halbleiterchip mit integriertem ESD-Schutz
    2.
    发明专利
    Strahlung emittierender Halbleiterchip mit integriertem ESD-Schutz 未知

    公开(公告)号：DE102011100037A1

    公开(公告)日：2012-10-31

    申请号：DE102011100037

    申请日：2011-04-29

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： BUTENDEICH RAINER DR ,  MEYER TOBIAS ,  PETER MATTHIAS ,  LOEFFLER ANDREAS ,  LEIRER CHRISTIAN

    IPC: H01L33/14 ,  H01L23/60

    Abstract: Es wird ein Strahlung emittierender Halbleiterchip (1) mit einer auf einem Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial basierenden Halbleiterschichtenfolge (2) mit einem pn-Übergang angegeben umfassend – eine erste Schutzschicht (3), die gezielt eingebrachte Kristalldefekte (4) aufweist, – eine zweite Schutzschicht (5), die eine höhere Dotierung (n2) aufweist als die erste Schutzschicht (3), wobei die erste und die zweite Schutzschicht (3, 5) zum Schutz des Halbleiterchips (1) vor elektrostatischen Entladungspulsen vorgesehen sind, – eine aktive Zone (7) zur Strahlungserzeugung, die der ersten und der zweiten Schutzschicht (3, 5) in Wachstumsrichtung (W) nachgeordnet ist, wobei sich im Betrieb des Halbleiterchips (1) ein Durchbruchverhalten der Halbleiterschichtenfolge (2) in Sperrrichtung in Bereichen mit Kristalldefekten (4) von Bereichen ohne Kristalldefekte unterscheidet, und wobei bei elektrostatischen Entladungspulsen elektrische Ladung homogen verteilt über die Bereiche mit Kristalldefekten (4) abgeleitet wird.

    Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung
    3.
    发明专利
    Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung 未知

    公开(公告)号：DE102009060750B4

    公开(公告)日：2025-04-10

    申请号：DE102009060750

    申请日：2009-12-30

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： BUTENDEICH RAINER DR ,  WALTER ALEXANDER DR ,  PETER MATTHIAS DR ,  MEYER TOBIAS ,  TAKI TETSUYA DR ,  MAIWALD HUBERT

    IPC: H01L23/60 ,  H10H20/81 ,  H10H20/82

    Abstract: Optoelektronischer Halbleiterchip (100) mit- einer ersten Halbleiterschichtenfolge (1), die eine Vielzahl von Mikrodioden (11) umfasst, und- einer zweiten Halbleiterschichtenfolge (2), die einen aktiven Bereich (12) umfasst, wobei- die erste Halbleiterschichtenfolge (1) und die zweite Halbleiterschichtenfolge (2) auf einem Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial basieren,- die erste Halbleiterschichtenfolge (1) der zweiten Halbleiterschichtenfolge (2) in Wachstumsrichtung vorgelagert ist,- die Mikrodioden (11) einen ESD-Schutz für den aktiven Bereich (12) bilden,- zumindest eine der Mikrodioden (11) einen pn-Übergang umfasst,- der aktive Bereich (12) zumindest einen pn-Übergang umfasst,- der pn-Übergang der Mikrodiode (11) und der pn-Übergang des aktiven Bereichs (12) gleichgerichtet sind,- der pn-Übergang der Mikrodiode (11) eine niedrigere Durchbruchsspannung (UBR) in Sperrrichtung aufweist als der pn-Übergang des aktiven Bereichs (12), und- wenigstens 75% der Mikrodioden (11) innerhalb einer ESD-Schicht (9) angeordnet sind, die eine Dicke (d9) von wenigstens der Hälfte und höchstens des Dreifachen der Dicke des aktiven Bereichs (11) aufweist.

    Halbleiterchip
    4.
    发明专利
    Halbleiterchip 未知

    公开(公告)号：DE102009060747B4

    公开(公告)日：2025-01-09

    申请号：DE102009060747

    申请日：2009-12-30

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： PETER MATTHIAS DR ,  MEYER TOBIAS ,  WALTER ALEXANDER ,  TAKI TETSUYA DR ,  OFF JÜRGEN DR ,  BUTENDEICH RAINER DR ,  HERTKORN JOACHIM DR

    IPC: H10H20/812 ,  H10D62/815

    Abstract: Halbleiterchip (1), der einen Halbleiterkörper (2) mit einer Halbleiterschichtenfolge aufweist, wobei- die Halbleiterschichtenfolge eine n-leitende Mehrschichtstruktur (21), eine p-leitende Halbleiterschicht (22) und einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20), der zwischen der n-leitenden Mehrschichtstruktur (21) und der p-leitenden Halbleiterschicht (22) angeordnet ist, aufweist;- in der n-leitenden Mehrschichtstruktur (21) ein Dotierprofil ausgebildet ist, das zumindest eine Dotierspitze (4) aufweist,- die n-leitende Mehrschichtstruktur (21) eine Quantenstruktur mit einer Mehrzahl von Quantenschichten (211) aufweist, die zwischen Barriereschichten (212) angeordnet sind,- das Dotierprofil eine weitere Dotierspitze (41) aufweist,- ein Teilbereich (216) der Quantenstruktur der n-leitenden Mehrschichtstruktur (21) mittels der weiteren Dotierspitze (41) eine hohe Dotierkonzentration aufweist, und- zwischen der weiteren Dotierspitze (41) und der Dotierspitze (4) ein niedrig n-leitend dotierter Bereich (45) der Quantenstruktur ausgebildet ist, wobei der niedrig n-leitend dotierte Bereich (45) mindestens eine Quantenschicht (211) und mindestens eine Barriereschicht (212) enthält.

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