公开(公告)号：DE102010035489A1

公开(公告)日：2012-03-01

申请号：DE102010035489

申请日：2010-08-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STAUS PETER DR ,  HERTKORN JOACHIM DR ,  DRECHSEL PHILIPP

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/32

Abstract: Es wird ein Halbleiterbauelement mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) aus einem nitridischen Verbindungshalbleitermaterial auf einem Substrat (1) angegeben, wobei das Substrat (1) eine der Halbleiterschichtenfolge (2) zugewandte Silizium-Oberfläche aufweist und die Halbleiterschichtenfolge (2) einen aktiven Bereich (21) und zwischen dem Substrat (1) und dem aktiven Bereich (21) zumindest eine Zwischenschicht (3) aus einem sauerstoffdotierten AlN-Verbindungshalbleitermaterial aufweist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements angegeben.

公开(公告)号：DE102011012298A1

公开(公告)日：2012-06-28

申请号：DE102011012298

申请日：2011-02-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BAUR JOHANNES DR ,  HAERLE VOLKER DR ,  HAHN BERTHOLD DR ,  ENGL KARL DR ,  HERTKORN JOACHIM DR ,  TAKI TETSUYA DR

IPC: H01L33/50 ,  H01L21/58 ,  H01L33/52 ,  H01L33/60

Abstract: Es wird ein Verbundsubstrat (1) mit einem Träger (2) und einer Nutzschicht (5) angegeben, wobei die Nutzschicht mittels einer dielektrischen Verbindungsschicht (3) an dem Träger (2) befestigt ist und der Träger (2) ein Strahlungskonversionsmaterial enthält. Weiterhin werden ein Halbleiterchip (10) mit einem solchen Verbundsubstrat, ein Verfahren zur Herstellung eines Verbundsubstrats sowie ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips mit einem Verbundsubstrat angegeben.

公开(公告)号：DE102009060747B4

公开(公告)日：2025-01-09

申请号：DE102009060747

申请日：2009-12-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PETER MATTHIAS DR ,  MEYER TOBIAS ,  WALTER ALEXANDER ,  TAKI TETSUYA DR ,  OFF JÜRGEN DR ,  BUTENDEICH RAINER DR ,  HERTKORN JOACHIM DR

IPC: H10H20/812 ,  H10D62/815

Abstract: Halbleiterchip (1), der einen Halbleiterkörper (2) mit einer Halbleiterschichtenfolge aufweist, wobei- die Halbleiterschichtenfolge eine n-leitende Mehrschichtstruktur (21), eine p-leitende Halbleiterschicht (22) und einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20), der zwischen der n-leitenden Mehrschichtstruktur (21) und der p-leitenden Halbleiterschicht (22) angeordnet ist, aufweist;- in der n-leitenden Mehrschichtstruktur (21) ein Dotierprofil ausgebildet ist, das zumindest eine Dotierspitze (4) aufweist,- die n-leitende Mehrschichtstruktur (21) eine Quantenstruktur mit einer Mehrzahl von Quantenschichten (211) aufweist, die zwischen Barriereschichten (212) angeordnet sind,- das Dotierprofil eine weitere Dotierspitze (41) aufweist,- ein Teilbereich (216) der Quantenstruktur der n-leitenden Mehrschichtstruktur (21) mittels der weiteren Dotierspitze (41) eine hohe Dotierkonzentration aufweist, und- zwischen der weiteren Dotierspitze (41) und der Dotierspitze (4) ein niedrig n-leitend dotierter Bereich (45) der Quantenstruktur ausgebildet ist, wobei der niedrig n-leitend dotierte Bereich (45) mindestens eine Quantenschicht (211) und mindestens eine Barriereschicht (212) enthält.

公开(公告)号：DE102010048617A1

公开(公告)日：2012-04-19

申请号：DE102010048617

申请日：2010-10-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERTKORN JOACHIM DR ,  TAKI TETSUYA DR ,  OFF JUERGEN DR

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/028

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschichtenfolge auf Basis von Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial und mit einer mikrostrukturierten Außenfläche sowie ein damit hergestellter Halbleiterchip und ein optoelektronisches Bauteil mit einem derartigen Halbleiterchip angegeben. Das Verfahren umfasst folgende Schritte: A) Aufwachsen zumindest einer ersten Halbleiterschicht der Halbleiterschichtenfolge auf einem Substrat; B) Aufbringen einer Ätzstoppschicht auf der ersten Halbleiterschicht; C) Aufwachsen zumindest einer weiteren Halbleiterschicht auf der in Schritt B) erhaltenen Schichtenfolge; D) Trennen der Halbleiterschichtenfolge vom Substrat, indem dem eine Trennzone der Halbleiterschichtenfolge zumindest teilweise entfernt wird; E) Ätzen der erhaltenen Trennfläche der Halbleiterschichtenfolge mittels eines Ätzmittels, so dass eine Mikrostrukturierung der ersten Halbleiterschicht erfolgt und die mikrostrukturierte Außenfläche gebildet wird.

公开(公告)号：DE102011012925A1

公开(公告)日：2012-09-06

申请号：DE102011012925

申请日：2011-03-03

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LEIRER CHRISTIAN DR ,  BIEBERSDORF ANDREAS DR ,  VOGL ANTON ,  HERTKORN JOACHIM DR ,  TAKI TETSUYA DR ,  BUTENDEICH RAINER DR

IPC: H01L33/22 ,  H01L21/205 ,  H01L31/0384

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips mit den folgenden Schritten angegeben: – Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (1) in einer Epitaxieanlage, – epitaktisches Abscheiden zumindest einer Zwischenschicht (2) auf das Aufwachssubstrat (1), – Erzeugen einer dem Aufwachssubstrat (1) abgewandten strukturierten Oberfläche (3) an der dem Aufwachssubstrat (1) abgewandten Seite der Zwischenschicht (2), – epitaktisches Abscheiden einer aktiven Schicht (4) auf die strukturierte Oberfläche (3), wobei – die strukturierte Oberfläche (3) in der Epitaxieanlage erzeugt wird, und – die aktive Schicht (4) der Strukturierung der strukturierten Oberfläche (3) zumindest stellenweise konform oder zumindest stellenweise im Wesentlichen konform folgt.

公开(公告)号：DE102011010751A1

公开(公告)日：2012-08-09

申请号：DE102011010751

申请日：2011-02-09

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERTKORN JOACHIM DR ,  TAKI TETSUYA DR ,  ENGL KARL DR ,  BAUR JOHANNES DR ,  HAHN BERTHOLD DR ,  HAERLE VOLKER DR

IPC: C30B25/18 ,  H01L21/205

Abstract: Ein epitaktisches Aufwachsen erfolgt auf Halbleiterschichten (1), die mit Metallsubstraten (2) verbunden sind. Statt durch Wärmeübertragung von einem Träger (3) können die Metallsubstrate (2) direkt, insbesondere induktiv, zum Beispiel mittels einer Hochfrequenz-Heizung (4), geheizt werden, um die Halbleiterschichten (1) auf die für die Epitaxie vorgesehene Temperatur zu bringen.

公开(公告)号：DE102009060747A1

公开(公告)日：2011-07-07

申请号：DE102009060747

申请日：2009-12-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PETER MATTHIAS DR ,  MEYER TOBIAS ,  WALTER ALEXANDER ,  TAKI TETSUYA DR ,  OFF JUERGEN DR ,  BUTENDEICH RAINER DR ,  HERTKORN JOACHIM DR

IPC: H01L33/06

Abstract: Es wird ein Halbleiterchip (1) angegeben, der einen Halbleiterkörper (2) mit einer Halbleiterschichtenfolge aufweist, wobei ein zur Erzeugung von Strahlung vorgesehener aktiver Bereich (20) zwischen einer n-leitenden Mehrschichtstruktur (21) und einer p-leitenden Halbleiterschicht (22) angeordnet ist. In der n-leitenden Mehrschichtstruktur ist ein Dotierprofil ausgebildet, das zumindest eine Dotierspitze (4) aufweist.