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公开(公告)号：JP2014057113A
公开(公告)日：2014-03-27
申请号：JP2013269316
申请日：2013-12-26
Applicant: Osram Opto Semiconductors Gmbh , オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH
Inventor： LELL ALFRED , EICHLER CHRISTOPH , RUMBOLZ CHRISTIAN
CPC classification number: H01L33/44 , H01L2924/0002 , H01S5/2022 , H01S5/22 , H01S5/2205 , H01S5/2218 , H01S5/222 , H01L2924/00
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a radiation-emitting semiconductor chip with an improved light extraction efficiency.SOLUTION: The invention relates to a radiation-emitting semiconductor chip (1), comprising an active zone (2) for generating radiation having a wavelength λ and a patterned region (3) having irregularly arranged pattern elements. The pattern elements contain a first material having a first refractive index n, and are surrounded by a medium comprising a second material having a second refractive index n. The invention relates to a method for producing the radiation-emitting semiconductor chip.
Abstract translation: 要解决的问题：提供具有改进的光提取效率的辐射发射半导体芯片。解决方案：本发明涉及一种辐射发射半导体芯片（1），其包括用于产生具有波长λ的辐射的有源区（2） 以及具有不规则排列的图案元件的图案区域（3）。 图案元件包含具有第一折射率n的第一材料，并且被包括具有第二折射率n的第二材料的介质包围。 本发明涉及一种用于制造辐射发射半导体芯片的方法。
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公开(公告)号：JP2008091910A
公开(公告)日：2008-04-17
申请号：JP2007251152
申请日：2007-09-27
Applicant: Osram Opto Semiconductors Gmbh , オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH
Inventor： EICHLER CHRISTOPH , LELL ALFRED , RUMBOLZ CHRISTIAN
IPC: H01S5/20
CPC classification number: H01S5/2232 , H01S5/1064 , H01S5/1237 , H01S5/2022 , H01S5/22 , H01S5/2205 , H01S5/2214 , H01S5/2216 , H01S5/2219 , H01S5/222 , H01S5/2231 , H01S5/32341 , H01S2301/166 , H01S2304/12
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor laser having not only comparatively high radiation quality but also improved in electrical characteristics.
SOLUTION: There is provided the semiconductor laser 1 having: a semiconductor layer 2 in a row direction including an active region 3 to generate electromagnetic radiations; and an absorption region 4 to attenuate the higher mode. The absorption region 4 is disposed on the semiconductor layer 2 in the row direction or adjacent thereto.
COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPITAbstract translation: 要解决的问题：提供不仅具有相对较高的辐射质量但也改善了电特性的半导体激光器。 解决方案：提供半导体激光器1，其具有：包括有源区域3的行方向的半导体层2，以产生电磁辐射; 以及用于衰减较高模式的吸收区域4。 吸收区域4在行方向或与其相邻配置在半导体层2上。 版权所有（C）2008，JPO＆INPIT
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公开(公告)号：JP2008016845A
公开(公告)日：2008-01-24
申请号：JP2007172103
申请日：2007-06-29
Applicant: Osram Opto Semiconductors Gmbh , オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH
Inventor： EICHLER CHRISTOPH , HAERLE VOLKER , RUMBOLZ CHRISTIAN , STRAUS UWE
IPC: H01S5/02
CPC classification number: H01S5/32341 , H01L33/0079 , H01S5/0216 , H01S5/0217 , H01S5/2004 , H01S5/2214 , H01S5/2216 , H01S5/2218 , H01S5/2231 , H01S5/2232 , H01S5/3213 , H01S5/3214 , H01S2301/173
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an improved edge-emitting semiconductor laser chip and optimize a distortion and a waveguide property in a semiconductor laser.
SOLUTION: There is provided an edge emitting semiconductor laser chip, including a support substrate (1) and an intermediate layer (2), wherein the intermediate layer (2) intermediates an adhesion between the support substrate (1) and an element structure (50) of the edge-emitting semiconductor laser chip, and at that time, the element structure (50) has an active region (5) provided for beam formation.
COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPITAbstract translation: 要解决的问题：提供一种改进的边缘发射半导体激光器芯片，并优化半导体激光器中的失真和波导特性。 提供了一种边缘发射半导体激光器芯片，其包括支撑衬底（1）和中间层（2），其中中间层（2）将支撑衬底（1）和元件 边缘发射半导体激光器芯片的结构（50），此时元件结构（50）具有用于光束形成的有源区（5）。 版权所有（C）2008，JPO＆INPIT
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公开(公告)号：DE112015004757A5
公开(公告)日：2017-09-07
申请号：DE112015004757
申请日：2015-09-21
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： RUMBOLZ CHRISTIAN , GERHARD SVEN
IPC: H01S5/20 , H01L21/762
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公开(公告)号：DE102006060410A1
公开(公告)日：2008-01-03
申请号：DE102006060410
申请日：2006-12-20
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： EICHLER CHRISTOPH , HAERLE VOLKER , RUMBOLZ CHRISTIAN , STRAUS UWE
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE102007063957B3
公开(公告)日：2022-10-27
申请号：DE102007063957
申请日：2007-12-14
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： LELL ALFRED , EICHLER CHRISTOPH DR , RUMBOLZ CHRISTIAN
Abstract: Strahlung emittierender Halbleiterchip (1) mit- einer aktiven Zone (2) zur Erzeugung von Strahlung der Wellenlänge λ,- einem strukturierten Bereich (3) mit unregelmäßig angeordneten Strukturelementen, die ein erstes Material mit einem ersten Brechungsindex n1enthalten und die von einem Medium umgeben sind, das ein zweites Material mit einem zweiten Brechungsindex n2aufweist, wobei- die Dicke einer Zwischenschicht, welche die Strukturelemente und das Medium aufweist, einer maximalen Höhe der Strukturelemente entspricht, wobei für einen effektiven Brechungsindex neff der Zwischenschicht n2
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公开(公告)号：DE102018107615A1
公开(公告)日：2019-03-07
申请号：DE102018107615
申请日：2018-03-29
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： BRÖLL MARKUS , HUBER MICHAEL , SOMMERFELD JANA , HERZ MARTIN , HOIBL SEBASTIAN , RUMBOLZ CHRISTIAN , KIESLICH ALBRECHT , BÖHM BERND , ROSSBACH GEORG
Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips mit den folgenden Schritten angegeben:- Bereitstellen eines Halbleiterkörpers (1) mit einer Strahlungsdurchtrittsfläche (1a), und- Einbringen von Strukturen (2) in den Halbleiterkörper (1) an der Strahlungsdurchtrittsfläche (1a), wobei- die Strukturen (2) quasi-regelmäßig angeordnet werden.
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公开(公告)号：DE102015102300A1
公开(公告)日：2016-08-18
申请号：DE102015102300
申请日：2015-02-18
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： MÜLLER JENS , STEPHAN CHRISTOPH , WALTER ROBERT , HARTAUER STEFAN , RUMBOLZ CHRISTIAN
IPC: H01L21/3105 , H01L21/311 , H01S5/026
Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen einer Oberfläche mit einem ersten Bereich und einem an den ersten Bereich angrenzenden zweiten Bereich, zum Anordnen einer Opferschicht über dem ersten Bereich der Oberfläche, zum Anordnen einer Passivierungsschicht über der Opferschicht und dem zweiten Bereich der Oberfläche, zum Anlegen einer Öffnung in der Passivierungsschicht über den ersten Bereich der Oberfläche und zum Entfernen der Opferschicht.
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9.发明申请
公开(公告)号：WO2016062477A2
公开(公告)日：2016-04-28
申请号：PCT/EP2015071610
申请日：2015-09-21
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： RUMBOLZ CHRISTIAN , GERHARD SVEN
IPC: H01S5/20
CPC classification number: H01S5/2081 , H01L21/76232 , H01S5/0224 , H01S5/22
Abstract: The invention relates to a method for patterning a sequence of layers and to a semiconductor laser device. In said method, at least one trench (4) is created in the sequence of layers (10) by two plasma etching methods. The semiconductor laser device comprises a sequence of layers (10), which is formed using a semiconductor material, and two trenches (4) in the sequence of layers (10), said trenches laterally delimiting a ridge waveguide (30). Each of the trenches (4) is delimited on the side facing away from the ridge waveguide (30) by a region (A) of the sequence of layers (10).
Abstract translation: 提供了用于构建的层序列以及一个半导体激光装置的方法。 在该方法中，生成由两个等离子蚀刻至少层序列（10）中的沟槽（4）中进行。 该半导体激光装置包括一系列的层（10）的其与半导体材料形成，并且该层序列中的两个槽（4）（10）限定了脊形波导（30）横向地，每个所述沟槽（4）在其面向所述 是从一个区域背对限制脊形波导（30）侧的（a）层序列（10）的。
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公开(公告)号：PL2193556T3
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：PL08834637
申请日：2008-08-27
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： LELL ALFRED , EICHLER CHRISTOPH , RUMBOLZ CHRISTIAN
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