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    LEUCHTE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER LEUCHTE
    3.
    发明专利
    LEUCHTE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER LEUCHTE 未知

    公开(公告)号：DE102012200973A1

    公开(公告)日：2013-07-25

    申请号：DE102012200973

    申请日：2012-01-24

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： BLEICHER THOMAS ,  MOENCH WOLFGANG

    IPC: H01L33/48 ,  H01L25/075 ,  H01L33/50

    Abstract: Eine erfindungsgemäße Teilleuchte (202, 204, 206, 208, 210) weist ein Substrat (102) auf, auf dem mindestens ein Halbleiterchip (104, 104a, 104b) zur Emission elektromagnetischer Strahlung angeordnet ist. Ein elastischer Wellenleiter (106) zur Durchmischung der elektromagnetischen Strahlung, ist dem mindestens einen Halbleiterchip (104, 104a, 104b) in Abstrahlrichtung nachgeordnet. Der elastische Wellenleiter (106) steht an mindestens einer seiner Seitenflächen (111) um insbesondere etwa 10µm bis etwa 100µm über das Substrat (102) über. Eine erfindungsgemäße Leuchte (302, 304, 306, 308, 310) weist mindestens zwei der oben genannten Teilleuchten (202, 204, 206, 208, 210) auf. Die elastischen Wellenleiter (106) benachbarter Teilleuchten (202, 204, 206, 208, 210) sind spaltlos aneinander gefügt. Die Erfindung betrifft darüber hinaus ein Verfahren zur Herstellung einer Teilleuchte (202, 204, 206, 208, 210) und ein Verfahren zur Herstellung einer Leuchte (302, 304, 306, 308, 310).

    METHOD FOR GROWING SEMICONDUCTOR LAYERS
    7.
    发明申请
    METHOD FOR GROWING SEMICONDUCTOR LAYERS 审中-公开
    程序半导体层的成长

    公开(公告)号：WO2016050605A3

    公开(公告)日：2016-05-26

    申请号：PCT/EP2015071996

    申请日：2015-09-24

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： BEHRES ALEXANDER ,  LUGAUER HANS-JÜRGEN ,  MOOSBURGER JÜRGEN ,  BLEICHER THOMAS ,  LAUX HARALD ,  SABATHIL MATTHIAS

    IPC: H01L21/66 ,  C23C14/50 ,  C23C16/48 ,  C30B25/10 ,  C30B25/12 ,  C30B25/16 ,  H01L21/20 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687

    CPC classification number: H01L21/67248 ,  C23C14/505 ,  C23C14/541 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/481 ,  C23C16/483 ,  C23C16/52 ,  C30B25/105 ,  C30B25/12 ,  C30B25/16 ,  C30B29/06 ,  C30B29/40 ,  H01L21/68771 ,  H01L22/12

    Abstract: Disclosed is a method for growing semiconductor layers. In a step A, a support (1) is provided. In a step B, at least one substrate (2) is placed onto the support (1). Then in a step C, a growing process is carried out in which a semiconductor layer sequence (20) is grown on a main side of the substrate (2) facing away from the support (1). The fully grown semiconductor layer sequence (20) emits electromagnetic radiation during the intended operation. In an additional step D, a temperature-measuring process is carried out in which a temperature profile (3) of the substrate (2) which is present in the substrate (2) during the growing process is determined. Additionally, a step E is carried out in which the support (1) and/or the substrate (2) are processed in a controlled manner prior to or during the growing process. As a result, the temperature in selected regions of the substrate (2) is changed and an emissions profile of the fully grown semiconductor layer sequence (20) is leveled out.

    Abstract translation: 公开了一种用于半导体层的生长的方法。 在这种情况下，在步骤A中，载体（1）设置。 在步骤B中，至少施加在所述支承件（1）的基板（2）。 此外，在步骤C中，生长过程中进行，其中从该衬底（2）的所述支承件（1）主侧背离的半导体层序列（20）生长。 在电磁辐射的正常操作所发出的准备生长半导体层序列（20）。 在进一步的步骤D中，进行的温度测量方法，其中所述基板（2）的温度分布（3），其在所述基板（2）的生长过程中发生被确定。 此外，执行步骤E中，其中所述载体（1）和/或所述衬底（2）被选择性地之前或在生长过程中进行处理。 其特征在于所述温度在所述基板（2）的选择区域改变并且平滑Emissionssprofil完全生长的半导体层序列（20）。

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