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    LIGHT-EMITTING DIODE ASSEMBLY AND METHOD FOR PRODUCING A LIGHT-EMITTING DIODE ASSEMBLY
    3.
    发明申请
    LIGHT-EMITTING DIODE ASSEMBLY AND METHOD FOR PRODUCING A LIGHT-EMITTING DIODE ASSEMBLY 审中-公开
    LUMINESZENZDIODENANORDNUNG及其制造方法LUMINESZENZDIODENANORDNUNG

    公开(公告)号：WO2016170151A3

    公开(公告)日：2016-12-15

    申请号：PCT/EP2016059073

    申请日：2016-04-22

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SINGER FRANK ,  MOOSBURGER JÜRGEN ,  VON MALM NORWIN ,  DIRSCHERL GEORG

    IPC: H01L33/54 ,  H01L25/075 ,  H01L33/50 ,  H01L33/56

    CPC classification number: H01L33/56 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/505 ,  H01L33/54 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005

    Abstract: The invention relates to a light-emitting diode assembly (1) having: at least one first light-emitting diode chip (2) with a first radiation output surface (3), the chip being designed to emit radiation via the radiation output surface (3); and at least one hybrid polymer (4) positioned in the beam path of the first light-emitting diode chip (2), the hybrid polymer (4) having organic and inorganic regions covalently bonded to one another and said hybrid polymer (4) being thermally- and/or radiation cross-linked. The first radiation output surface (3) and the hybrid polymer (4) are in direct mechanical contact.

    Abstract translation: 本发明涉及一种Lumineszenzdiodenanordnung（1），包括至少一个第一LED芯片（2），具有第一辐射出射表面（3），其被布置在所述辐射出射表面（3）上对辐射的发射，至少一个杂化聚合物（4），在第一的光束路径 LED芯片（2）布置，所述混合聚合物（4），其共价连接在一起的有机和无机的区域，所述混合聚合物（4）是热和/或通过辐射交联，所述第一辐射出射表面（3）和所述的杂化聚合物 （4）在直接机械接触。

    LIGHT-EMITTING DIODE CHIP
    4.
    发明申请
    LIGHT-EMITTING DIODE CHIP 审中-公开
    LEDS CHIP

    公开(公告)号：WO2012028460A2

    公开(公告)日：2012-03-08

    申请号：PCT/EP2011064185

    申请日：2011-08-17

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  HOEPPEL LUTZ ,  VON MALM NORWIN ,  SABATHIL MATTHIAS

    Inventor： HOEPPEL LUTZ ,  VON MALM NORWIN ,  SABATHIL MATTHIAS

    IPC: H01L33/22 ,  H01L25/075 ,  H01L33/00

    CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L33/0079

    Abstract: A light-emitting diode chip is specified, comprising - a semiconductor body (1) comprising a radiation-generating active region (13), - at least two contact locations (2a, 2b) for making electrical contact with the active region, - a carrier (3) and - a connecting means (4), arranged between the carrier (3) and the semiconductor body (1), wherein - the semiconductor body (1) has a roughening (15) at its outer surfaces facing the carrier (3), - the semiconductor body (1) is mechanically connected to the carrier (3) by means of the connecting means (4), - the connecting means (4) is in direct contact with the semiconductor body (1) and the carrier (3) in some locations, and - the at least two contact locations (2a, 2b) are arranged at the top side of the semiconductor body (1) that faces away from the carrier (3).

    Abstract translation: 本发明公开了一种发光二极管芯片，包括： - 一个半导体本体（1），其包括产生辐射的有源区（13）， - 至少两个垫（2A，2B），用于电接触所述有源区， - 支承件（3），以及 - 一个 连接装置（4），其被布置在所述支撑件（3）和半导体本体（1）之间， - 具有半导体主体（1）在其面向（3）的面向粗糙化（15）的外表面的支撑侧， - 在半导体本体（1） 通过连接装置的装置（4）机械地连接到所述载体（3）， - 在与所述半导体基体直接接触的地方，所述连接装置（4）（1）与所述支撑件（3），以及 - 所述至少两个接触点（2A，2B ）布置在背对半导体本体（1）的上侧的载体（3）上。

    LEUCHTSTOFFFOLIE, VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER LEUCHTSTOFFFOLIE, OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT, VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS
    5.
    发明专利
    LEUCHTSTOFFFOLIE, VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER LEUCHTSTOFFFOLIE, OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT, VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS 未知

    公开(公告)号：DE112018007262T5

    公开(公告)日：2020-12-31

    申请号：DE112018007262

    申请日：2018-03-12

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： LIM KENG CHONG ,  VON MALM NORWIN

    IPC: H01L33/50

    Abstract: Es wird eine Leuchtstofffolie (6) bereitgestellt, die die folgenden Elemente enthält:- eine erste Polymerfolie (1) eines ersten Polymermaterials, das teilweise ausgehärtet ist,- eine zweite Polymerfolie (4) eines zweiten Polymermaterials, das teilweise ausgehärtet ist, und- eine Leuchtstoffschicht (4), die Leuchtstoffpartikel mit einer Vielzahl von ersten Leuchtstoffpartikel umfasst, wobei die ersten Leuchtstoffpartikel elektromagnetische Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs in elektromagnetische Strahlung eines zweiten Wellenlängenbereichs umwandeln,wobeidie Leuchtstoffschicht (3) sandwichartig zwischen der ersten Polymerfolie (1) und der zweiten Polymerfolie (4) angeordnet ist.Weiterhin werden ein Verfahren zur Herstellung einer Leuchtstofffolie (6), ein optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements angegeben.

    Optoelektronisches Halbleiterbauelement
    9.
    发明专利
    Optoelektronisches Halbleiterbauelement 未知

    公开(公告)号：DE102014101492A1

    公开(公告)日：2015-08-06

    申请号：DE102014101492

    申请日：2014-02-06

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HERRMANN SIEGFRIED ,  MOOSBURGER JÜRGEN ,  ILLEK STEFAN ,  SINGER FRANK ,  VON MALM NORWIN

    IPC: H01L33/62 ,  H01L33/48

    Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) angegeben, mit: – einem optoelektronischen Halbleiterchip (2), umfassend – ein Aufwachssubstrat (21) mit einer Aufwachsfläche (21a), – eine auf der Aufwachsfläche (21a) aufgewachsene Schichtenfolge (22) mit einer Halbleiterschichtenfolge (221, 222, 223) mit einer aktiven Zone (222), – Kontaktstellen (29) zur elektrischen Kontaktierung der Halbleiterschichtenfolge (221, 222, 223) und – eine Isolationsschicht (26), die elektrisch isolierend ausgebildet ist – einem Anschlussträger (4), der an der der Aufwachsfläche (21a) abgewandten Deckfläche (2a) des optoelektronischen Halbleiterchips angebracht ist, wobei – die Halbleiterschichtenfolge (221, 222, 223) elektrisch leitend mit dem Anschlussträger (4) verbunden ist und – auf einer der Aufwachsfläche (21a) abgewandten Bodenfläche (21c) des Aufwachssubstrats (21) und allen Seitenflächen (21b) des Aufwachssubstrats (21) eine Konversionsschicht (5) aufgebracht ist.

    Photovoltaischer Halbleiterchip
    10.
    发明专利
    Photovoltaischer Halbleiterchip 未知

    公开(公告)号：DE102011115659A1

    公开(公告)日：2013-03-28

    申请号：DE102011115659

    申请日：2011-09-28

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： VON MALM NORWIN ,  LUGAUER HANS-JUERGEN

    IPC: H01L31/06 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/05 ,  H01L31/052 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/0735

    Abstract: Es wird ein photovoltaischer Halbleiterchip (1) mit einem Halbleiterkörper (2), der eine Halbleiterschichtenfolge mit einem zur Erzeugung von elektrischer Energie vorgesehenen aktiven Bereich (20) aufweist, angegeben. Der aktive Bereich (20) ist zwischen einer ersten Halbleiterschicht (21) eines ersten Leitungstyps und einer zweiten Halbleiterschicht (22) eines vom ersten Leitungstyp verschiedenen zweiten Leitungstyps ausgebildet ist. Der Halbleiterkörper (2) ist auf einem Trägerkörper (5) angeordnet. Die erste Halbleiterschicht (21) ist auf der dem Trägerkörper (5) abgewandten Seite der zweiten Halbleiterschicht (22) angeordnet. Der Halbleiterkörper (2) weist zumindest eine Ausnehmung (25) auf, die sich vom Trägerkörper (5) durch die zweite Halbleiterschicht (22) hindurch erstreckt. Zumindest bereichsweise zwischen dem Trägerkörper (5) und dem Halbleiterkörper (2) ist eine erste Anschlussstruktur (31) angeordnet, die in der Ausnehmung (25) mit der ersten Halbleiterschicht (21) elektrisch leitend verbunden ist.

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