公开(公告)号：DE10340271B4

公开(公告)日：2019-01-17

申请号：DE10340271

申请日：2003-08-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BAUR JOHANNES DR ,  HÄRLE VOLKER DR ,  HAHN BERTHOLD DR

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/22 ,  H01L33/40 ,  H01L33/58

Abstract: Dünnschicht-Leuchtdiodenchip (5) mit- einer auf einem Trägerelement (3) angeordneten Epitaxieschichtenfolge (8), die eine eine elektromagnetische Strahlung erzeugende aktive Zone (10) aufweist,- einer an einer zu dem Trägerelement (3) hin gewandten Hauptfläche der Epitaxieschichtenfolge (8) angeordneten reflektierenden Schicht (4), die zumindest einen Teil der in der Epitaxieschichtenfolge (8) erzeugten elektromagnetischen Strahlung in diese zurückreflektiert, und- einer auf einer vom Trägerelement (3) abgewandten Strahlungsauskoppelfläche (9) der Epitaxieschichtenfolge (8) angeordneten, aus einer Spin-on-Glas-Schicht gebildeten und das Spin-on-Glas enthaltenden strukturierten Schicht (2), wobei- die strukturierte Schicht (2) eine Strukturierung aufweist, die nebeneinanderliegende, sich in Richtung von der Strahlungsauskoppelfläche (9) weg verjüngende Vorsprünge (7) umfaßt, die ein laterales Rastermaß kleiner als eine Wellenlänge einer aus der Epitaxieschichtenfolge (8) emittierten elektromagnetischen Strahlung aufweisen und von außen gesehen konvex gekrümmt sind, und- die Strukturierung sich nicht in die Epitaxieschichtenfolge (8) hinein erstreckt.

公开(公告)号：DE10039433B4

公开(公告)日：2017-10-26

申请号：DE10039433

申请日：2000-08-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STRAUSS UWE DR ,  VÖLKL JOHANNES DR ,  BAUR JOHANNES DR ,  EISERT DOMINIK DR ,  FEHRER MICHAEL DR ,  HAHN BERTHOLD DR ,  HÄRLE VOLKER DR ,  JACOB ULRICH DR ,  PLASS WERNER ,  ZEHNDER ULRICH DR

IPC: H01L33/24 ,  H01L33/20

Abstract: Halbleiterchip für die Optoelektronik mit einer aktiven Schicht (2), die eine Photonen emittierende Zone umfaßt, einem für die Photonen transparenten Substrat (3), auf dem die aktive Schicht (2) angeordnet ist, und mit Querseiten (9) und Längsseiten (6), die den Halbleiterchip in den Erstreckungsrichtungen der aktiven Zone seitlich begrenzen, wobei die Längsseiten (6) als Auskoppelflächen für die Photonen dienen und in Erstreckungsrichtung der aktiven Zone jeweils länger als die Querseiten (9) sind, und sich das Substrat (3) zu einer der aktiven Schicht (2) gegenüberliegenden Grundfläche hin verjüngt, wobei das Substrat (3) eine schräge Seitenfläche aufweist, die zur Grundfläche hin in eine senkrecht zur aktiven Schicht (2) verlaufende Seitenfläche übergeht.

公开(公告)号：DE102011013052A1

公开(公告)日：2012-09-06

申请号：DE102011013052

申请日：2011-03-04

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HAHN BERTHOLD DR ,  LEBER ANDREAS

IPC: H01L33/52 ,  H01L21/56 ,  H01L25/075 ,  H01S5/02

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung zumindest eines optoelektronischen Halbleiterbauelements mit den folgenden Schritten angegeben: a) Bereitstellen eines Trägers (1), welcher eine erste Oberfläche (11) und eine der ersten Oberfläche (11) gegenüberliegende zweite Oberfläche (12) aufweist; b) Anordnen von zumindest einem optoelektronischen Halbleiterchip (2) an der ersten Oberfläche (11) des Trägers (1), wobei der optoelektronische Halbleiterchip (2) mit zumindest einem n-seitigen Bereich (21) und zumindest einem p-seitigen Bereich (24) gebildet ist, und mit dem n-seitigen Bereich (21) oder dem p-seitigen Bereich (24) auf der ersten Oberfläche (11) aufgebracht ist; c) Anordnen einer elektrisch isolierenden Umhüllung (3) auf freiliegende Stellen der Außenflächen (23) des Halbleiterchips (2) und der ersten Oberfläche (11) des Trägers (1); d) teilweises Entfernen der elektrisch isolierenden Umhüllung (3), wobei nach dem Entfernen zumindest eine dem Träger (1) abgewandte Hauptfläche (22) des optoelektronischen Halbleiterchips (2) zumindest stellenweise frei von der elektrisch isolierenden Umhüllung (3) ist.

公开(公告)号：DE102008034560B4

公开(公告)日：2022-10-27

申请号：DE102008034560

申请日：2008-07-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ENGL KARL DR ,  HAHN BERTHOLD DR ,  STREUBEL KLAUS DR ,  KLEIN MARKUS DR

IPC: H01L23/60 ,  H01L33/62

Abstract: Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1), der einen Träger (5) und einen Halbleiterkörper (2) mit einer Halbleiterschichtenfolge aufweist, wobei- die Halbleiterschichtenfolge einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20), eine erste Halbleiterschicht (21) und eine zweite Halbleiterschicht (22) aufweist;- der aktive Bereich (20) zwischen der ersten Halbleiterschicht (21) und der zweiten Halbleiterschicht (22) angeordnet ist;- die erste Halbleiterschicht (21) auf der dem Träger (5) abgewandten Seite des aktiven Bereichs (20) angeordnet ist;- der Halbleiterkörper (2) zumindest eine Ausnehmung (25) aufweist, die sich durch den aktiven Bereich (20) hindurch erstreckt;- die erste Halbleiterschicht (21) elektrisch leitend mit einer ersten Anschlussschicht (31) verbunden ist, wobei sich die erste Anschlussschicht (31) in der Ausnehmung (25) von der ersten Halbleiterschicht (21) in Richtung des Trägers (5) erstreckt;- die erste Anschlussschicht (31) mit der zweiten Halbleiterschicht (22) über eine Schutzdiode (4) elektrisch verbunden ist;- die erste Anschlussschicht (31) entlang einer senkrecht zu einer Haupterstreckungsebene der Halbleiterschichten des Halbleiterkörpers (2) verlaufenden vertikalen Richtung gesehen zumindest bereichsweise zwischen dem Träger (5) und der zweiten Halbleiterschicht (22) verläuft;- ein Aufwachssubstrat (200) für die Halbleiterschichtenfolge des Halbleiterkörpers (2) entfernt ist; und- der Träger (5) die Halbleiterschichtenfolge mechanisch stabilisiert.

公开(公告)号：DE102005048408B4

公开(公告)日：2015-03-19

申请号：DE102005048408

申请日：2005-10-10

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HÄRLE VOLKER DR ,  BADER STEFAN DR ,  HAHN BERTHOLD DR

IPC: H01L33/46

Abstract: Dünnfilm-Halbleiterkörper (1) mit – einer zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Schicht (4), – einer der aktiven Schicht nachgeordneten Strahlungsauskoppelfläche (21), – einer auf der der Strahlungsauskoppelfläche (21) abgewandten Seite der aktiven Schicht (4) angeordneten Reflexionsschicht (6), und – einem photonischen Kristall (7), wobei ein Abstand zwischen der Reflexionsschicht (6) und der aktiven Schicht (4) so gewählt ist, dass Intensitätsmaxima verschiedener Ordnungen auftreten, und der photonische Kristall auf die Strahlung höherer Ordnungen abgestimmt ist und wobei die aktive Schicht (4) zwischen einer ersten Halbleiterschicht (3) eines ersten Leitfähigkeitstyps und einer zweiten Halbleiterschicht (5) eines zweiten Leitfähigkeitstyps angeordnet ist, der Dünnfilm-Halbleiterkörper (1) einen Resonator (6, 14) umfasst und der zweiten Halbleiterschicht (3) eine zweite Reflexionsschicht (14) nachgeordnet ist, die für eine Transmission der Strahlung durchlässig beziehungsweise halbdurchlässig ist.

公开(公告)号：DE102005061797B4

公开(公告)日：2020-07-09

申请号：DE102005061797

申请日：2005-12-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STREUBEL KLAUS DR ,  WIRTH RALPH DR ,  HAHN BERTHOLD DR ,  AHLSTEDT MAGNUS ,  ALBRECHT TONY ,  ILLEK STEFAN

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/42

Abstract: Lumineszenzdiodenchip, der eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignete epitaktische Halbleiterschichtenfolge (1), einen elektrischen Anschlusskörper (2), eine mit dem Anschlusskörper elektrisch leitend verbundene strahlungsdurchlässige Stromaufweitungsschicht (3) mit einem TCO, und mindestens eine Strombarriere (4) aufweist, die geeignet ist, die Erzeugung der Strahlung in einem vom Anschlusskörper lateral bedeckten Bereich durch eine verringerte Stromdichte selektiv zu verhindern oder zu verringern,wobei die Strombarriere durch eine Grenzfläche zwischen der Halbleiterschichtenfolge (1) und der Stromaufweitungsschicht (3) gebildet ist,wobei eine Außenfläche der Halbleiterschichtenfolge (1), die durch eine Kontaktschicht (15) gebildet ist, in einem Teilbereich (150) aufgeraut ist mit einer Größe von Strukturelementen und mit einer Strukturtiefe von kleiner als 200 nm, sodass in dem Teilbereich (150) kein elektrisch leitfähiger Kontakt oder ein elektrisch leitfähiger Kontakt mit einer Leitfähigkeit von weniger als einem Zehntel der elektrischen Leitfähigkeit des Kontaktes in verbleibenden Bereichen der Stromaufweitungsschicht (3) und der Halbleiterschichtenfolge (1) ausgebildet ist.

公开(公告)号：DE102004047061B4

公开(公告)日：2018-07-26

申请号：DE102004047061

申请日：2004-09-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HAHN BERTHOLD DR ,  BRUNNER HERBERT ,  GRÖTSCH STEFAN

IPC: H01L33/62 ,  H01L31/02 ,  H01L33/48

Abstract: Optoelektronisches Bauelement mit- einem Gehäuse, das einen Gehäusegrundkörper und mindestens eine erste und mindestens eine zweite elektrische Leiterbahn aufweist, wobei der Gehäusegrundkörper einen Chipträger und einen Chiprahmen umfasst, durch welchen eine Kavität definiert ist, und die erste Leiterbahn auf einer vom Chipträger abgewandten Seite des Chiprahmens einen ersten Chipkontaktierbereich umfasst und sich von diesem zu einer vom Chiprahmen abgewandten Seite des Chipträgers erstreckt,- mindestens einem Halbleiterchip zum Emittieren oder Empfangen von elektromagnetischer Strahlung, der in dem Gehäuse montiert ist und elektrisch leitend mit den elektrischen Leiterbahnen verbunden ist, wobei die zweite Leiterbahn auf einer dem Chiprahmen zugewandten Seite des Chipträgers einen zweiten Chipkontaktierbereich umfasst und sich von diesem zu einer vom Chiprahmen abgewandten Seite des Chipträgers erstreckt, wobei die zweite Leiterbahn teilweise vom Chiprahmen bedeckt ist, wobei der Halbleiterchip in der Kavität mittels eines Füllmaterials umfüllt ist, das zur Anpassung des thermischen Ausdehnungskoeffizienten Keramikpartikel enthält, die Galliumnitrid aufweisen oder daraus bestehen.

公开(公告)号：DE10350707B4

公开(公告)日：2014-02-13

申请号：DE10350707

申请日：2003-10-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STEIN WILHELM DR ,  FEHRER MICHAEL DR ,  BAUR JOHANNES DR ,  WINTER MATTHIAS ,  PLOESL ANDREAS DR ,  KAISER STEPHAN DR ,  HAHN BERTHOLD DR ,  EBERHARD FRANZ

IPC: H01L33/62 ,  H01L31/0224 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40 ,  H01S5/02 ,  H01S5/323

Abstract: Elektrischer Kontakt eines optoelektronischen Halbleiterchips (1), der folgende Schichten in der genannten Reihenfolge enthält: – eine Spiegelschicht (2) aus einem Metall oder einer Metallegierung, – eine Schutzschicht (3) zur Verringerung der Korrosion der Spiegelschicht (2), – eine Barrierenschicht (4), – eine Haftvermittlungsschicht (5), und – eine Lotschicht (8), wobei zwischen der Haftvermittlungsschicht (5) und der Lotschicht (8) eine Benetzungsschicht (6) angeordnet ist, die Platin enthält.

公开(公告)号：DE10111501B4

公开(公告)日：2019-03-21

申请号：DE10111501

申请日：2001-03-09

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BAUR JOHANNES DR ,  EISERT DOMINIK DR ,  FEHRER MICHAEL DR ,  HAHN BERTHOLD DR ,  HÄRLE VOLKER DR ,  ORTMANN MARIANNE ,  STRAUSS UWE DR ,  VÖLKL JOHANNES DR ,  ZEHNDER ULRICH DR

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/00 ,  H01L33/02

Abstract: Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit einer Mehrschichtstruktur (2), einer aktiven, der Strahlungserzeugung dienenden Schicht (3) innerhalb der Mehrschichtstruktur (2), elektrischen Kontakten (9a,b, 10), die mit der aktiven Schicht (3) elektrisch leitend verbunden sind, und einem strahlungsdurchlässigen Fenster (1) mit einer ersten Hauptfläche (5) und einer der ersten Hauptfläche (5) gegenüberliegenden zweiten Hauptfläche (6), das mit der ersten Hauptfläche (5) an die Mehrschichtstruktur (3) grenzt, wobei- in dem Fenster (1) von der zweiten Hauptfläche (6) her mindestens eine grabenartige oder grubenartige Ausnehmung (4) gebildet ist, die die Strahlungsauskopplung aus dem Fenster (1) erhöht, wobei Teile der erzeugten Strahlung an Begrenzungsflächen der Ausnehmung (4) aus dem Fenster (1) ausgekoppelt werden,- die Ausnehmung (4) mindestens eine ebene Seitenfläche (7a,b) aufweist, die mit der zweiten Hauptfläche (6) einen Winkel zwischen 20° und 70° einschließt, und- das Fenster (1) mit der Mehrschichtstruktur (2) mittels eines Waferbondingverfahrens verbunden ist.

公开(公告)号：DE102004002446B4

公开(公告)日：2012-12-13

申请号：DE102004002446

申请日：2004-01-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HAERLE VOLKER DR ,  HAHN BERTHOLD DR

IPC: G02F1/1333 ,  H01L51/50 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  H01L51/10 ,  H05B44/00

Abstract: Anzeigevorrichtung mit – einem ersten Array von einzelnen Anzeigeelementen (12), und – einem zweiten Array von Ansteuertransistoren (14) für die Anzeigeelemente (12), wobei – die Ansteuertransistoren (14) aus einem Halbleitermaterial mit einer derart großen Bandlücke gebildet sind, dass sie im sichtbaren Spektralbereich transparent sind, und – das Halbleitermaterial der Ansteuertransistoren BN oder Diamant umfasst, dadurch gekennzeichnet, dass die Anzeigeelemente (12) durch organische lichtemittierende Elemente (OLEDs) gebildet sind.