-
公开(公告)号:KR20180008617A
公开(公告)日:2018-01-24
申请号:KR20177035922
申请日:2016-05-17
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: GOLDBACH MATTHIAS , GROETSCH STEFAN , HOLZ JUERGEN , ILLEK STEFAN
IPC: H01L25/075 , H01L25/16
CPC classification number: H01L25/167 , H01L25/0753 , H01L2224/48137 , H01L2224/49171
Abstract: 본발명은다수의반도체소자들을포함하는광원에관한것이고, 여기서반도체소자는다수의발광다이오드들을갖고, 다이오드들은반도체소자상에적어도하나의열의미리결정된그리드내에배열되고, 개별다이오드들을제어하기위한제어회로가반도체소자상에배열된다. 본발명은또한다수의발광다이오드들을갖는반도체소자에관한것이고, 여기서다이오드들은반도체소자상에적어도하나의열의미리결정된그리드내에배열되고, 개별다이오드들을제어하기위한제어회로가반도체소자상에배열되고, 제어회로는다이오드들을개별적으로제어하도록설계된다.
Abstract translation: 本发明涉及一种光源,包括多个半导体元件,其中,所述半导体器件具有多个发光二极管,所述二极管被布置在预定的网格至少一排在半导体元件上,用于控制各个二极管的控制 电路布置在半导体元件上。 本发明还涉及一种具有多个发光二极管,其中所述二极管被布置在至少一个列中的半导体器件中,半导体元件上的预定网格,用于控制各个二极管的控制电路被布置在半导体元件上, 控制电路设计用于单独控制二极管。
-
公开(公告)号:DE102018109211A1
公开(公告)日:2019-10-24
申请号:DE102018109211
申请日:2018-04-18
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: ZITZLSPERGER MICHAEL , GOLDBACH MATTHIAS
IPC: H01L33/62 , H01L23/495 , H01L25/16 , H01L31/101
Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst das oberflächenmontierbare Bauteil (100) einen Träger (1) mit einer Oberseite (11) und einer der Oberseite gegenüberliegenden Unterseite (12). Weiter umfasst das Bauteil ein erstes elektronisches Bauelement (2), das auf oder in dem Träger elektrisch verschaltet ist, sowie zumindest zwei elektrische Verbindungen (31, 32). Die elektrischen Verbindungen verbinden jeweils zwei in einer lateralen Richtung voneinander beabstandete elektrisch leitende Bereiche des Bauteils elektrisch miteinander. Die zwei elektrischen Verbindungen weisen jeweils eine Dicke auf, die höchstens 1/4 einer Dicke des Trägers beträgt. Die zwei elektrischen Verbindungen sind ferner durch unterschiedliche Verbindungstechniken realisiert.
-
公开(公告)号:DE102018101813A1
公开(公告)日:2019-08-01
申请号:DE102018101813
申请日:2018-01-26
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: HIEN MATTHIAS , GOLDBACH MATTHIAS , ZITZLSPERGER MICHAEL , PEYKER LUDWIG
IPC: H01L33/62 , H01L25/075 , H01L31/101 , H01L33/60
Abstract: In einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) mindestens zwei Leiterrahmenteile (21, 22) sowie einen optoelektronischen Halbleiterchip (3), der in einem Montagebereich (24) auf einem der Leiterrahmenteile (21) angebracht ist. Die Leiterrahmenteile (21, 22) sind über einen Vergusskörper (4) mechanisch miteinander verbunden. Der Halbleiterchip (3) ist in den Vergusskörper (4) eingebettet. In dem Montagebereich (24) weist das betreffende Leiterrahmenteil (21) eine reduzierte Dicke (D1) auf. Eine elektrische Leitung (5) ist über den Vergusskörper (4) hinweg vom Halbleiterchip (3) zu einem Anschlussbereich (25) eines weiteren der Leiterrahmenteile (22) geführt. In dem Anschlussbereich (25) weist das betreffende Leiterrahmenteil (22) die volle Dicke (D2) auf. Vom Anschlussbereich (25) hin zum Halbleiterchip (3) überwindet die Leitung (5) keinen signifikanten Höhenunterschied.
-
公开(公告)号:DE112014005652A5
公开(公告)日:2016-09-01
申请号:DE112014005652
申请日:2014-12-10
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: ZITZLSPERGER MICHAEL , GOLDBACH MATTHIAS
IPC: H01L33/62
-
公开(公告)号:DE102014101154A8
公开(公告)日:2015-10-22
申请号:DE102014101154
申请日:2014-01-30
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: KNÖRR MATTHIAS , GOLDBACH MATTHIAS
-
公开(公告)号:DE112020005977T5
公开(公告)日:2022-09-22
申请号:DE112020005977
申请日:2020-10-29
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: WITTMANN MICHAEL , HOFBAUER LUDWIG , WETTERER ARMIN , SCHULZ HANNA , WITTMANN SEBASTIAN , DOBNER ANDREAS , FREI ULRICH , GOLDBACH MATTHIAS
IPC: H01L33/52 , H01L25/075 , H01L33/56
Abstract: Eine optoelektronische Vorrichtung umfasst eine transparente erste Abdeckung, ein erstes Schichtsegment, insbesondere Zwischenschichtsegment, das auf der transparenten ersten Abdeckung angeordnet ist und mindestens ein optoelektronisches Element umfasst, und ein zweites Schichtsegment, insbesondere Zwischenschichtsegment, das auf der transparenten ersten Abdeckung entlang einer ersten Richtung neben dem ersten Schichtsegment angeordnet ist. Das erste und das zweite Schichtsegment weisen einen annähernd gleichen Brechungsindex auf und das erste und das zweite Schichtsegment sind entlang der ersten Richtung durch ein aufgeschmolzenes und wieder verfestigets Material miteinander verbunden.
-
公开(公告)号:DE102013111120A1
公开(公告)日:2015-04-09
申请号:DE102013111120
申请日:2013-10-08
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: GOLDBACH MATTHIAS
IPC: H01L33/62 , H01L21/301 , H01L21/78 , H01L23/50
Abstract: Es wird ein Halbleiterchip (100) mit einem eine Halbleiterschichtenfolge umfassenden Halbleiterkörper (2), einem Trägerkörper (4) und mindestens einem Oberseitenkontakt (8) angegeben. Der Halbleiterchip (100) weist in Projektion eine Form auf, die von einer rechteckigen Form abweicht. Es wird außerdem ein Verfahren zum Vereinzeln eines Verbunds in eine Mehrzahl von Halbleiterchips (100) entlang eines Vereinzelungsmusters (15) mit den Schritten beschrieben, durch welches eine Mehrzahl von erfindungsgemäßen Halbleiterchips hergestellt werden können.
-
公开(公告)号:DE112020006517A5
公开(公告)日:2022-12-29
申请号:DE112020006517
申请日:2020-12-18
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: ARNDT KARLHEINZ , JEREBIC SIMON , HOFMANN MATTHIAS , JÄGER HARALD , EBERHARD JENS , BOSS MARKUS , STOLL SEBASTIAN , HETZER CONSTANTIN , GOLDBACH MATTHIAS
IPC: H01L33/48 , H01L21/56 , H01L23/043 , H01L23/498 , H01L33/46 , H01L33/56 , H01L33/60 , H01L33/64
-
9.
公开(公告)号:DE112020005978T5
公开(公告)日:2022-09-22
申请号:DE112020005978
申请日:2020-10-29
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: GOLDBACH MATTHIAS , GRÖTSCH STEFAN , HOFBAUER LUDWIG , WITTMANN SEBASTIAN , REGENSBURGER ROBERT , SCHWARZ THOMAS , BRANDL MICHAEL , DOBNER ANDREAS , STIGLER SEBASTIAN
Abstract: Anordnung zur Ansteuerung mindestens eines optoelektronischen Bauelements, umfassend eine transparente Trägerschicht, mindestens ein optoelektronisches Bauelement, einen auf der transparenten Trägerschicht angeordneten und mit dem mindestens einen optoelektronischen Bauelement verbundenen integrierten Schaltkreis, insbesondere einen mikrointegrierten Schaltkreis, mindestens eine auf der transparenten Trägerschicht angeordnete und mit dem mindestens einen optoelektronischen Bauelement elektrisch gekoppelte strukturierte erste Versorgungsleitung mindestens eine strukturierte zweite Versorgungsleitung, die auf der transparenten Trägerschicht angeordnet und mit der integrierten Schaltung elektrisch gekoppelt ist, mindestens eine strukturierte Massepotentialleitung, die auf der transparenten Trägerschicht angeordnet und mit der integrierten Schaltung elektrisch gekoppelt ist, mindestens eine erste Datenleitung, die auf der transparenten Trägerschicht angeordnet ist, um ein Datensignal für die integrierte Schaltung bereitzustellen, und mindestens eine Taktleitung, die auf der transparenten Trägerschicht angeordnet ist, um ein Taktsignal für die integrierte Schaltung bereitzustellen.
-
公开(公告)号:DE102018100598A1
公开(公告)日:2019-07-18
申请号:DE102018100598
申请日:2018-01-12
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: HÖFLINGER BENJAMIN , GOLDBACH MATTHIAS
Abstract: Verfahren zum Steuern eines Stromes einer Leuchtdiode, um einen gewünschten Lichtstrom abzugeben, wobei der Strom in Abhängigkeit von einer Zeit, während der die Leuchtdiode bestromt wurde, bestimmt wird, um den gewünschten Lichtstrom der Leuchtdiode zu erzeugen.
-
-
-
-
-
-
-
-
-