Optoelektronisches Modul und Verfahren zu seiner Herstellung

    公开(公告)号:DE102013217410A1

    公开(公告)日:2015-03-19

    申请号:DE102013217410

    申请日:2013-09-02

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Modul umfassend: – ein Trägersubstrat, – wenigstens einen auf dem Trägersubstrat angeordneten Halbleiterchip zur Emission einer Lichtstrahlung, – eine oberhalb des Halbleiterchips angeordnete Konversionsschicht zum Umwandeln wenigstens eines Teils der von dem Halbleiterchip emittierten Lichtstrahlung, – ein auf dem Trägersubstrat angeordnetes und einen Aufnahmeraum für den Halbleiterchip und die Konversionsschicht bildendes Rahmenelement, und – ein auf dem Rahmenelement angeordnetes und den Aufnahmeraum begrenzendes Blendenelement mit wenigstens einer die Konversionsschicht freigebenden Blendenöffnung, wobei ein an der Blendenöffnung angrenzender Randbereich des Blendenelements einen Randbereich der Konversionsschicht wenigstens teilweise überlappt.

    Leuchtdiodenmodul und Kfz-Scheinwerfer

    公开(公告)号:DE102012105677B4

    公开(公告)日:2016-06-09

    申请号:DE102012105677

    申请日:2012-06-28

    Abstract: Leuchtdiodenmodul (1) mit – einem Träger (2) mit einer Trägeroberseite (20), – mehreren optoelektronischen Halbleiterchips (3), die an der Trägeroberseite (20) angebracht und die zur Erzeugung einer Primärstrahlung eingerichtet sind, – einer strahlungsdurchlässigen ersten Füllung (41), und – einer strahlungsundurchlässigen zweiten Füllung (42), wobei – die Halbleiterchips (3) zum Teil einen ersten Abstand (D1) und zum Teil einen zweiten, größeren Abstand (D2) zueinander aufweisen, – sich zwischen den im ersten Abstand (D1) zueinander angeordneten, benachbarten Halbleiterchips (3) die erste Füllung (41) zu einer optischen Kopplung dieser benachbarten Halbleiterchips (3) miteinander befindet, – sich zwischen den im zweiten Abstand (D2) zueinander angeordneten, benachbarten Halbleiterchips (3) die zweite Füllung (42) zu einer optischen Isolierung dieser benachbarten Halbleiterchips (3) voneinander befindet, – in dem Träger (2) mindestens ein Graben (7) geformt ist, und – der Graben (7) wenigstens oder nur zwischen solchen benachbarten Halbleiterchips (3) ausgeformt ist, die in dem größeren, zweiten Abstand (D2) zueinander angeordnet sind.

    Lichtquellenmodul
    4.
    发明专利

    公开(公告)号:DE102012101160A1

    公开(公告)日:2013-08-14

    申请号:DE102012101160

    申请日:2012-02-14

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst das Lichtquellenmodul (1) einen Träger (2). An einer Trägeroberseite (20) sind mindestens drei einzeln ansteuerbare optoelektronische Halbleiterchips (3) angebracht. Das Lichtquellenmodul (1) beinhaltet ferner optische Abschirmungen (4), die sich zwischen benachbarten Halbleiterchips (3) befinden. Die Halbleiterchips (3) sind entlang einer geraden Linie angeordnet, in Draufsicht auf die Trägeroberseite (30) gesehen. Ein Abstand (d) zwischen benachbarten Halbleiterchips (3) entlang dieser Linie beträgt höchstens ein Viertel einer mittleren Diagonalenlänge der Strahlungshauptseiten (30) der Halbleiterchips (3). Die Abschirmungen (4) sind für von den Halbleiterchips (3) im Betrieb emittierte Strahlung undurchlässig und dazu eingerichtet, ein optisches Übersprechen zwischen den Halbleiterchips (3) zu verhindern.

    Leuchtdiodenmodul und Kfz-Scheinwerfer

    公开(公告)号:DE102012105677A1

    公开(公告)日:2014-01-02

    申请号:DE102012105677

    申请日:2012-06-28

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform weist das Leuchtdiodenmodul (1) einen Träger (2) sowie mehrere optoelektronische Halbleiterchips (3) auf, die an einer Trägeroberseite (20) angebracht und zur Erzeugung einer Primärstrahlung eingerichtet sind. Die Halbleiterchips (3) sind zum Teil in einem ersten Abstand (D1) und zum Teil in einem zweiten, größeren Abstand (D2) zueinander angeordnet. Zwischen den im ersten Abstand (D1) zueinander angeordneten, benachbarten Halbleiterchips (3) befindet sich eine strahlungsdurchlässige erste Füllung (41) zu einer optischen Kopplung. Zwischen den im zweiten Abstand (D2) zueinander angeordneten, benachbarten Halbleiterchips (3) befindet sich eine strahlungsundurchlässige zweite Füllung (42) zu einer optischen Isolierung.

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