公开(公告)号：DE102013104572A1

公开(公告)日：2014-11-06

申请号：DE102013104572

申请日：2013-05-03

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KNÖRR MATTHIAS ,  HEINEMANN ERIK ,  LISTL STEFAN ,  NEUDECKER INGO

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L25/075 ,  H01L31/18 ,  H01L33/62

Abstract: In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Verfahren zum Ausbilden einer optoelektronischen Baugruppe (30) bereitgestellt. Dabei wird ein Sintermaterial (40) über einem Substrat (12) angeordnet. Das Sintermaterial (40) wird auf das Substrat (12) gepresst und unter Wärmezufuhr gesintert, so dass sich das Sintermaterial (40) mit dem Substrat (12) verbindet. Ein optoelektronisches Bauelement (16) wird auf das Sintermaterial (40) gepresst, so dass sich das Sintermaterial (40) mit dem optoelektronischen Bauelement (16) verbindet. Das Substrat (12) und das damit verbundene optoelektronische Bauelement (16) bilden die optoelektronische Baugruppe (30).

公开(公告)号：DE102018101198A1

公开(公告)日：2019-07-25

申请号：DE102018101198

申请日：2018-01-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KNÖRR MATTHIAS

IPC: H01S5/022 ,  C04B37/02 ,  H01L33/48

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines Gehäusedeckels (200) für ein Laserbauelement (100) umfasst:- Bereitstellen eines zumindest teilweise strahlungsdurchlässigen Fensters (201), das ein Aluminiumoxid aufweist,- Bereitstellen eines Kupferträgers (202) für das Fenster (201),- Ausbilden eines Kupferoxids (204) in einem Oxidbereichs (203) auf dem Kupferträger,- Anordnen des Fensters (201) an dem Oxidbereich (203),- Ausbilden einer eutektischen Verbindung (205) zwischen dem Fenster (201) und dem Kupferoxid (204) in dem Oxidbereich (203), und dadurch- Fixieren des Fensters (201) an dem Kupferträger (202).

公开(公告)号：DE102013223110A1

公开(公告)日：2015-05-28

申请号：DE102013223110

申请日：2013-11-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KNÖRR MATTHIAS ,  HOLZAPFEL GERHARD ,  HORN MARKUS

IPC: H01S5/022

Abstract: Ein Laserbauelement umfasst einen Laserchip mit einer Emissionsfacette und einen Träger mit einer Oberseite, einer der Oberseite gegenüberliegenden Unterseite und einer sich von der Oberseite zur Unterseite erstreckenden Stirnseite. Der Laserchip ist an der Oberseite des Trägers angeordnet. Die Stirnseite des Trägers weist eine Aussparung auf, die sich von der Oberseite des Trägers zur Unterseite des Trägers erstreckt. Die Emissionsfacette des Laserchips steht zumindest teilweise über die Aussparung über.

公开(公告)号：DE102014101154A8

公开(公告)日：2015-10-22

申请号：DE102014101154

申请日：2014-01-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KNÖRR MATTHIAS ,  GOLDBACH MATTHIAS

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/40 ,  H01L33/48 ,  H01L33/64

公开(公告)号：DE102013223115A1

公开(公告)日：2015-05-28

申请号：DE102013223115

申请日：2013-11-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KNÖRR MATTHIAS ,  HOLZAPFEL GERHARD ,  HORN MARKUS

IPC: H01S5/022

Abstract: Ein Laserbauelement umfasst einen Laserchip mit einer Emissionsfacette und einen Träger mit einer Oberseite und einer senkrecht zur Oberseite orientierten Stirnseite. Der Laserchip ist an der Oberseite des Trägers angeordnet. Der Träger weist in einem Übergangsbereich zwischen der Oberseite und der Stirnseite eine Aussparung auf, die sich über die gesamte Breite der Stirnseite erstreckt. Die Emissionsfacette des Laserchips steht zumindest teilweise über die Aussparung über.

公开(公告)号：DE102016208489A1

公开(公告)日：2017-11-23

申请号：DE102016208489

申请日：2016-05-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KNÖRR MATTHIAS

IPC: H01L33/52 ,  H01L33/50

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils (100) mit den folgenden Schritten angegeben: – Bereitstellen einer Trägerplatte (10), die ein Glas umfasst, – Aufbringen einer Konversionsschicht (2), die ein Lumineszenzkonversionsmaterial umfasst, auf die Trägerplatte (10), – Aufbringen zumindest zweier optoelektronischer Halbleiterchips (3) auf die Konversionsschicht an ihrer der Trägerplatte (10) abgewandten Seite, und – Einbringen eines Umhüllungsmaterials (40), das frei von einem Lumineszenzkonversionsmaterial ist, zwischen die optoelektronischen Halbleiterchips (3). Ferner wird ein optoelektronisches Bauteil angegeben.

公开(公告)号：DE102016104659A1

公开(公告)日：2017-09-14

申请号：DE102016104659

申请日：2016-03-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KNÖRR MATTHIAS

IPC: H01L33/54 ,  F21V9/40 ,  H01L33/50

Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauteil mit einem optoelektronischen Bauelement, wobei das Bauelement ausgebildet ist, um eine elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, wobei ein Formkörper vorgesehen ist, wobei der Formkörper eine Ausnehmung mit einem Boden und vier Seitenwänden aufweist, wobei das Bauelement auf dem Boden der Ausnehmung angeordnet ist, wobei die Ausnehmung oberhalb des Bauelementes wenigstens teilweise mit Konversionsmaterial gefüllt ist, wobei das Konversionsmaterial ausgebildet ist, um elektromagnetische Strahlung des Bauelementes in der Wellenlänge zu verschieben. Zudem betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauteils.

公开(公告)号：DE102015103835A1

公开(公告)日：2016-09-22

申请号：DE102015103835

申请日：2015-03-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LEIRER CHRISTIAN ,  LINKOV ALEXANDER ,  SABATHIL MATTHIAS ,  KNÖRR MATTHIAS

IPC: H01L33/58 ,  H01L33/50 ,  H01L33/54

Abstract: Lichtemittierendes Bauelement 100, bestehend aus einem lichtemittierenden Chip 110, der Licht mit einer ersten Wellenlänge emittiert, und mit mindestens einer Konversionsschicht 130, die Licht der ersten Wellenlänge in Licht mit mindestens einer zweiten Wellenlänge konvertiert, dadurch gekennzeichnet, dass ein Homogenisierungselement 150 zwischen dem lichtemittierenden Chip 110 und der Konversionsschicht 130 vorgesehen ist, wobei eine Oberfläche des Homogenisierungselements 150 an den lichtemittierenden Chip 110 angrenzt und mindestens eine weitere Oberfläche des Homogenisierungselements 150 an die Konversionsschicht 130 angrenzt. Verfahren zur Herstellung eines lichtemittierenden Bauelements 100.

公开(公告)号：DE102015105486A1

公开(公告)日：2016-10-13

申请号：DE102015105486

申请日：2015-04-10

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KNÖRR MATTHIAS

IPC: H01L33/60 ,  H01L33/54

Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip, der zumindest teilweise durch einen Formkörper umformt ist. Eine Vorderseite des Formkörpers ist zumindest abschnittsweise durch eine reflektierende Folie bedeckt. Ein Abschnitt der reflektierenden Folie ist zwischen dem optoelektronischen Halbleiterchip und dem Formkörper eingeschlossen.

公开(公告)号：DE102014101154A1

公开(公告)日：2015-07-30

申请号：DE102014101154

申请日：2014-01-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KNÖRR MATTHIAS ,  GOLDBACH MATTHIAS

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/40 ,  H01L33/48 ,  H01L33/64

Abstract: Eine optoelektronische Anordnung umfasst ein erstes Element und eine Opferanode. Das erste Element weist ein korrodierbares erstes Material auf. Die Opferanode weist ein zweites Material auf, das unedler als das erste Material ist. Das erste Element und die Opferanode sind elektrisch leitend miteinander verbunden.