公开(公告)号：KR20180006515A

公开(公告)日：2018-01-17

申请号：KR20187001042

申请日：2011-07-01

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： JEREBIC SIMON ,  HEINEMANN ERIK ,  GAERTNER CHRISTIAN ,  MARKYTAN ALES

IPC: H01L33/46 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/18 ,  H01L33/44 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60

CPC classification number: H01L33/60 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/18 ,  H01L33/46 ,  H01L2933/0025

Abstract: 본발명은적어도하나의광전자반도체칩(2)을구비하고, 그리고상기반도체칩(2)이그 위에배치되어있는연결면(53)을갖는연결캐리어(5)를구비하는반도체소자(1)와관련이있다. 상기연결캐리어(5) 상에는반사기층(4) 및제한구조물(3)이형성되어있으며, 이경우상기제한구조물(3)은상기반도체칩(2)을가로방향으로적어도국부적으로둘러싸고, 상기반사기층(4)은상기반도체칩(2)의한 측면(21)과상기제한구조물(3) 사이에서가로방향으로적어도국부적으로뻗는다. 본발명은또한반도체소자를제조하기위한방법과도관련이있다.

Abstract translation: 半导体元件包括至少一个光电子半导体芯片和具有其上设置有半导体芯片的连接表面的连接载体。 在连接载体上形成反射涂层和限制结构。 该限制结构在横向方向上至少部分地包围半导体芯片，并且反射涂层至少部分地在半导体芯片的侧表面与限制结构之间的横向方向上延伸。

公开(公告)号：DE102011079403A1

公开(公告)日：2013-01-24

申请号：DE102011079403

申请日：2011-07-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BESTELE MICHAEL ,  HEINEMANN ERIK ,  JEREBIC SIMON ,  MARFELD JAN ,  PINDL MARKUS

IPC: H01L33/60 ,  H01L25/075 ,  H01L33/50 ,  H01L33/52

Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement (100) weist ein Substrat (102) auf, auf dem ein Halbleiterchip (104) und ein benetzbares Attraktor-Element (106a, 106b, 106c, 106d) angeordnet sind. Ein Pigmente (110) aufweisenden Medium (108) bedeckt den freiliegenden Bereich des Substrats (102), der nicht von dem Halbleiterchip (104) und dem Attraktor-Element (106a, 106b, 106c, 106d) abgedeckt ist, zumindest bereichsweise. Das Pigmente (110) aufweisende Medium (108) benetzt den Halbleiterchip (104) und das Attraktor-Element (106a, 106b, 106c, 106d) zumindest teilweise.

公开(公告)号：DE102013104572A1

公开(公告)日：2014-11-06

申请号：DE102013104572

申请日：2013-05-03

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KNÖRR MATTHIAS ,  HEINEMANN ERIK ,  LISTL STEFAN ,  NEUDECKER INGO

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L25/075 ,  H01L31/18 ,  H01L33/62

Abstract: In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Verfahren zum Ausbilden einer optoelektronischen Baugruppe (30) bereitgestellt. Dabei wird ein Sintermaterial (40) über einem Substrat (12) angeordnet. Das Sintermaterial (40) wird auf das Substrat (12) gepresst und unter Wärmezufuhr gesintert, so dass sich das Sintermaterial (40) mit dem Substrat (12) verbindet. Ein optoelektronisches Bauelement (16) wird auf das Sintermaterial (40) gepresst, so dass sich das Sintermaterial (40) mit dem optoelektronischen Bauelement (16) verbindet. Das Substrat (12) und das damit verbundene optoelektronische Bauelement (16) bilden die optoelektronische Baugruppe (30).

公开(公告)号：DE102010031945A1

公开(公告)日：2012-01-26

申请号：DE102010031945

申请日：2010-07-22

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GAERTNER CHRISTIAN DR ,  HEINEMANN ERIK ,  JEREBIC SIMON ,  MARKYTAN ALES DR

IPC: H01L33/46

Abstract: Es wird ein Halbleiterbauelement (1) angegeben, das zumindest einen optoelektronischen Halbleiterchip (2) und einen Anschlussträger (5) mit einer Anschlussfläche (53), auf der der Halbleiterchip (2) angeordnet ist, aufweist. Auf dem Anschlussträger (5) ist eine Reflektorschicht (4) und eine Begrenzungsstruktur (3) ausgebildet ist, wobei die Begrenzungsstruktur (3) den Halbleiterchip (2) in lateraler Richtung zumindest bereichsweise umläuft und die Reflektorschicht (4) in lateraler Richtung zumindest bereichsweise zwischen einer Seitenfläche (21) des Halbleiterchips und der Begrenzungsstruktur (3) verläuft. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements angegeben.

公开(公告)号：DE102021123015A1

公开(公告)日：2022-12-15

申请号：DE102021123015

申请日：2021-09-06

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SORG JÖRG ERICH ,  HEINEMANN ERIK ,  SOMERS ANDRÉ ,  KIPPES THOMAS ,  SCHLEGL SEBASTIAN ,  HEIDEMANN MATTHIAS

IPC: H01S5/0233 ,  H01L25/075 ,  H01L33/62 ,  H01L33/64 ,  H01S5/0234 ,  H01S5/024 ,  H01S5/042 ,  H01S5/22 ,  H01S5/40

Abstract: Es wird ein Halbleiterchip (LD) mit einer strukturierten Chiprückseite (RS) angegeben, wobei die Chiprückseite zur elektrischen und thermischen Anbindung des Halbleiterchips (LD) eingerichtet ist, wobei der Halbleiterchip (LD) Emitterbereiche (E) aufweist, die zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung (L) eingerichtet sind, und wobei die strukturierte Chiprückseite (RS) Anschlusspads (AP) aufweist, die zur elektrischen Anbindung der Emitterbereiche (E) eingerichtet sind.Des Weiteren wird ein Bauelement (100) insbesondere mit mindestens einem solchen Halbleiterchip (LD) angegeben.