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    Vorrichtung und Verfahren zur Vermessung von Oberflächenstrukturen
    1.
    发明专利
    Vorrichtung und Verfahren zur Vermessung von Oberflächenstrukturen 未知

    公开(公告)号：DE102015119260A1

    公开(公告)日：2017-05-11

    申请号：DE102015119260

    申请日：2015-11-09

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： NIEBLING TOBIAS ,  ZEISEL ROLAND

    IPC: G01B11/24 ,  G01B11/30 ,  G01N21/47 ,  G01N21/956

    Abstract: Es wird eine Vorrichtung zur Vermessung von Oberflächenstrukturen (101) angegeben, umfassend – eine Lichtquelle (11), die im Betrieb einen fokussierten Lichtstrahl (111) emittiert – eine Vielzahl von Detektorbereichen (12) und – eine Auswerteeinheit, wobei – der Lichtstrahl (111) dazu eingerichtet ist, mittels Beleuchten zumindest eines Vermessungsbereichs (112), der eine Vielzahl der Oberflächenstrukturen (101) aufweist, mit dem Lichtstrahl (111) zumindest ein Beugungsmuster (121) auf den Detektorbereichen (12) zu erzeugen, – die Detektorbereiche (12) dazu eingerichtet sind, zumindest eine detektierte Intensitätsverteilung des zumindest einen Beugungsmusters (121) zu detektieren, wobei jedem Detektorbereich (12) ein Beugungsmaximum des zumindest einen Beugungsmusters (121) zugeordnet ist und – die Auswerteeinheit dazu eingerichtet ist, einen mittleren Durchmesser und/oder eine mittlere Höhe und/oder einen mittleren Abstand innerhalb des Vermessungsbereichs (112) aus der zumindest einen detektierten Intensitätsverteilung mit einer Ungenauigkeit von höchstens +/–10 % zu bestimmen.

    Optoelektronischer Halbleiterchip
    3.
    发明专利
    Optoelektronischer Halbleiterchip 未知

    公开(公告)号：DE102015104700A1

    公开(公告)日：2016-09-29

    申请号：DE102015104700

    申请日：2015-03-27

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HIRAI ASAKO ,  MEYER TOBIAS ,  DRECHSEL PHILIPP ,  STAUSS PETER ,  NIRSCHL ANNA ,  GOMEZ-IGLESIAS ALVARO ,  NIEBLING TOBIAS ,  GALLER BASTIAN

    IPC: H01L33/04 ,  H01L33/14

    Abstract: In einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (1) eine aktive Zone mit einer Multi-Quantentopfstruktur (3), die mehrere Quantentopfschichten (31) und Barriereschichten (32) beinhaltet, die entlang einer Wachstumsrichtung (G) abwechselnd aufeinanderfolgen und die sich jeweils durchgehend über die gesamte Multi-Quantentopfstruktur (3) erstrecken. In einem Querschnitt parallel zur Wachstumsrichtung (G) gesehen weist die Multi-Quantentopfstruktur (3) zumindest einen Emissionsbereich (41) und mehrere Transportbereiche (42) auf, die in einer Richtung senkrecht zur Wachstumsrichtung (G) abwechselnd aufeinanderfolgen. Die Quantentopfschichten (31) und/oder die Barriereschichten (32) in den Transportbereichen (42) sind dünner gestaltet und/oder weisen eine andere Materialzusammensetzung auf als in den Emissionsbereichen (41).

    OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP
    6.
    发明申请
    OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP 审中-公开
    光电子半导体芯片

    公开(公告)号：WO2016156312A1

    公开(公告)日：2016-10-06

    申请号：PCT/EP2016056794

    申请日：2016-03-29

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HIRAI ASAKO ,  MEYER TOBIAS ,  DRECHSEL PHILIPP ,  STAUSS PETER ,  NIRSCHL ANNA ,  GOMEZ-IGLESIAS ALVARO ,  NIEBLING TOBIAS ,  GALLER BASTIAN

    IPC: H01L33/06

    CPC classification number: H01L33/06

    Abstract: In one embodiment the optoelectronic semiconductor chip (1) comprises an active zone with a multiple quantum well structure (3) containing a number of quantum well layers (31) and barrier layers (32) disposed sequentially in an alternating manner in a growth direction (G), each layer extending continuously over the entire multiple quantum well structure (3). When viewed in cross-section parallel to the growth direction (G), the multiple quantum well structure (3) has at least one emission region (41) and a number of transport regions (42) disposed sequentially in an alternating manner in a direction perpendicular to the growth region (G). The quantum well layers (31) and/or the barrier layers (32) in the transport regions (42) are thinner than and/or have a different material composition from those in the emission regions (41).

    Abstract translation: 在光电子半导体芯片的实施例（1）包括一个具有多量子阱结构（3），其包括沿着生长方向（G）设置在多个量子阱层（31）和阻挡层（32）的有源区彼此跟随交替和其中的每一个连续延伸超过 整个多量子阱结构（3）延伸。 看到的截面中，以生长方向（G）平行，所述多量子阱结构（3）的至少一个发射区（41）和多个输送区域（42），其交替地跟随在一个方向上相互垂直于生长方向（G）的。 在传送区域（42）的量子阱层（31）和/或所述阻挡层（32）被制造得更薄和/或具有不同的材料组成比在发射区（41）。

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