公开(公告)号：DE102018104381A1

公开(公告)日：2019-08-29

申请号：DE102018104381

申请日：2018-02-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： NAGEL PETER ,  REINGRUBER KLAUS ,  BRANTL SIMONE ,  WAGNER KONRAD ,  MÜLLER RALF

IPC: H01L33/54 ,  H01L33/50 ,  H01L33/60

Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement (1, 2, 3) weist einen Träger (4), eine optoelektronische Anordnung (6) und ein Vergussmaterial (21) auf. Die optoelektronische Anordnung (6) umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip (7). Die optoelektronische Anordnung (6) ist über einer Oberseite (5) des Trägers (4) angeordnet. Das Vergussmaterial (21) ist derart über der Oberseite (5) des Trägers (4) angeordnet, dass die optoelektronische Anordnung (6) in das Vergussmaterial (21) eingebettet ist. Eine Strahlungsemissionsfläche (14) der optoelektronischen Anordnung (6) ist nicht von dem Vergussmaterial (21) bedeckt. Eine Oberfläche (22) des Vergussmaterials (21) ist in Bezug auf die Oberseite (5) des Trägers (4) oberhalb der Strahlungsemissionsfläche (14) ausgebildet.

公开(公告)号：DE102017117150A1

公开(公告)日：2019-01-31

申请号：DE102017117150

申请日：2017-07-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： REINGRUBER KLAUS ,  REITH ANDREAS ,  GEBUHR TOBIAS

IPC: H01L33/54 ,  H01L25/075 ,  H01L33/50

Abstract: In einer Ausführungsform dient das Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen (1) und umfasst die Schritte:A) Aufbringen von optoelektronischen Halbleiterchips (3) zur Erzeugung einer Strahlung (R) auf einen Träger (2),B) Erzeugen eines Vergusses (5) mit einer dem Träger (2) abgewandten Vergussoberseite (50) direkt um die Halbleiterchips (3) herum, sodass die Halbleiterchips (3) in Draufsicht gesehen frei von einem reflektierenden Vergussmaterial des Vergusses (5) bleiben und sodass der Verguss (5) zwischen den Halbleiterchips (3) Gräben (56) aufweist,C) Verfüllen der Gräben (56) mit einem Stützmaterial, sodass zumindest ein Stützkörper (6) gebildet wird und der Verguss (5) neben den Gräben (56) frei von dem Stützmaterial bleibt, undD) Vereinzeln zu den Halbleiterbauteilen (1).

公开(公告)号：DE102018129191A1

公开(公告)日：2019-05-29

申请号：DE102018129191

申请日：2018-11-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： NAGEL PETER ,  REINGRUBER KLAUS

IPC: H01L33/52 ,  H01L33/50 ,  H01L33/58

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Leuchtvorrichtung mit einem strahlungsemittierenden optoelektronischen Bauelement, wobei das Bauelement auf einem Träger angeordnet ist, wobei auf den Träger eine erste Schicht aufgebracht wird, wobei die erste Schicht wenigstens seitlich in Form eines umlaufenden Rahmens das Bauelement umgibt, wobei anschließend auf die erste Schicht seitlich neben dem Rahmen eine zweite Schicht aufgebracht wird, wobei die zweite Schicht eine größere Härte als die erste Schicht aufweist.

公开(公告)号：DE102017114005A1

公开(公告)日：2018-12-27

申请号：DE102017114005

申请日：2017-06-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： NAGEL PETER ,  SANTANA ANNIBALE EDER ,  REINGRUBER KLAUS ,  HUBER RAINER ,  KREUTINGER LEOPOLD

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/498 ,  H01L33/38

Abstract: Eine Trägerplatte (100) für ein elektronisches Bauteil (200) umfasst eine Oberseite (50) zum elektrischen Anschließen und Montieren eines elektronischen Bauteils. Ferner umfasst die Trägerplatte eine Unterseite (10) zum elektrischen Anschließen der Trägerplatte an eine Leiterplatte (300). Die Trägerplatte umfasst zwei oder mehr voneinander elektrisch isolierte Kontaktstrukturen (1), die zur Stromführung von der Unterseite zur Oberseite oder in umgekehrte Richtung eingerichtet sind. Die Kontaktstrukturen bilden dabei an der Unterseite jeweils elektrisch leitfähige Kontaktflächen (2). Eine Kontaktfläche ist im Bereich einer Ecke (11) der Unterseite angeordnet. Die im Bereich der Ecke angeordnete Kontaktfläche weist in Draufsicht auf die Unterseite betrachtet eine gekrümmte Kante (20) auf. Die gekrümmte Kante ist der Ecke zugewandt, sodass der am nächsten zu der Ecke liegende Punkt der Kontaktfläche auf der gekrümmten Kante liegt. Die der Ecke nächstliegende Kontaktfläche hat ferner einen Abstand zu der Ecke von zumindest 2,5 % und höchstens 10 % des Umfangs der Unterseite.

公开(公告)号：DE102018105908A1

公开(公告)日：2019-09-19

申请号：DE102018105908

申请日：2018-03-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： REINGRUBER KLAUS ,  ZITZLSPERGER MICHAEL ,  GOLDBACH MATTHIAS

IPC: H01L33/46 ,  H01L33/44 ,  H01L33/48

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Bauteil (100) einen optoelektronischen Halbleiterchip (1) mit einer Emissionsseite (10) und einer der Emissionsseite gegenüberliegenden Rückseite (12). Ferner umfasst das Bauteil einen Gehäusekörper (2) mit einer Oberseite (20) und einer der Oberseite gegenüberliegenden Unterseite (22) sowie eine Metallschicht (3) auf der Oberseite des Gehäusekörpers. Der Halbleiterchip emittiert im bestimmungsgemäßen Betrieb elektromagnetische Primärstrahlung über die Emissionsseite. Der Halbleiterchip ist in dem Gehäusekörper eingebettet und lateral von dem Gehäusekörper umgeben. Die Emissionsseite ist der Rückseite und die Oberseite ist der Unterseite entlang einer Hauptabstrahlrichtung (4) des Halbleiterchips nachgeordnet. Die Metallschicht ist zumindest teilweise reflektierend oder absorbierend für von dem optoelektronischen Bauteil erzeugte Strahlung.