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    OPTOELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT AND A COMPOUND STRUCTURE
    1.
    发明申请
    OPTOELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT AND A COMPOUND STRUCTURE 审中-公开
    光电子器件及其制造方法的光电子器件及分组

    公开(公告)号：WO2011147399A8

    公开(公告)日：2013-06-13

    申请号：PCT/DE2011001037

    申请日：2011-05-04

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  JAEGER HARALD ,  ZITZLSPERGER MICHAEL ,  SCHNEIDER ALBERT

    Inventor： JAEGER HARALD ,  ZITZLSPERGER MICHAEL ,  SCHNEIDER ALBERT

    IPC: H01L33/60

    CPC classification number: H01L33/60 ,  H01L33/486 ,  H01L33/52 ,  H01L33/54 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: The invention relates to an optoelectronic component (10) comprising a housing (1), at least one semiconductor chip (2) arranged in the housing (1), and a casting compound (3). The semiconductor chip (2) comprises an active layer suitable for producing or detecting electromagnetic radiation. The casting compound (3) at least partially surrounds the semiconductor chip (2), reflective particles (3a) being embedded in the casting compound (3). The invention relates to a method for producing such a component and a compound structure.

    Abstract translation: 提供了一种具有一个壳体（1），布置在所述壳体（1）的半导体芯片（2）的至少一个的光电元件（10）和（3）的密封化合物。 半导体芯片（2）具有适于产生或电磁辐射活性层的检测的形式。 密封化合物（3）包围所述半导体芯片（2）至少部分，其中在所述密封化合物（3）的反射颗粒（3a）中被嵌入。 此外，示出了用于制造这样的部件，以及复合材料的方法。

    OPTOELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT AND A COMPOUND STRUCTURE
    2.
    发明申请
    OPTOELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT AND A COMPOUND STRUCTURE 审中-公开
    光电子器件及其制造方法的光电子器件及分组

    公开(公告)号：WO2011147399A3

    公开(公告)日：2012-04-12

    申请号：PCT/DE2011001037

    申请日：2011-05-04

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  JAEGER HARALD ,  ZITZLSPERGER MICHAEL ,  SCHNEIDER ALBERT

    Inventor： JAEGER HARALD ,  ZITZLSPERGER MICHAEL ,  SCHNEIDER ALBERT

    IPC: H01L33/60

    CPC classification number: H01L33/60 ,  H01L33/486 ,  H01L33/52 ,  H01L33/54 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: The invention relates to an optoelectronic component (10) comprising a housing (1), at least one semiconductor chip (2) arranged in the housing (1), and a casting compound (3). The semiconductor chip (2) comprises an active layer suitable for producing or detecting electromagnetic radiation. The casting compound (3) at least partially surrounds the semiconductor chip (2), reflective particles (3a) being embedded in the casting compound (3). The invention relates to a method for producing such a component and a compound structure.

    Abstract translation: 提供了一种具有一个壳体（1），布置在所述壳体（1）的半导体芯片（2）的至少一个的光电元件（10）和（3）的密封化合物。 半导体芯片（2）具有适于产生或电磁辐射活性层的检测的形式。 密封化合物（3）包围所述半导体芯片（2）至少部分，其中在所述密封化合物（3）的反射颗粒（3a）中被嵌入。 此外，示出了用于制造这样的部件，以及复合材料的方法。

    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL UND HERSTELLUNGSVERFARHEN
    4.
    发明专利
    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL UND HERSTELLUNGSVERFARHEN 未知

    公开(公告)号：DE102021117414A1

    公开(公告)日：2023-01-12

    申请号：DE102021117414

    申请日：2021-07-06

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： ZITZLSPERGER MICHAEL ,  HUBER RAINER ,  KLAFTA THOMAS ,  JANKA STEPHAN

    IPC: H01L25/075 ,  H01L23/28 ,  H01L23/495 ,  H01L33/52 ,  H01L33/62

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) einen Träger (3) und mehrere optoelektronische Halbleiterchips (2), die an einer Montageseite (32) des Trägers (2) angebracht sind,wobei- der Träger (3) mehrere separate, metallische Leiterrahmenteile (34) und einen Vergusskörper (33) umfasst und der Vergusskörper (33) die Leiterrahmenteile (34) zusammenhält,- der Montageseite (32) eine Befestigungsseite (30) des Trägers (3) gegenüberliegt und die Befestigungsseite (30) für eine Oberflächenmontage des Halbleiterbauteils (1) eingerichtet ist,- die Leiterrahmenteile (34) den Vergusskörper (33) an der Montageseite (32) überragen, und- die optoelektronischen Halbleiterchips (2) Flip-Chips sind, sodass jeder der optoelektronischen Halbleiterchips (2) auf zumindest zwei der Leiterrahmenteile (34) angebracht ist und mittels dieser Leiterrahmenteile (34) elektrisch kontaktiert ist.

    Optoelektronisches Bauelement, Leiterrahmenverbund und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
    5.
    发明专利
    Optoelektronisches Bauelement, Leiterrahmenverbund und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements 未知

    公开(公告)号：DE102018116211A1

    公开(公告)日：2020-01-09

    申请号：DE102018116211

    申请日：2018-07-04

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： ZITZLSPERGER MICHAEL

    IPC: H01L33/62 ,  H01L31/02 ,  H01L33/48 ,  H01L33/52

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Bauelement (100) einen Leiterrahmen mit einem ersten Leiterrahmenelement (11) und einem zweiten Leiterrahmenelement (12), eine Frontseite (6), eine gegenüberliegende Rückseite (5) und eine quer zur Frontseite verlaufende Montageseite (7). Das Bauelement umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip (2) und einen Gehäusekörper auf dem Leiterrahmen und rings um den Halbleiterchip. Das Bauelement umfasst eine elektrische Verbindung (4) vom Halbleiterchip zum zweiten Leiterrahmenelement. Im Betrieb tritt über die Frontseite des Bauelements Strahlung in das Bauelement ein oder aus dem Bauelement aus. Die Montageseite des Bauelements ist zur Montage und elektrischen Kontaktierung des Bauelements eingerichtet. Das erste Leiterrahmenelement weist einen Aufnahmeabschnitt (11A) und einen ersten Kontaktabschnitt (11B) auf. Der erste Kontaktabschnitt ist dicker als der Aufnahmeabschnitt und überragt den Aufnahmeabschnitt in Richtung weg von der Rückseite und hin zur Frontseite. Der Halbleiterchip ist auf dem Aufnahmeabschnitt angeordnet. Der erste Kontaktabschnitt bildet eine erste Kontaktfläche (71) an der Montageseite, wobei die erste Kontaktfläche zur elektrischen Kontaktierung des Bauelements eingerichtet ist.

    Verfahren zur Herstellung eines Trägerelements, Trägerelement und elektronisches Bauelement mit einem Trägerelement
    8.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung eines Trägerelements, Trägerelement und elektronisches Bauelement mit einem Trägerelement 未知

    公开(公告)号：DE102015108420A1

    公开(公告)日：2016-12-01

    申请号：DE102015108420

    申请日：2015-05-28

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SCHWARZ THOMAS ,  ZITZLSPERGER MICHAEL

    IPC: H01L21/60 ,  H01L23/498

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Trägerelements angegeben mit den Schritten: A) Bereitstellen einer ersten Metallschicht (1) mit einem ersten Metallmaterial, wobei die erste Metallschicht (1) eine erste und eine zweite Hauptoberfläche (10, 11) aufweist, die voneinander abgewandt sind, B) Aufbringen einer zweiten Metallschicht (2) mit einem zweiten Metallmaterial auf zumindest einer der Hauptoberflächen (10, 11), C) Umwandeln eines Teils der zweiten Metallschicht (2) in eine dielektrische Keramikschicht (3), wobei das zweite Metallmaterial einen Bestandteil der Keramikschicht (3) bildet und die Keramikschicht (3) eine der ersten Metallschicht (1) abgewandte Oberfläche (30) über der zweiten Metallschicht (2) bildet. Weiterhin werden ein Trägerelement und elektronisches Bauelement mit einem Trägerelement angegeben.

    Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
    10.
    发明专利
    Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung 未知

    公开(公告)号：DE102014102259A1

    公开(公告)日：2015-08-27

    申请号：DE102014102259

    申请日：2014-02-21

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： ZITZLSPERGER MICHAEL ,  BRANDL MARTIN ,  GEBUHR TOBIAS

    IPC: H01L33/62 ,  H01L33/52

    Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement umfasst einen Gehäusekörper, in den ein erster Leiterrahmenabschnitt und ein zweiter Leiterrahmenabschnitt eingebettet sind. Der erste Leiterrahmenabschnitt und der zweite Leiterrahmenabschnitt weisen jeweils eine Oberseite auf, die zumindest teilweise nicht durch den Gehäusekörper bedeckt ist. Der erste Leiterrahmenabschnitt und der zweite Leiterrahmenabschnitt sind durch einen Trennabschnitt des Gehäusekörpers voneinander getrennt. Der Trennabschnitt ist zumindest abschnittsweise über die Oberseiten des ersten Leiterrahmenabschnitts und des zweiten Leiterrahmenabschnitts erhaben.

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