公开(公告)号：DE50306984D1

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：DE50306984

申请日：2003-11-06

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： EBERHARD FRANZ ,  HERRMANN GERHARD ,  MARIC JOSIP ,  SCHWIND MICHAEL ,  BEHRINGER MARTIN ,  BEHRES ALEXANDER

IPC: H01S5/026 ,  H01S5/02 ,  H01S5/042 ,  H01S5/068 ,  H01S5/40

Abstract: A laser diode component comprising a laser diode bar on which a specific operating voltage is impressed during operation and with which a bridging element is connected in parallel, which bridging element is in a current-blocking state when the specific operating voltage is impressed on the associated laser diode bar and which bridging element changes over to a current-conducting state as soon as the voltage drop across the laser diode bar exceeds the operating voltage by a predefined voltage value. A circuit arrangement comprising a plurality of such laser diode components which are connected in series is furthermore specified.

公开(公告)号：DE10345410A1

公开(公告)日：2005-05-04

申请号：DE10345410

申请日：2003-09-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MOELLMER FRANK ,  HAAS HEINZ ,  SCHWIND MICHAEL

IPC: H01L31/0203 ,  H01L33/44 ,  H01L31/0232 ,  G01J1/42 ,  G09F9/35 ,  H01H35/00 ,  H01L31/072 ,  H01L33/00

公开(公告)号：DE112014004303A5

公开(公告)日：2016-07-07

申请号：DE112014004303

申请日：2014-08-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MÖLLMER FRANK ,  ARZBERGER MARKUS ,  SCHWIND MICHAEL ,  HÖFER THOMAS ,  HAUSHALTER MARTIN ,  WIENGARTEN MARIO ,  ECKERT TILMAN

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/48 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60 ,  H01L33/64

公开(公告)号：DE10306312A1

公开(公告)日：2004-07-22

申请号：DE10306312

申请日：2003-02-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BEHRES ALEXANDER ,  SCHWIND MICHAEL ,  MARIC JOSIP ,  BEHRINGER MARTIN ,  EBERHARD FRANZ ,  HERRMANN GERHARD

IPC: H01S5/02 ,  H01S5/026 ,  H01S5/042 ,  H01S5/068 ,  H01S5/40 ,  H01S5/024

公开(公告)号：DE102013110355A1

公开(公告)日：2015-03-19

申请号：DE102013110355

申请日：2013-09-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MÖLLMER FRANK ,  ARZBERGER MARKUS ,  SCHWIND MICHAEL ,  HÖFER THOMAS ,  HAUSHALTER MARTIN ,  WIENGARTEN MARIO ,  ECKERT TILMAN

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/64

Abstract: Die vorliegende Anmeldung betrifft ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen Halbleiterchip (2) und einem Gehäuse (3), in dem der Halbleiterchip angeordnet ist, wobei – das Gehäuse einen Leiterrahmen (5) mit einem ersten Anschlussleiter (51) und einem zweiten Anschlussleiter (52) aufweist; – das Gehäuse einen den Leiterrahmen bereichsweise umgebenden Gehäusekörper (4) aufweist, wobei sich der Gehäusekörper in einer vertikalen Richtung zwischen einer Montageseite (42) und einer Vorderseite (41) erstreckt; – der erste Anschlussleiter eine Vertiefung (6) aufweist, in der der Halbleiterchip an dem ersten Anschlussleiter befestigt ist; – eine Seitenfläche (60) der Vertiefung einen Reflektor für die im Betrieb vom Halbleiterchip abgestrahlte Strahlung bildet; – der erste Anschlussleiter auf der Montageseite aus dem Gehäusekörper herausragt; und – der Halbleiterchip zumindest bereichsweise frei von einem an den Halbleiterchip angrenzenden Verkapselungsmaterial ist. Weiterhin wird ein Verfahren zum Herstellen eines Leiterrahmenverbunds angegeben.

公开(公告)号：DE10154906A1

公开(公告)日：2003-05-28

申请号：DE10154906

申请日：2001-10-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KUHLMANN WERNER ,  SCHWIND MICHAEL

IPC: H01L31/12 ,  H01L31/16 ,  H01L51/20

Abstract: The device has a radiation transmitter (1) and a radiation receiver (5) that are electrically isolated and coupled together via a short optical transmission path. The radiation transmitter and/or the radiation receiver is an organic semiconductor component. The radiation transmitter and receiver are each mounted on a substrate (30) and opposite or adjacent to each other in a housing.

公开(公告)号：WO2005041247A3

公开(公告)日：2005-07-07

申请号：PCT/DE2004001877

申请日：2004-08-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  HAAS HEINZ ,  MOELLMER FRANK ,  SCHWIND MICHAEL

Inventor： HAAS HEINZ ,  MOELLMER FRANK ,  SCHWIND MICHAEL

IPC: H01L31/0203 ,  H01L33/44

CPC classification number: H01L31/02162 ,  H01L31/0304 ,  H01L33/44 ,  H01L2224/4847 ,  Y02E10/544

Abstract: The invention relates to a radiation detector for detecting radiation with a preset spectral sensitivity distribution (14), which has a maximum sensitivity in a predetermined wavelength

Abstract translation: 本发明涉及的放射线检测器，用于检测与在预定波长lambda0具有灵敏度最大值的规定的分光灵敏度分布（14）的辐射，所述辐射检测器优选地包括III-V族半导体材料，特别优选至少一个半导体芯片（1）和至少一个 所述半导体芯片下游光学滤波器，其中所述半导体芯片包含至少一种III-V族半导体材料，并且所述光学滤波器吸收波长大于所述灵敏度最大值的波长λ0的辐射。