Abstract:
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a circuit device for operating a pulse laser diode that can operate the pulse diode as stably as possible. SOLUTION: The circuit device has the pulse laser diode 1 and a pulse generating circuit 5 and further includes a DC current source 2 capable of varying the light emission wavelength of the pulse laser diode by supplying a bias current having a smaller value than a light emission threshold to the pulse laser diode and varying the value of the bias current to control the temperature of a chip of the pulse laser diode. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
Abstract:
Die Erfindung betrifft eine elektrische Schaltung zum Ansteuern eines lichtemittierenden Bauelements, wobei die Schaltung eine Parallelschaltung eines Kondensators und eines Schaltelements aufweist. Ein erster Anschluss für eine Spannungsversorgung ist mit einem ersten Kontakt des Kondensators verbunden. Ein zweiter Anschluss für eine Spannungsversorgung ist mit einem zweiten Kontakt des Kondensators verbunden. Das Schaltelement weist einen ersten elektrischen Schalter mit einem ersten Eingang für ein erstes Schaltsignal, einen zweiten elektrischen Schalter mit einem zweiten Eingang für ein zweites Schaltsignal, sowie einen dritten Anschluss und einen vierten Anschluss auf. Der dritte und der vierte Anschluss bilden einen Bauteilanschluss für das lichtemittierende Bauelement. Mittels des ersten Schalters kann ein erster Strompfad leitend geschalten werden, wobei der erste Strompfad den Bauteilanschluss enthält. Mittels des zweiten Schalters kann ein zweiter Strompfad leitend geschalten werden, wobei der zweite Strompfad parallel zum Bauteilanschluss ist.
Abstract:
The circuit arrangement has a pulse laser diode (1) and a current source (2) for supplying a direct current into the pulse laser diode. The current limiting (3) is provided for limiting the supplied direct current to a value, which is smaller than the lasing threshold of the pulse laser diode. An independent claim is included for a method for operating a pulse laser diode.
Abstract:
Die Erfindung betrifft ein Lasermodul (100) umfassend – ein Gehäuse (110) mit einer Kavität (111) und einer Fensteröffnung (112), – eine in der Kavität (111) angeordnete seitenemittierende Halbleiterlaserdiode (120) zum Emittieren einer Lichtstrahlung in Form eines Laserstrahls (123), – eine optische Umlenkstruktur (130) zum Umlenken des von der Halbleiterlaserdiode (120) emittierten Laserstrahls (123) in Richtung der Fensteröffnung (112), und – ein im Bereich der Fensteröffnung (112) angeordnetes diffraktives optisches Element (140) zum Erzeugen eines Laserstrahls (125) mit einem definierten Abstrahlprofil. Dabei sind die optische Umlenkstruktur (130) und das diffraktive optische Element (140) einstückig in Form eines gemeinsamen optischen Bauteils (150) ausgebildet.
Abstract:
A laser diode component comprising a laser diode bar on which a specific operating voltage is impressed during operation and with which a bridging element is connected in parallel, which bridging element is in a current-blocking state when the specific operating voltage is impressed on the associated laser diode bar and which bridging element changes over to a current-conducting state as soon as the voltage drop across the laser diode bar exceeds the operating voltage by a predefined voltage value. A circuit arrangement comprising a plurality of such laser diode components which are connected in series is furthermore specified.
Abstract:
A radiation-emitting component is specified, having a metallic carrier body (1) which comprises at least two connection locations (1a, 1b) for making electrical contact with the component, a laser diode chip (2) which is fixed to the metallic carrier body (1) and is electrically conductively connected to the at least two connection locations (1a, 1b), a housing (3) which surrounds the metallic carrier body (1) in places, wherein the housing (3) is made of plastics, the connection locations (1a, 1b) extend in each case at least in places along a bottom face (3a) and a side face (3b) of the housing (3), said side face running transversely with respect to the bottom face, and the component is surface-mountable by means of the connection locations (1a, 1b) in such a way that the bottom face (3a) or the side face (3b) forms a mounting face of the component. A transistor (5) and capacitors (6) can also be mounted on the carrier body (1) to drive the laser diode chip (2).
Abstract:
In einer Ausführungsform umfasst der Halbleiterlaser (1) umfasst eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Zone (20) zur Erzeugung von Laserstrahlung (L). An einander gegenüberliegenden Hauptseiten der Halbleiterschichtenfolge (2) befinden sich zwei elektrische Anschlussbereiche (21, 22). Ein Kontaktträger (3) umfasst elektrische Kontaktflächen (31, 32) zur elektrischen Kontaktierung der Halbleiterschichtenfolge (2). Eine elektrische Verbindungsleitung (23) reicht von der dem Kontaktträger (3) abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge (2) hin zum Kontaktträger (3). Die Verbindungsleitung (23) befindet sich an oder in der Halbleiterschichtenfolge (2).
Abstract:
In einer Ausführungsform umfasst die Halbleiterstrahlungsquelle (1) einen Halbleiterchip (2) zur Strahlungserzeugung sowie einen Kondensatorkörper (3). Der Halbleiterchip (2) und der Kondensatorkörper (3) sind übereinander gestapelt angeordnet. Ferner ist der Halbleiterchip (2) flächig und direkt elektrisch mit dem Kondensatorkörper (3) verbunden.