公开(公告)号：JP2005079580A

公开(公告)日：2005-03-24

申请号：JP2004245787

申请日：2004-08-25

Applicant: Osram Opto Semiconductors Gmbh ,  オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH

Inventor： BEHRINGER MARTIN ,  LUFT JOHANN ,  ACKLIN BRUNO

IPC: H01S5/026 ,  H01L31/072 ,  H01S5/024 ,  H01S5/30 ,  H01S5/34 ,  H01S5/40

CPC classification number: H01S5/405 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02288 ,  H01S5/02423

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high-power laser apparatus, particularly suitable to an application case of pumping and capable of being manufactured at a technical cost as small as possible.
SOLUTION: A semiconductor (1) is integrated into a monolithic structure, where a cooling element (2) is provided, and the semiconductor (1) is provided on the cooling element (2).
COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种特别适用于泵送应用情况并能以尽可能小的技术成本制造的大功率激光装置。 解决方案：将半导体（1）集成到单片结构中，其中设置有冷却元件（2），并且半导体（1）设置在冷却元件（2）上。 版权所有（C）2005，JPO＆NCIPI

公开(公告)号：JP2007227935A

公开(公告)日：2007-09-06

申请号：JP2007043887

申请日：2007-02-23

Applicant: Osram Opto Semiconductors Gmbh ,  オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH

Inventor： BEHRINGER MARTIN ,  FELTGES HARALD ,  HOEFER THOMAS ,  FRANK MELLMER

IPC: H01L33/58 ,  H01S5/022

CPC classification number: H01L33/486 ,  H01L31/0203 ,  H01L33/58 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electronic module, which reduces or avoids an unfavorable action affecting an optoelectronics constituent element. SOLUTION: The electronic module includes a housing body having a recess part in which the optoelectronics constituent element is arranged, and a film having a polyimide which is arranged on the recess part so as to form a cavity part. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供减少或避免影响光电子构成元件的不利动作的电子模块。 解决方案：电子模块包括壳体，其具有设置有光电子构成元件的凹部，以及具有布置在凹部上以形成空腔部分的聚酰亚胺的膜。 版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2003273458A

公开(公告)日：2003-09-26

申请号：JP2003019046

申请日：2003-01-28

Applicant: Osram Opto Semiconductors Gmbh ,  オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング

Inventor： BEHRINGER MARTIN

IPC: G02B6/34 ,  G02B6/42 ,  H01S5/14

CPC classification number: G02B6/4215 ,  G02B6/4204 ,  H01S5/146 ,  H01S5/2036

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To assure beam inputting/uniting that is effective as much as possible with a compact structure by developing a device for inputting/uniting a beam to/with a fiber light guide. SOLUTION: Related to the device for inputting/uniting a beam to/with the fiber light guide, an outputting/uniting mirror of a resonator is formed in or on the fiber light guide. COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Abstract translation: 要解决的问题：通过开发用于将光束输入/结合到/与光纤光导的装置，通过紧凑的结构来确保尽可能有效的光束输入/组合。 解决方案：与用于将光束输入/结合到/与光纤光导的装置相关，在光纤光导中或其上形成谐振器的输出/联合镜。 版权所有（C）2003，JPO

公开(公告)号：WO0243204A3

公开(公告)日：2003-10-16

申请号：PCT/DE0104350

申请日：2001-11-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  BEHRINGER MARTIN ,  EBELING KARL ,  KNOEDL THOMAS ,  LUFT JOHANN

Inventor： BEHRINGER MARTIN ,  EBELING KARL ,  KNOEDL THOMAS ,  LUFT JOHANN

IPC: H01S5/32 ,  H01S5/40 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01S5/4043 ,  H01S5/3095 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/4087

Abstract: The invention relates to an assembly of stacked semiconductor laser diodes, arranged on a substrate (1). A first laser diode (12) is positioned on the substrate (1) and a second laser diode (13) is positioned on top of the first laser diode (12). A contact layer (6) is located between the first laser diode (12) and the second laser diode (13). The contact layer (6) comprises a first conductive layer (18) of a first conductivity type, a second conductive layer (20) of a second conductivity type and an intermediate layer (19), which is located between the first and the second conductive layers (18, 20).

Abstract translation: 本发明涉及一种层叠的半导体二极管激光器，其被配置在基板（1）上的布置。 第一二极管激光器（12）的衬底（1）和第二二极管激光器（13）上布置在所述第一二极管（12）。 第一二极管（12）和第二二极管（13）之间设置的接触层（6）。 接触层（6）包括设置在第一和第二导电层之间的第一导电类型和第二导电类型的第二导电层（20）和中间层（19）的第一导电层（18）（18，20） ，

公开(公告)号：WO0249168A3

公开(公告)日：2003-01-16

申请号：PCT/DE0104687

申请日：2001-12-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  ACKLIN BRUNO ,  BEHRINGER MARTIN ,  EBELING KARL ,  HANKE CHRISTIAN ,  HEERLEIN JOERG ,  KORTE LUTZ ,  LUFT JOHANN ,  SCHLERETH KARL-HEINZ ,  SPAETH WERNER ,  SPIKA ZELJKO

Inventor： ACKLIN BRUNO ,  BEHRINGER MARTIN ,  EBELING KARL ,  HANKE CHRISTIAN ,  HEERLEIN JOERG ,  KORTE LUTZ ,  LUFT JOHANN ,  SCHLERETH KARL-HEINZ ,  SPAETH WERNER ,  SPIKA ZELJKO

IPC: H01S5/042 ,  H01S5/16 ,  H01S5/227

CPC classification number: H01S5/16 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/168 ,  H01S5/2275

Abstract: The invention relates to a semiconductor laser with a semiconductor body (1) that comprises a first and a second main surface, preferably provided with one contact surface (2,3) each, and a first and a second mirror surface (6,7). An active layer (4) and a current-carrying layer (5) are interposed between the main surfaces. The current carrying layer (5) has at least one strip-shaped resistance zone (8) that runs at an angle to the resonator axis (18) and whose specific surface resistance is higher in at least some zones than in the zones of the current carrying layer (5) adjoining the resistance zone (8).

Abstract translation: 本发明描述了具有第一和第二，优选在每种情况下与设置以及第一和第二反射镜表面（6,7）的主表面的接触表面（2,3）的半导体主体（1）的半导体激光器。 的有源层（4）和一个电流传导层（5）的主表面之间形成。 电流导通层（5）具有至少一个带状横向于上行驶阻力区中的谐振器轴线（18）（8），其薄层电阻至少比增加了电阻区域（8）在一些地区电流传导层（5）的相邻区域。

公开(公告)号：WO0133607A3

公开(公告)日：2001-10-25

申请号：PCT/DE0003852

申请日：2000-11-02

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  LUFT JOHANN ,  ACKLIN BRUNO ,  HEERLEIN JOERG ,  SCHLERETH KARL HEINZ ,  SPAETH WERNER ,  SPIKA ZELJKO ,  HANKE CHRISTIAN ,  KORTE LUTZ ,  EBELING KARL ,  BEHRINGER MARTIN

Inventor： LUFT JOHANN ,  ACKLIN BRUNO ,  HEERLEIN JOERG ,  SCHLERETH KARL-HEINZ ,  SPAETH WERNER ,  SPIKA ZELJKO ,  HANKE CHRISTIAN ,  KORTE LUTZ ,  EBELING KARL ,  BEHRINGER MARTIN

IPC: H01S5/40 ,  H01L25/075 ,  H01L33/48 ,  H01S5/022

CPC classification number: H01L33/486 ,  H01L25/0756 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01S5/02228 ,  H01S5/02244 ,  H01S5/02292 ,  H01S5/3095 ,  H01S5/4043 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: The invention relates to a laser diode device with a laser diode chip (4) that is mounted in a housing (1) for a light-emitting diode. Said laser diode chip (4) is structured as a multi-beam laser diode (L1, L2) the terminals of which are linked with the terminal of the LED housing.

Abstract translation: 它是一种具有激光二极管芯片（4），提供了一种激光二极管设备，该设备被安装在用于发光二极管外壳（1），其中，所述激光二极管芯片（4）的多光束激光二极管的结构（L1，L2），其连接与触点 LED外壳的端子连接。

公开(公告)号：DE102019100624A1

公开(公告)日：2020-07-16

申请号：DE102019100624

申请日：2019-01-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KREINER LAURA ,  BEHRINGER MARTIN

IPC: H01L33/44

Abstract: Ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) umfasst einen Halbleiterkörper (109) mit einer ersten Hauptoberfläche (111), eine erste dielektrische Schicht (125) über der ersten Hauptoberfläche (111), und eine zweite dielektrische Schicht (130) auf der von der ersten Hauptoberfläche (111) abgewandten Seite der ersten dielektrischen Schicht (125). Die zweite dielektrische Schicht (130) ist zu einer geordneten photonischen Struktur strukturiert. Der Halbleiterkörper (109) ist geeignet, elektromagnetische Strahlung (20) über die erste Hauptoberfläche (111) zu emittieren oder aufzunehmen. Die erste Hauptoberfläche (111) ist aufgeraut, und die erste dielektrische Schicht (125) ist geeignet, eine Aufrauung (112) der ersten Hauptoberfläche (111) einzuebnen.

公开(公告)号：DE102018130560A1

公开(公告)日：2020-06-04

申请号：DE102018130560

申请日：2018-11-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BEHRINGER MARTIN ,  HALBRITTER HUBERT ,  MOHAJERANI MATIN ,  BEHRES ALEXANDER

IPC: H01S5/125 ,  H01S5/10 ,  H01S5/183

Abstract: Ein optoelektronisches Halbleiterbauelement umfasst einen ersten Resonatorspiegel (110), einen zur Strahlungserzeugung geeigneten aktiven Bereich (115), und einen zweiten Resonatorspiegel (120), die jeweils entlang einer ersten Richtung übereinander angeordnet sind. Das optoelektronische Halbleiterbauelement (10) umfasst weiterhin eine Brechungsindexmodulationsschicht (133) innerhalb eines optischen Resonators zwischen dem ersten Resonatorspiegel (110) und dem zweiten Resonatorspiegel (120). Die Brechungsindexmodulationsschicht (133) weist erste Bereiche (136) eines ersten Materials mit einem ersten Brechungsindex sowie zweite Bereiche (138) eines zweiten Materials mit einem zweiten Brechungsindex auf, wobei die ersten Bereiche (136) in einer zur ersten Richtung senkrechten Ebene angrenzend an die zweiten Bereiche (138) angeordnet sind.

公开(公告)号：DE102017103856A1

公开(公告)日：2018-08-30

申请号：DE102017103856

申请日：2017-02-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： RUDOLPH ANDREAS ,  BRÖLL MARKUS ,  SCHMID WOLFGANG ,  BAUR JOHANNES ,  BEHRINGER MARTIN

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/06

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) beschrieben, umfassend:- einen p-Typ-Halbleiterbereich (4),- einen n-Typ-Halbleiterbereich (9),- eine zwischen dem p-Typ-Halbleiterbereich (4) und dem n-Typ-Halbleiterbereich (9) angeordnete aktive Schicht (6), die als Mehrfach-Quantentopfstruktur (6A, 6B) ausgebildet ist und abwechselnde Quantentopfschichten (6A) und Barriereschichten (6B) aufweist, wobei die Quantentopfschichten (6A) zur Emission einer ersten Strahlung (21) in einem ersten Wellenlängenbereich geeignet sind, und- mindestens eine weitere Quantentopfschicht (7A), die außerhalb der Mehrfach-Quantentopfstruktur (6A, 6B) angeordnet ist und zur Emission einer zweiten Strahlung (22) in einem zweiten Wellenlängenbereich geeignet ist,wobei- der erste Wellenlängenbereich im für das menschliche Auge unsichtbaren infraroten Spektralbereich liegt, und- der zweite Wellenlängenbereich Wellenlängen umfasst, die zumindest zum Teil für das menschliche Auge sichtbar sind.

公开(公告)号：DE102004024156B4

公开(公告)日：2011-01-13

申请号：DE102004024156

申请日：2004-05-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： EBERHARD FRANZ ,  PHILIPPENS MARC ,  JUNG CHRISTIAN ,  BEHRINGER MARTIN

IPC: H01S5/02 ,  H01S5/024 ,  H01S5/042