公开(公告)号：DE102013215350A1

公开(公告)日：2015-02-05

申请号：DE102013215350

申请日：2013-08-05

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SORG JÖRG ,  DOBNER ANDREAS ,  BIEBERSDORF ANDREAS

IPC: H01L25/075 ,  H01L21/56 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Beleuchtungsanordnung (1) mit einer durchgehenden flächigen Trägerplatte (2), auf der mehrere LEDs (52) angeordnet werden; dabei wird ein einer Verwölbung der Trägerplatte (2) vorbeugender Stabilisierungsbereich (6) erzeugt, indem ein Bereich der Trägerplatte (2) aus der Ebene des flächigen Materials heraus umgeformt wird.

公开(公告)号：DE102008049069B4

公开(公告)日：2020-07-16

申请号：DE102008049069

申请日：2008-09-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SORG JÖRG ,  WEGLEITER WALTER ,  WUTZ OLIVER ,  WEIDNER KARL

IPC: H01L25/18 ,  H01L33/00

Abstract: Optoelektronisches Modul, das ein Trägersubstrat (1), zumindest ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement (2b) und mindestens ein elektrisches Bauelement (3a) aufweist, wobei- das Trägersubstrat (1) zur elektrischen Kontaktierung des strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements (2b) und des elektrischen Bauelements (3a) strukturierte Leiterbahnen aufweist,- das strahlungsemittierende Halbleiterbauelement (2b) eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht, eine erste Kontaktfläche (21b) und eine zweite Kontaktfläche (22b) aufweist, wobei die erste Kontaktfläche (21b) auf der von dem Trägersubstrat (1) abgewandten Oberfläche des strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements (2b) angeordnet ist,- das elektrische Bauelement (3a) einen ersten Kontaktbereich (31) und einen zweiten Kontaktbereich (32) aufweist, wobei der erste Kontaktbereich (31) zumindest teilweise auf der von dem Trägersubstrat (1) abgewandten Oberfläche des elektrischen Bauelements (3a) angeordnet ist,- das strahlungsemittierende Halbleiterbauelement (2b) und das elektrische Bauelement (3a) mit einer ersten elektrisch isolierenden Schicht (41) versehen sind, die eine erste Aussparung (4a) im Bereich der ersten Kontaktfläche (21b) des strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements (2b) und eine zweite Aussparung (4b) im ersten Kontaktbereich (31) des elektrischen Bauelements (3) aufweist,- auf einem Teilbereich der ersten elektrisch isolierenden Schicht (41) eine erste Leitstruktur (51a) angeordnet ist, die die erste Kontaktfläche (21b) des strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements (2b) mit dem ersten Kontaktbereich (31) des elektrischen Bauelements (3a) elektrisch leitend verbindet,- das strahlungsemittierende Halbleiterbauelement (2b) und das elektrische Bauelement (3a) auf einer Oberfläche des Trägersubstrats (1) und zumindest ein weiteres elektrisches Bauelement (3b, 3d) auf der dem strahlungsemittierenden Halbleiterbauelement (2b) und dem elektrischen Bauelement (3a) gegenüberliegenden Oberfläche des Trägersubstrats (1) angeordnet sind und- das strahlungsemittierende Halbleiterbauelement (2b) und/oder das elektrische Bauelement (3a) mit dem weiteren elektrischen Bauelement (3b, 3d) mittels einer weiteren Leitstruktur (6), die über eine Durchkontaktierung durch das Trägersubstrat (1) und die erste elektrisch isolierende Schicht (41) führt, elektrisch leitend verbunden ist.

公开(公告)号：DE102017128457A1

公开(公告)日：2019-06-06

申请号：DE102017128457

申请日：2017-11-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHWARZ THOMAS ,  PLÖSSL ANDREAS ,  SORG JÖRG

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/52 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von optoelektronischen Bauelementen. Das Verfahren umfasst ein Bereitstellen eines metallischen Trägers, wobei der Träger eine Vorderseite und eine der Vorderseite entgegengesetzte Rückseite aufweist, ein vorderseitiges Entfernen von Trägermaterial, so dass der Träger im Bereich der Vorderseite hervorstehende Trägerabschnitte und dazwischen angeordnete Vertiefungen aufweist, ein Ausbilden eines an Trägerabschnitte angrenzenden Kunststoffkörpers, ein Anordnen von optoelektronischen Halbleiterchips auf Trägerabschnitten, ein rückseitiges Entfernen von Trägermaterial im Bereich der Vertiefungen, so dass der Träger in separate Trägerabschnitte strukturiert wird, und ein Durchführen einer Vereinzelung. Hierbei wird der Kunststoffkörper zwischen separaten Trägerabschnitten durchtrennt und werden vereinzelte optoelektronische Bauelemente mit wenigstens einem optoelektronischen Halbleiterchip gebildet. Die Erfindung betrifft des Weiteren ein optoelektronisches Bauelement.

公开(公告)号：DE102018130578A1

公开(公告)日：2020-06-04

申请号：DE102018130578

申请日：2018-11-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SORG JÖRG

IPC: H01S5/022 ,  H05K1/02 ,  H05K5/06

Abstract: Eine Laservorrichtung (10) umfasst ein hermetisches Gehäuse (11), das einen Innenraum (12) aufweist und zumindest teilweise aus Leiterplattenmaterial gefertigt ist, ein Laserelement (13), das in dem Innenraum (12) angeordnet ist, und mindestens eine anorganische Schicht (35), die den Innenraum (12) von dem Leiterplattenmaterial hermetisch abschirmt.