公开(公告)号：KR20180072874A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：KR20187017728

申请日：2010-07-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WEIDNER KARL ,  WIRTH RALPH ,  KALTENBACHER AXEL ,  WEGLEITER WALTER ,  BARCHMANN BERND ,  WUTZ OLIVER ,  MARFELD JAN

IPC: H01L31/0232 ,  H01L33/48 ,  H01L33/54 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3185 ,  H01L25/042 ,  H01L25/0753 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/02322 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/1892 ,  H01L33/483 ,  H01L33/486 ,  H01L33/502 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/00

Abstract: 본발명은광전자반도체소자를제조하기위한방법에관한것이며, 상기방법은하기의단계들을포함한다: 캐리어(1)를제공하는단계, 적어도하나의광전자반도체칩(2)을상기캐리어(1)의상부면(1a)에배치하는단계, 상기적어도하나의광전자반도체칩(2)을성형바디(3)에의하여변형하는단계 - 상기성형바디(3)는상기적어도하나의광전자반도체칩(2)의모든측면들(2c)을덮고, 상기캐리어(1)로부터떨어져서마주하는표면은상기적어도하나의반도체칩(2)의상부면(2a)에서또는상기캐리어쪽을향하는캐리어의표면은상기적어도하나의반도체칩(2)의하부면(2b)에서성형바디(3)를갖지않거나또는노출되어있음 -, 상기캐리어(1)를제거하는단계.

公开(公告)号：WO2009079985A3

公开(公告)日：2009-10-15

申请号：PCT/DE2008002067

申请日：2008-12-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  WEGLEITER WALTER ,  STATH NORBERT ,  BRAUNE BERT ,  WEIDNER KARL ,  REBHAN MATTHIAS ,  WULKESCH HANS

Inventor： WEGLEITER WALTER ,  STATH NORBERT ,  BRAUNE BERT ,  WEIDNER KARL ,  REBHAN MATTHIAS ,  WULKESCH HANS

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/44 ,  H01L33/46 ,  H01L33/60 ,  H01L51/52

CPC classification number: H01L51/52 ,  H01L24/24 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/44 ,  H01L33/46 ,  H01L33/60 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/5284 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: The invention relates to an optoelectronic component (1, 12, 14, 17) comprising a carrier element (2), at least two elements (3) that are arranged adjacent to each other on a first side of the carrier element (2) and that respectively have at least one optically active area (4) for producing electromagnetic radiation. Said optoelectronic component (1, 12, 14, 17) comprises an electrically insulating protective layer (5) that is arranged at least partially on one surface of the at least two adjacent elements (3) that is opposite the first side. The protective layer (5) at least predominantly prevents, at least in a first area (5a) arranged between the at least two adjacent elements (3), electromagnetic radiation (10) that can be produced by the optically active areas (4) to be transmitted. The invention also relates to a production method (30) for an optoelectronic component (1, 12, 14, 17).

Abstract translation: 本发明涉及一种光电子器件（1，12，14，17），包括一个载体元件（2），至少两个在承载元件（2）的第一侧上布置相邻的元件（3）与至少一种光学活性区域（4） 用于产生电磁辐射。 光电子器件（1，12，14，17）具有至少部分地相对于（3）布置在所述至少两个相邻元件，电绝缘的保护层的第一侧表面中的一个（5），其中所述保护层（5）之间的至少一个 布置在所述至少两个相邻元件（3）的光学有源区（4）的传输的所述第一区域（5a）的可生成至少电磁辐射（10）主要是抑制。 本发明还涉及一种用于光电子器件（1，12，14，17）的制造方法（30）。

公开(公告)号：WO2007025521A2

公开(公告)日：2007-03-08

申请号：PCT/DE2006001513

申请日：2006-08-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  WEIDNER KARL

Inventor： WEIDNER KARL

IPC: H01L23/051 ,  H01L23/482 ,  H01L33/44 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L23/482 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L25/0655 ,  H01L33/44 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/24051 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/24998 ,  H01L2224/82007 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/82047 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

Abstract: The invention relates to a method for producing a semiconductor component, especially a semiconductor structure having a surface structure or topography created on a substrate (1) by means of electronic components (2). According to said method, one or several electronic components (2) are applied to a substrate (1), and an insulation layer (3) is applied to the topography created on the substrate (1) by means of the at least one component (2). Contacting holes (5) are then created at contact points (8, 9) of the at least one electronic component in the insulation layer (3), the insulation layer (3) and the contact points (8, 9) are plated in the contacting holes (5), and the plating is structured to create electrical connections (4). The insulation layer (3) is provided with a glass coating.

Abstract translation: 在用于与电子元件（2）的手段在衬底上制造半导体器件，特别是半导体结构的本发明的方法（1）产生的表面结构或形貌，电子部件（2）或在基板上多个电子元件（1）被应用，并且 的绝缘层（3）由所述至少一个部件（2）（1）地形应用于生成的对在基板上。 随后Ankontaktierungsöffnungen（5）的接触点处的绝缘层（3）在（8,9）中产生的至少一个电子部件的，绝缘层（3）和所述接触点（8,9）在Ankontaktierungsöffnungen（5）金属化平面的，并且所述金属化 构造成产生电连接（4），其中所述绝缘层（3）的玻璃涂层。

公开(公告)号：WO2005050746A3

公开(公告)日：2005-07-28

申请号：PCT/EP2004052676

申请日：2004-10-27

Applicant: SIEMENS AG ,  OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  GUENTHER EWALD ,  SORG JOERG-ERICH ,  WEIDNER KARL ,  ZAPF JOERG

Inventor： GUENTHER EWALD ,  SORG JOERG-ERICH ,  WEIDNER KARL ,  ZAPF JOERG

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/46 ,  H01L33/48 ,  H01L33/62 ,  H01L33/00 ,  H01L31/02 ,  H01L31/0203 ,  H01S5/02 ,  H01S5/042

CPC classification number: H01L33/486 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L24/97 ,  H01L31/0203 ,  H01L33/44 ,  H01L33/46 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/2402 ,  H01L2224/24051 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  Y10T428/24331 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

Abstract: The invention relates to a product comprising a substrate with an opto-electronic component which is contacted in a planar manner.

Abstract translation: 一种制品，包括具有接触平面的光电元件的基板。

公开(公告)号：EP2606510B1

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：EP11752144

申请日：2011-08-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WEIDNER KARL ,  WULKESCH HANS ,  KALTENBACHER AXEL ,  WEGLEITER WALTER ,  RAMCHEN JOHANN

IPC: H01L21/768 ,  H01L33/00 ,  H01L33/48 ,  H01L33/50 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L31/0232 ,  H01L21/76804 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/48 ,  H01L33/486 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：DE102008049069B4

公开(公告)日：2020-07-16

申请号：DE102008049069

申请日：2008-09-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SORG JÖRG ,  WEGLEITER WALTER ,  WUTZ OLIVER ,  WEIDNER KARL

IPC: H01L25/18 ,  H01L33/00

Abstract: Optoelektronisches Modul, das ein Trägersubstrat (1), zumindest ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement (2b) und mindestens ein elektrisches Bauelement (3a) aufweist, wobei- das Trägersubstrat (1) zur elektrischen Kontaktierung des strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements (2b) und des elektrischen Bauelements (3a) strukturierte Leiterbahnen aufweist,- das strahlungsemittierende Halbleiterbauelement (2b) eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht, eine erste Kontaktfläche (21b) und eine zweite Kontaktfläche (22b) aufweist, wobei die erste Kontaktfläche (21b) auf der von dem Trägersubstrat (1) abgewandten Oberfläche des strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements (2b) angeordnet ist,- das elektrische Bauelement (3a) einen ersten Kontaktbereich (31) und einen zweiten Kontaktbereich (32) aufweist, wobei der erste Kontaktbereich (31) zumindest teilweise auf der von dem Trägersubstrat (1) abgewandten Oberfläche des elektrischen Bauelements (3a) angeordnet ist,- das strahlungsemittierende Halbleiterbauelement (2b) und das elektrische Bauelement (3a) mit einer ersten elektrisch isolierenden Schicht (41) versehen sind, die eine erste Aussparung (4a) im Bereich der ersten Kontaktfläche (21b) des strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements (2b) und eine zweite Aussparung (4b) im ersten Kontaktbereich (31) des elektrischen Bauelements (3) aufweist,- auf einem Teilbereich der ersten elektrisch isolierenden Schicht (41) eine erste Leitstruktur (51a) angeordnet ist, die die erste Kontaktfläche (21b) des strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements (2b) mit dem ersten Kontaktbereich (31) des elektrischen Bauelements (3a) elektrisch leitend verbindet,- das strahlungsemittierende Halbleiterbauelement (2b) und das elektrische Bauelement (3a) auf einer Oberfläche des Trägersubstrats (1) und zumindest ein weiteres elektrisches Bauelement (3b, 3d) auf der dem strahlungsemittierenden Halbleiterbauelement (2b) und dem elektrischen Bauelement (3a) gegenüberliegenden Oberfläche des Trägersubstrats (1) angeordnet sind und- das strahlungsemittierende Halbleiterbauelement (2b) und/oder das elektrische Bauelement (3a) mit dem weiteren elektrischen Bauelement (3b, 3d) mittels einer weiteren Leitstruktur (6), die über eine Durchkontaktierung durch das Trägersubstrat (1) und die erste elektrisch isolierende Schicht (41) führt, elektrisch leitend verbunden ist.

公开(公告)号：DE102012002605B4

公开(公告)日：2016-12-22

申请号：DE102012002605

申请日：2012-02-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ILLEK STEFAN ,  WEGLEITER WALTER ,  WEIDNER KARL ,  STEGMEIER STEFAN

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/48 ,  H01L33/62 ,  H01L33/64

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils (1) mit den Schritten: – Bereitstellen eines Zwischenträgers (2) mit einer Trägeroberseite (20), – Anbringen einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips (3) auf der Trägeroberseite (20), wobei die Halbleiterchips (3) voneinander beabstandet sind, – Erstellen eines Formkörpers (4), der die Halbleiterchips (3) in lateraler Richtung ringsum unmittelbar umgibt und mechanisch dauerhaft miteinander verbindet, wobei mindestens eine Hauptseite (30) der Halbleiterchips (3) frei bleibt von einem Material des Formkörpers (4), – Entfernen des Zwischenträgers (2), und – Aufbringen eines Wärmespreizers (6) an dem Zwischenträger (2) abgewandten Unterseiten (35, 45) der Halbleiterchips (3) und des Formkörpers (4) nach dem Erstellen des Formkörpers (4) und nach dem Entfernen des Zwischenträgers (2), wobei – eine Dicke des Wärmespreizers (6) zwischen einschließlich 10 μm und 250 μm beträgt, und – der Wärmespreizer (6) elektrisch leitfähig ist und zu mindestens zwei elektrischen Kontaktstellen (65) des Halbleiterbauteils (1) gefertigt wird, wobei der Formkörper (4) zwei elektrische Durchführungen (5a, 5b) aufweist, über welche eine elektrische Verbindung von einer Körperoberseite zu einer Unterseite des Formkörpers (4) hergestellt wird, und durch die zwei Durchführungen (5a, 5b) eine elektrische Verbindung zwischen Kontaktstellen (36) der Halbleiterchips und dem Wärmespreizer (6) hergestellt wird.

公开(公告)号：DE102013101260A1

公开(公告)日：2014-08-14

申请号：DE102013101260

申请日：2013-02-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WEGLEITER WALTER ,  ALTIERI-WEIMAR PAOLA ,  MOOSBURGER JÜRGEN ,  STEGMEIER STEFAN ,  WEIDNER KARL

IPC: H01L33/62 ,  H01L23/14 ,  H01L23/48 ,  H01L25/075

Abstract: Es wird eine Vorrichtung (1) mit zumindest einem optoelektronischen Halbleiterbauelement (2) und einem Träger (5), auf dem das Halbleiterbauelement angeordnet ist, angegeben, wobei – an eine das Halbleiterbauelement begrenzende Seitenfläche (25) eine Isolationsschicht (4) angrenzt; – eine Kontaktbahn (6) auf einer Strahlungsdurchtrittsfläche des Halbleiterbauelements angeordnet und elektrisch leitend mit dem Halbleiterbauelement verbunden ist; – die Kontaktbahn sich über die Seitenfläche des Halbleiterbauelements hinaus erstreckt und auf der Isolationsschicht angeordnet ist; und – die Kontaktbahn bezüglich einer senkrecht zu der Seitenfläche auftretenden thermo-mechanischen Beanspruchung entlastet ist.

公开(公告)号：DE102010045403A1

公开(公告)日：2012-03-15

申请号：DE102010045403

申请日：2010-09-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WEIDNER KARL ,  KALTENBACHER AXEL ,  RAMCHEN JOHANN ,  WEGLEITER WALTER ,  BARCHMANN BERND

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/60

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben, mit einem Träger (3), der einen ersten (1) und einen zweiten Anschlussbereich (2) aufweist, sowie mit einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (4), der eine Grundfläche (5) und eine der Grundfläche gegenüberliegende Strahlungsaustrittsfläche (6) aufweist, wobei der Halbleiterchip (4) mit der Grundfläche (5) auf dem Träger (3) angeordnet ist. Ferner weist das optoelektronische Bauelement ein Gehäuse (10) mit einem unteren Gehäuseteil (8), das an Seitenflanken (14) des Halbleiterchips (4) angrenzt, und einem oberen Gehäuseteil (9), das einen Reflektor (15) für die vom Halbleiterchip (4) emittierte Strahlung (16) ausbildet, auf. Eine elektrische Anschlussschicht (7) ist von der Strahlungsaustrittsfläche (6) des Halbleiterchips (4) über einen Teil der Grenzfläche (19) zwischen dem unteren (8) und dem oberen Gehäuseteil (9) und durch das untere Gehäuseteil (8) hindurch zu dem ersten Anschlussbereich (1) auf dem Träger (3) geführt.

公开(公告)号：DE102010033963A1

公开(公告)日：2012-02-16

申请号：DE102010033963

申请日：2010-08-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WEIDNER KARL ,  RAMCHEN JOHANN ,  KALTENBACHER AXEL ,  WEGLEITER WALTER ,  BARCHMANN BERND ,  KRAEUTER GERTRUD DR

IPC: H01L33/44 ,  H01L23/29

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben, das eine Schutzschicht (80) umfasst, die ein Material aufweist, das hydrophobe Gruppen enthält. Weiterhin wird ein Verfahren angegeben, mit dem ein optoelektronisches Bauelement hergestellt werden kann, und bei dem eine Schutzschicht (80), die hydrophobe Gruppen aufweist, aufgebracht wird.