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公开(公告)号：KR20180072874A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：KR20187017728
申请日：2010-07-19
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： WEIDNER KARL , WIRTH RALPH , KALTENBACHER AXEL , WEGLEITER WALTER , BARCHMANN BERND , WUTZ OLIVER , MARFELD JAN
IPC: H01L31/0232 , H01L33/48 , H01L33/54 , H01L33/60 , H01L33/62
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L23/3107 , H01L23/3185 , H01L25/042 , H01L25/0753 , H01L31/02005 , H01L31/0203 , H01L31/0232 , H01L31/02322 , H01L31/02327 , H01L31/1892 , H01L33/483 , H01L33/486 , H01L33/502 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2933/0033 , H01L2933/005 , H01L2933/0066 , H01L2924/00
Abstract: 본발명은광전자반도체소자를제조하기위한방법에관한것이며, 상기방법은하기의단계들을포함한다: 캐리어(1)를제공하는단계, 적어도하나의광전자반도체칩(2)을상기캐리어(1)의상부면(1a)에배치하는단계, 상기적어도하나의광전자반도체칩(2)을성형바디(3)에의하여변형하는단계 - 상기성형바디(3)는상기적어도하나의광전자반도체칩(2)의모든측면들(2c)을덮고, 상기캐리어(1)로부터떨어져서마주하는표면은상기적어도하나의반도체칩(2)의상부면(2a)에서또는상기캐리어쪽을향하는캐리어의표면은상기적어도하나의반도체칩(2)의하부면(2b)에서성형바디(3)를갖지않거나또는노출되어있음 -, 상기캐리어(1)를제거하는단계.
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公开(公告)号：DE102009039891A1
公开(公告)日：2011-03-10
申请号：DE102009039891
申请日：2009-09-03
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： WEIDNER KARL , WIRTH RALPH , KALTENBACHER AXEL , WEGLEITER WALTER , BARCHMANN BERND , WUTZ OLIVER , MARFELD JAN
IPC: H01L33/62 , H01L21/70 , H01L25/075 , H01S5/022
Abstract: Es ist ein optoelektronisches Modul vorgesehen, das einen ersten Halbleiterkörper (2) mit einer Strahlungsaustrittsseite (2a), auf der ein elektrischer Anschlussbereich (21, 22) angeordnet ist, aufweist. Der erste Halbleiterkörper (2) ist mit einer der Strahlungsaustrittsseite (2a) gegenüberliegenden Seite auf einem Träger (1) angeordnet. Auf dem Träger (1) seitlich neben dem ersten Halbleiterkörper (2) ist ein Isolationsmaterial (3) angeordnet, das eine Kehle ausbildet und formschlüssig an den Halbleiterkörper (2) angrenzt. Auf dem ersten Halbleiterkörper (2) und dem Isolationsmaterial (3) ist zumindest bereichsweise eine Isolationsschicht (4) angeordnet, auf der zur planaren Kontaktierung des ersten Halbleiterkörpers (2) eine planare Leitstruktur angeordnet ist, die mit dem elektrischen Anschlussbereich (21, 22) elektrisch leitend verbunden ist. Weiter ist ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen optoelektronischen Moduls vorgesehen.
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公开(公告)号：DE102008049069B4
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：DE102008049069
申请日：2008-09-26
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： SORG JÖRG , WEGLEITER WALTER , WUTZ OLIVER , WEIDNER KARL
Abstract: Optoelektronisches Modul, das ein Trägersubstrat (1), zumindest ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement (2b) und mindestens ein elektrisches Bauelement (3a) aufweist, wobei- das Trägersubstrat (1) zur elektrischen Kontaktierung des strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements (2b) und des elektrischen Bauelements (3a) strukturierte Leiterbahnen aufweist,- das strahlungsemittierende Halbleiterbauelement (2b) eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht, eine erste Kontaktfläche (21b) und eine zweite Kontaktfläche (22b) aufweist, wobei die erste Kontaktfläche (21b) auf der von dem Trägersubstrat (1) abgewandten Oberfläche des strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements (2b) angeordnet ist,- das elektrische Bauelement (3a) einen ersten Kontaktbereich (31) und einen zweiten Kontaktbereich (32) aufweist, wobei der erste Kontaktbereich (31) zumindest teilweise auf der von dem Trägersubstrat (1) abgewandten Oberfläche des elektrischen Bauelements (3a) angeordnet ist,- das strahlungsemittierende Halbleiterbauelement (2b) und das elektrische Bauelement (3a) mit einer ersten elektrisch isolierenden Schicht (41) versehen sind, die eine erste Aussparung (4a) im Bereich der ersten Kontaktfläche (21b) des strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements (2b) und eine zweite Aussparung (4b) im ersten Kontaktbereich (31) des elektrischen Bauelements (3) aufweist,- auf einem Teilbereich der ersten elektrisch isolierenden Schicht (41) eine erste Leitstruktur (51a) angeordnet ist, die die erste Kontaktfläche (21b) des strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements (2b) mit dem ersten Kontaktbereich (31) des elektrischen Bauelements (3a) elektrisch leitend verbindet,- das strahlungsemittierende Halbleiterbauelement (2b) und das elektrische Bauelement (3a) auf einer Oberfläche des Trägersubstrats (1) und zumindest ein weiteres elektrisches Bauelement (3b, 3d) auf der dem strahlungsemittierenden Halbleiterbauelement (2b) und dem elektrischen Bauelement (3a) gegenüberliegenden Oberfläche des Trägersubstrats (1) angeordnet sind und- das strahlungsemittierende Halbleiterbauelement (2b) und/oder das elektrische Bauelement (3a) mit dem weiteren elektrischen Bauelement (3b, 3d) mittels einer weiteren Leitstruktur (6), die über eine Durchkontaktierung durch das Trägersubstrat (1) und die erste elektrisch isolierende Schicht (41) führt, elektrisch leitend verbunden ist.
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公开(公告)号：DE102007054800A1
公开(公告)日：2009-04-02
申请号：DE102007054800
申请日：2007-11-16
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： WUTZ OLIVER
Abstract: The film (8) has luminescence conversion material such as silicone, siloxane and spin-on oxides, with fluorescent substance that is in the form of organic particles or nanoparticles, where the film exhibits specific transparency to a visible wavelength range. The film exhibits preset viscosity such that the film follows preset contour and edges in micrometer range. The film is designed to be self-adhesive and laminar. A photostructured cover layer is exposed to UV radiation, where unexposed areas of the film are removed by laser radiation of a laser. An independent claim is also included for a method for producing luminescence conversion chip with a luminescence conversion film.
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公开(公告)号：DE102009039890A1
公开(公告)日：2011-03-10
申请号：DE102009039890
申请日：2009-09-03
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： WEIDNER KARL , WIRTH RALPH , KALTENBACHER AXEL , WEGLEITER WALTER , BARCHMANN BERND , WUTZ OLIVER , MARFELD JAN
Abstract: Es ist ein optoelektronisches Bauelement (10) vorgesehen, dass zumindest einen Halbleiterkörper (2) mit einer Strahlungsaustrittsseite (20) aufweist. Der Halbleiterkörper (2) ist mit einer der Strahlungsaustrittsseite (20) gegenüberliegenden Seite auf einem Substrat (1) angeordnet, wobei auf der Strahlungsaustrittsseite (20) zumindest ein elektrischer Anschlussbereich (22) angeordnet ist. Auf dem elektrischen Anschlussbereich (22) ist ein Metallisierungshügel (3) angeordnet. Ferner ist der Halbleiterkörper (2) zumindest teilweise mit einer Ioslationsschicht (4) versehen, wobei der Metallisierungshügel (3) die Isolationsschicht (4) überragt. Auf der Isolationsschicht (4) ist zur planaren Kontaktierung des Halbleiterkörpers (2) zumindest eine planare Leitstruktur (5) angeordnet, die mit dem elektrischen Anschlussbereich (22) über den Metallisierungshügel (3) elektrisch leitend verbunden ist. Weiter ist ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen optoelektronischen Bauelements (10) vorgesehen.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE102009036621A1
公开(公告)日：2011-02-10
申请号：DE102009036621
申请日：2009-08-07
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： WEIDNER KARL , WIRTH RALPH , KALTENBACHER AXEL , WEGLEITER WALTER , BARCHMANN BERND , WUTZ OLIVER , MARFELD JAN
IPC: H01L33/52 , H01L25/075 , H01L31/0203 , H01L33/50 , H01L33/62
Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils mit den folgenden Schritten angegeben: - Bereitstellen eines Trägers (1), - Anordnen zumindest eines optoelektronischen Halbleiterchips (2) an einer Oberseite (1a) des Trägers (1), - Umformen des zumindest einen optoelektronischen Halbleiterchips (2) mit einem Formkörper (3), wobei der Formkörper (3) alle Seitenflächen (2c) des zumindest einen optoelektronischen Halbleiterchips (2) bedeckt und wobei die dem Träger (1) abgewandte Oberfläche an der Oberseite (2a) oder die dem Träger zugewandte Oberfläche an der Unterseite (2b) des zumindest einen Halbleiterchips (2) frei vom Formkörper (3) bleibt oder freigelegt wird, - Entfernen des Trägers (1).
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公开(公告)号：DE102008049188A1
公开(公告)日：2010-04-01
申请号：DE102008049188
申请日：2008-09-26
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： WUTZ OLIVER , WEGLEITER WALTER , WEIDNER KARL , SORG JOERG , BRAUNE BERT
IPC: H01L25/075
Abstract: An optoelectronic module is described including a carrier substrate and a plurality of radiation-emitting semiconductor components. The carrier substrate includes structured conductor tracks. The semiconductor components each include an active layer for generating electromagnetic radiation, a first contact area and a second contact area. The first contact area is in each case arranged on that side of the semiconductor components that is remote from the carrier substrate. The semiconductor components are provided with an electrically insulating layer having a cutout in a region of the first contact area. Conductive structures are arranged in regions on the insulating layer. One of the conductive structures electrically conductively connects at least the first contact area of a semiconductor component to a further first contact area of a further semiconductor component or to a conductor track of the carrier substrate. A method for producing such a module is also described.
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公开(公告)号：DE102008049069A1
公开(公告)日：2010-04-01
申请号：DE102008049069
申请日：2008-09-26
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： SORG JOERG , WEGLEITER WALTER , WUTZ OLIVER , WEIDNER KARL , BRAUNE BERT
Abstract: The optoelectronic module is provided with a carrier substrate (1), a radiation emitting semiconductor component (2) and an electric component (3a). The carrier substrate is provided for electrical contact of radiation-emitting semiconductor component and has the electrical component structured traces. The radiation-emitting semiconductor device is provided for the generation of electromagnetic radiation suitable active layer. An independent claim is included for a method for manufacturing an optoelectronic module.
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公开(公告)号：DE102007054800B4
公开(公告)日：2024-12-12
申请号：DE102007054800
申请日：2007-11-16
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： WUTZ OLIVER
IPC: H01L33/50
Abstract: Lumineszenzdiodenchip, umfassend:- einen Grundkörper (4),- eine direkt auf den Grundkörper (4) aufgebrachte Lumineszenzkonversionsvorrichtung, die als Lumineszenzkonversionsfolie (8) ausgebildet ist, wobei- der Grundkörper (4) eine Lumineszenzdioden-Schichtenfolge (6) aufweist, die auf einen Träger (5) aufgebracht ist,- der Grundkörper (4) mindestens eine elektrische Kontaktfläche (1), die auf einer Hauptfläche (7) des Grundkörpers (4) angeordnet ist aufweist,- die Lumineszenzkonversionsfolie (8) mit Lumineszenzkonversionsmaterial, das mindestens einen Leuchtstoff aufweist gebildet ist,- die Lumineszenzkonversionsfolie (8) eine vorgegebene Transparenz im sichtbaren Wellenlängenbereich aufweist,- die Lumineszenzkonversionsfolie (8) eine Dicke zwischen einschließlich 30 µm und einschließlich 100 µm aufweist,- die Lumineszenzkonversionsfolie (8) auf Seitenflächen und auf der Hauptfläche (7) des Grundkörpers (4) eine konstante Dicke aufweist,- die Lumineszenzkonversionsfolie zur Vermeidung von Farbortschwankungen und Sedimentationsbildung von Leuchtstoffpartikeln eingerichtet ist, und- die Lumineszenzkonversionsfolie (8) vorgegebenen Konturen und Kanten des Lumineszenzdiodenchips im Mikrometer-Bereich folgt.
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公开(公告)号：DE102008015551A1
公开(公告)日：2009-10-01
申请号：DE102008015551
申请日：2008-03-25
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： WEGLEITER WALTER , WEIDNER KARL , SORG JOERG , WUTZ OLIVER , STATH NORBERT , BRAUNE BERT
Abstract: The optoelectronic component has a support body (1) and a semiconductor chip (2). The support body has conductive paths (3a,3b) structured for electrically contacting the semiconductor chip. The semiconductor chip has an active layer (4) for generating electromagnetic radiation. The semiconductor chip is partially provided with an electric insulating layer (5). A planar conductive structure (6) is arranged on a partial area of the electric insulating layer. An independent claim is included for a method for manufacturing an optoelectronic component.
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