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公开(公告)号：DE112017001117A5
公开(公告)日：2018-11-22
申请号：DE112017001117
申请日：2017-02-10
Inventor： DITZEL ECKHARD , KLAJIC TIHOMIR , WINDISCH REINER , BIEBERSDORF ANDREAS
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公开(公告)号：DE102014108188A1
公开(公告)日：2015-12-17
申请号：DE102014108188
申请日：2014-06-11
Applicant: OSRAM GMBH , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： LANGE STEFAN , STÖPPELKAMP VERA , JERMANN FRANK , BIEBERSDORF ANDREAS , WIRTH RALPH
Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) einen optoelektronischen Halbleiterchip (2) zur Erzeugung einer Primärstrahlung. Mindestens ein Leuchtstoff (3) zur teilweisen oder vollständigen Umwandlung der Primärstrahlung in eine langwelligere Sekundärstrahlung, die im sichtbaren Spektralbereich liegt, ist dem Halbleiterchip (2) nachgeordnet. Weiterhin weist das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) einen Filterstoff (4) zur teilweisen Absorption der Sekundärstrahlung auf. Der Leuchtstoff (3) und der Filterstoff (4) sind dabei innig mit dem Halbleiterchip (2) verbunden.
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公开(公告)号：DE112020000567A5
公开(公告)日：2021-12-02
申请号：DE112020000567
申请日：2020-01-29
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： BAUMHEINRICH THORSTEN , BEHRINGER MARTIN , BIEBERSDORF ANDREAS , BOSS RUTH , BRANDL MICHAEL , BRICK PETER , DROLET JEAN-JAQUES , HALBRITTER HUBERT , KREINER LAURA , LANG ERWIN , LEBER ANDREAS , MEYER TOBIAS , PFEUFFER ALEXANDER , PHILIPPENS MARC , RICHTER JENS , SCHWARZ THOMAS , TA PAUL , VARGHESE TANSEN , WANG XUE , WITTMANN SEBASTIAN , STOLZ JULIA , DIEKMANN KARSTEN , ENGL KARL , HERRMANN SIEGFRIED , HAHN BERTHOLD , ILLEK STEFAN , JENTZSCH BRUNO , PERZLMAIER KORBINIAN , PIETZONKA INES , RAUSCH ANDREAS , REGAU KILIAN , RUEGHEIMER TILMAN , SCHWALENBERG SIMON , SOELL CHRISTOPHER , STAUSS PETER , SUNDGREN PETRUS , VU HOA , WIESMANN CHRISTOPHER , BOGNER GEORG , HÖRNER PATRICK , KLEMP CHRISTOPH , MÜLLER JENS , NEVELING KERSTIN , PARK JONG , RAFAEL CHRISTINE , SINGER FRANK , CHAND KANISHK , FEIX FELIX , MÜLLER CHRISTIAN , RUMMEL EVA-MARIA , HEITZER NICOLE , ASSMANN MARIE , BERGER CHRISTIAN , KANEVCE ANA
IPC: H01L33/62 , G09F9/33 , H01L25/075 , H01L33/60
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公开(公告)号：DE102016115644A1
公开(公告)日：2018-03-15
申请号：DE102016115644
申请日：2016-08-23
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： PERZLMAIER KORBINIAN , BIEBERSDORF ANDREAS
IPC: H01L33/20 , H01L21/306 , H01L31/0352
Abstract: In einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen (1) eingerichtet und umfasst die Schritte: A) Bereitstellen einer Halbleiterschichtenfolge (2) auf einer Trägeroberseite (50) eines Trägers (5), B) Strukturieren der Halbleiterschichtenfolge (2), sodass mindestens eine Mesastruktur (3) mit Seitenflächen (33) gebildet wird, C) Aufbringen einer Ummantelung (4) auf die Halbleiterschichtenfolge (2) mit der Mesastruktur (3) mit einem konformen Beschichtungsverfahren, sodass alle freien Oberflächen von der Ummantelung (4) bedeckt werden, D) anisotropes Ätzen der Ummantelung (4), sodass aus der Ummantelung (4) eine Flankenbeschichtung (6) entsteht, die mit einer Toleranz von höchstens 200 % einer mittleren Dicke der Flankenbeschichtung (6) auf die Seitenflächen (33) der Mesastruktur (3) beschränkt ist und die Mesastruktur (3) ringsum vollständig umschließt, wobei der Schritt D) ohne zusätzliche Ätzmaske für das anisotrope Ätzen erfolgt.
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公开(公告)号：DE102013215350A1
公开(公告)日：2015-02-05
申请号：DE102013215350
申请日：2013-08-05
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： SORG JÖRG , DOBNER ANDREAS , BIEBERSDORF ANDREAS
IPC: H01L25/075 , H01L21/56 , H01L33/54 , H01L33/62
Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Beleuchtungsanordnung (1) mit einer durchgehenden flächigen Trägerplatte (2), auf der mehrere LEDs (52) angeordnet werden; dabei wird ein einer Verwölbung der Trägerplatte (2) vorbeugender Stabilisierungsbereich (6) erzeugt, indem ein Bereich der Trägerplatte (2) aus der Ebene des flächigen Materials heraus umgeformt wird.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE112019005013A5
公开(公告)日：2021-07-01
申请号：DE112019005013
申请日：2019-10-02
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： BIEBERSDORF ANDREAS , ILLEK STEFAN , KLEMP CHRISTOPH , PIETZONKA INES , SUNDGREN PETRUS
IPC: H01L21/22 , H01L21/223 , H01L21/336 , H01L31/18 , H01L33/36
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公开(公告)号：DE102018124576A1
公开(公告)日：2020-04-09
申请号：DE102018124576
申请日：2018-10-05
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： BIEBERSDORF ANDREAS , ILLEK STEFAN , KLEMP CHRISTOPH , PIETZONKA INES , SUNDGREN PETRUS
IPC: H01L21/22 , H01L21/336 , H01L31/18 , H01L33/36
Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements umfasst das Durchführen (S100) einer Plasmabehandlung einer freiliegenden Oberfläche eines Halbleitermaterials (100) mit Halogenen und das Durchführen (S120) eines Diffusionsverfahrens mit Dotierstoffen an der freiliegenden Oberfläche.
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8.发明专利
公开(公告)号：DE102016117893A1
公开(公告)日：2018-03-22
申请号：DE102016117893
申请日：2016-09-22
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： STEINER ANDRÉ , BIEBERSDORF ANDREAS , EBBECKE JENS , KLEMP CHRISTOPH , KREUTER PHILIPP , PIETZONKA INES , SUNDGREN PETRUS
Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben. Das optoelektronisches Bauelement umfasst – eine Schichtenfolge mit einer aktiven Schicht, die im Betrieb des Bauelements eine elektromagnetische Strahlung emittiert und – eine Passivierungsschicht angeordnet über der Schichtenfolge und in direktem mechanischen Kontakt zu der Schichtenfolge. Die Passivierungsschicht umfasst ein Siliziumoxinitrid mit der allgemeinen Formel SiOxNy umfasst, wobei 0
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公开(公告)号：DE112015002763A5
公开(公告)日：2017-04-06
申请号：DE112015002763
申请日：2015-06-10
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： LANGE STEFAN , JERMANN FRANK , BIEBERSDORF ANDREAS , WIRTH RALPH , STÖPPELKAMP VERA
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公开(公告)号：DE112020004395A5
公开(公告)日：2022-06-02
申请号：DE112020004395
申请日：2020-03-26
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： BIEBERSDORF ANDREAS , ILLEK STEFAN , FEIX FELIX , KLEMP CHRISTOPH , PIETZONKA INES , SUNDGREN PETRUS , BERGER CHRISTIAN , KANEVCE ANA
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