公开(公告)号：DE102012002605B4

公开(公告)日：2016-12-22

申请号：DE102012002605

申请日：2012-02-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ILLEK STEFAN ,  WEGLEITER WALTER ,  WEIDNER KARL ,  STEGMEIER STEFAN

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/48 ,  H01L33/62 ,  H01L33/64

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils (1) mit den Schritten: – Bereitstellen eines Zwischenträgers (2) mit einer Trägeroberseite (20), – Anbringen einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips (3) auf der Trägeroberseite (20), wobei die Halbleiterchips (3) voneinander beabstandet sind, – Erstellen eines Formkörpers (4), der die Halbleiterchips (3) in lateraler Richtung ringsum unmittelbar umgibt und mechanisch dauerhaft miteinander verbindet, wobei mindestens eine Hauptseite (30) der Halbleiterchips (3) frei bleibt von einem Material des Formkörpers (4), – Entfernen des Zwischenträgers (2), und – Aufbringen eines Wärmespreizers (6) an dem Zwischenträger (2) abgewandten Unterseiten (35, 45) der Halbleiterchips (3) und des Formkörpers (4) nach dem Erstellen des Formkörpers (4) und nach dem Entfernen des Zwischenträgers (2), wobei – eine Dicke des Wärmespreizers (6) zwischen einschließlich 10 μm und 250 μm beträgt, und – der Wärmespreizer (6) elektrisch leitfähig ist und zu mindestens zwei elektrischen Kontaktstellen (65) des Halbleiterbauteils (1) gefertigt wird, wobei der Formkörper (4) zwei elektrische Durchführungen (5a, 5b) aufweist, über welche eine elektrische Verbindung von einer Körperoberseite zu einer Unterseite des Formkörpers (4) hergestellt wird, und durch die zwei Durchführungen (5a, 5b) eine elektrische Verbindung zwischen Kontaktstellen (36) der Halbleiterchips und dem Wärmespreizer (6) hergestellt wird.

公开(公告)号：DE102013101260A1

公开(公告)日：2014-08-14

申请号：DE102013101260

申请日：2013-02-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WEGLEITER WALTER ,  ALTIERI-WEIMAR PAOLA ,  MOOSBURGER JÜRGEN ,  STEGMEIER STEFAN ,  WEIDNER KARL

IPC: H01L33/62 ,  H01L23/14 ,  H01L23/48 ,  H01L25/075

Abstract: Es wird eine Vorrichtung (1) mit zumindest einem optoelektronischen Halbleiterbauelement (2) und einem Träger (5), auf dem das Halbleiterbauelement angeordnet ist, angegeben, wobei – an eine das Halbleiterbauelement begrenzende Seitenfläche (25) eine Isolationsschicht (4) angrenzt; – eine Kontaktbahn (6) auf einer Strahlungsdurchtrittsfläche des Halbleiterbauelements angeordnet und elektrisch leitend mit dem Halbleiterbauelement verbunden ist; – die Kontaktbahn sich über die Seitenfläche des Halbleiterbauelements hinaus erstreckt und auf der Isolationsschicht angeordnet ist; und – die Kontaktbahn bezüglich einer senkrecht zu der Seitenfläche auftretenden thermo-mechanischen Beanspruchung entlastet ist.

公开(公告)号：DE102012002605B9

公开(公告)日：2017-04-13

申请号：DE102012002605

申请日：2012-02-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ILLEK STEFAN ,  WEGLEITER WALTER ,  WEIDNER KARL ,  STEGMEIER STEFAN

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/48 ,  H01L33/62 ,  H01L33/64

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils (1) mit den Schritten: – Bereitstellen eines Zwischenträgers (2) mit einer Trägeroberseite (20), – Anbringen einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips (3) auf der Trägeroberseite (20), wobei die Halbleiterchips (3) voneinander beabstandet sind, – Erstellen eines Formkörpers (4), der die Halbleiterchips (3) in lateraler Richtung ringsum unmittelbar umgibt und mechanisch dauerhaft miteinander verbindet, wobei mindestens eine Hauptseite (30) der Halbleiterchips (3) frei bleibt von einem Material des Formkörpers (4), – Entfernen des Zwischenträgers (2), und – Aufbringen eines Wärmespreizers (6) an dem Zwischenträger (2) abgewandten Unterseiten (35, 45) der Halbleiterchips (3) und des Formkörpers (4) nach dem Erstellen des Formkörpers (4) und nach dem Entfernen des Zwischenträgers (2), wobei – eine Dicke des Wärmespreizers (6) zwischen einschließlich 10 μm und 250 μm beträgt, und – der Wärmespreizer (6) elektrisch leitfähig ist und zu mindestens zwei elektrischen Kontaktstellen (65) des Halbleiterbauteils (1) gefertigt wird, wobei der Formkörper (4) zwei elektrische Durchführungen (5a, 5b) aufweist, über welche eine elektrische Verbindung von einer Körperoberseite zu einer Unterseite des Formkörpers (4) hergestellt wird, und durch die zwei Durchführungen (5a, 5b) eine elektrische Verbindung zwischen Kontaktstellen (36) der Halbleiterchips und dem Wärmespreizer (6) hergestellt wird.

公开(公告)号：DE102012002605A1

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：DE102012002605

申请日：2012-02-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ILLEK STEFAN ,  WEGLEITER WALTER ,  WEIDNER KARL ,  STEGMEIER STEFAN

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/48 ,  H01L33/62 ,  H01L33/64

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst das Halbleiterbauteil (1) mindestens einen optoelektronischen Halbleiterchip (3), der eine Strahlungsaustrittsseite (30) aufweist. Das oberflächenmontierbare Halbleiterbauteil (1) beinhaltet einen Formkörper (4), der Seitenflächen (34) des Halbleiterchips (3) formschlüssig und unmittelbar bedeckt. In Draufsicht auf die Strahlungsaustrittsseite (30) gesehen überlappen der Formkörper (4) und der Halbleiterchip (3) nicht.

公开(公告)号：DE112014000732A5

公开(公告)日：2015-10-15

申请号：DE112014000732

申请日：2014-01-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MOOSBURGER JÜRGEN ,  STEGMEIER STEFAN ,  ALTIERI-WEIMAR PAOLA ,  WEGLEITER WALTER ,  WEIDNER KARL

IPC: H01L33/62

公开(公告)号：DE102012103161A1

公开(公告)日：2013-10-17

申请号：DE102012103161

申请日：2012-04-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STEGMEIER STEFAN ,  WEIDNER KARL ,  ILLEK STEFAN ,  WEGLEITER WALTER

IPC: H01L33/48 ,  F21V14/04 ,  H01L33/54 ,  H01L33/60 ,  H01S5/022

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform beinhaltet das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) einen Träger (2). An einer Trägeroberseite (20) ist ein optoelektronischer Halbleiterchip (3) angebracht. Ferner befindet sich an der Trägeroberseite (20) ein Gehäusekörper (4), in dem der Halbleiterchip (3) angebracht ist. An dem Gehäusekörper (4) befindet sich ein optisches Element (5) wie ein Reflektor. Das optische Element (5) ist dem Halbleiterchip (3) entlang einer Abstrahlrichtung nachgeordnet. Weiterhin ist das optische Element (5) dazu eingerichtet, im Betrieb des Halbleiterbauteils (1) punktuell oder flächig verformt zu werden, sodass eine räumliche und/oder spektrale Abstrahlcharakteristik des Halbleiterbauteils (1) einstellbar ist.

公开(公告)号：DE102011056220A1

公开(公告)日：2013-06-13

申请号：DE102011056220

申请日：2011-12-09

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STEGMEIER STEFAN ,  WEIDNER KARL ,  ILLEK STEFAN ,  WEGLEITER WALTER

IPC: H01L33/64 ,  F21V29/00 ,  H01L33/62

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform weist das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) einen Träger (2) auf. An einer Montageseite (20) ist ein Halbleiterchip (3) zur Erzeugung einer elektromagnetischen Primärstrahlung angebracht. Mindestens ein Konversionselement (4) zur wenigstens teilweisen Umwandlung der Primärstrahlung in eine Sekundärstrahlung, die eine größere Wellenlänge aufweist als die Primärstrahlung, ist auf einer Strahlungsaustrittsseite (30) des Halbleiterchips (3) angebracht. Das Halbleiterbauteil (1) beinhaltet eine Wärmeleitstruktur (5) zur Entwärmung des Konversionselements (4). Die Wärmeleitstruktur (5) befindet sich außerhalb des Konversionselements (4) und steht mindestens stellenweise in direktem Kontakt zu dem Konversionselement (4).