公开(公告)号：WO2021144120A1

公开(公告)日：2021-07-22

申请号：PCT/EP2020/087189

申请日：2020-12-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ARNDT, Karlheinz ,  JEREBIC, Simon ,  HOFMANN, Matthias ,  JÄGER, Harald ,  EBERHARD, Jens ,  BOSS, Markus ,  STOLL, Sebastian ,  HETZER, Constantin ,  GOLDBACH, Matthias

IPC: H01L23/055 ,  H01L33/46 ,  H01L33/48 ,  H01L21/56 ,  H01L33/56 ,  H01L23/498 ,  H01L33/60 ,  H01L23/043 ,  H01L23/49805 ,  H01L23/49861 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2933/0075 ,  H01L33/486

Abstract: Es wird ein Gehäuse (2) für ein optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) angegeben mit - einem Gehäusegrundkörper (21), der eine Chipmontageseite (22) aufweist, - mindestens zwei elektrischen Leiterstrukturen (23) in und/oder an dem Gehäusegrundkörper (21), und - mehreren Drainage-Strukturen (24) an der Chipmontageseite (22), wobei - die elektrischen Leiterstrukturen (23) an der Chipmontageseite (22) elektrische Kontaktflächen (25) für zumindest einen optoelektronischen Halbleiterchip (3) bilden, und - die Drainage-Strukturen (24) als Zuführungen für ein flüssiges Vergussmaterial (40) hin zu den elektrischen Kontaktflächen (25) gestaltet sind.

公开(公告)号：WO2022053508A1

公开(公告)日：2022-03-17

申请号：PCT/EP2021/074699

申请日：2021-09-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PUST, Philipp ,  LANGE, Stefan ,  STOLL, Sebastian

IPC: H01L33/50

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben. Gemäß einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Bauelement einen Halbleiterchip, der dazu eingerichtet ist, im Betrieb des optoelektronischen Bauelements eine Primärstrahlung mit einem ersten Wellenlängenbereich zu emittieren, eine Komponente umfassend ein optisch aktives Material, wobei die Komponente zumindest teilweise im Strahlengang des Halbleiterchips angeordnet ist, und das optisch aktive Material nicht dazu vorgesehen ist, von der Primärstrahlung mit dem ersten Wellenlängenbereich angeregt zu werden. Weiterhin wird ein Verfahren zur Identifikation eines optoelektronischen Bauelements angegeben.

公开(公告)号：WO2021156098A1

公开(公告)日：2021-08-12

申请号：PCT/EP2021/051684

申请日：2021-01-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STOLL, Sebastian ,  LAUBSCHER, Moritz

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/46 ,  H01L33/50 ,  H01L33/60

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung optoelektronischer Bauelemente (1) mit den folgenden Schritten angegeben: A) Bereitstellen einer Vielzahl von strahlungsemittierenden Halbleiterchips (2), die dazu eingerichtet sind, im Betrieb Primärstrahlung eines ersten Wellenlängenbereichs zu emittieren, B) Aufbringen eines Konverters (3), der zur Emission von Sekundärstrahlung eines zweiten Wellenlängenbereichs eingerichtet ist, auf die Vielzahl von strahlungsemittierenden Halbleiterchips (2), C) Aufbringen einer Spiegelschichtenfolge (4), welche dazu eingerichtet ist, die Primärstrahlung zu reflektieren und die Sekundärstrahlung zu transmittieren, wobei die Spiegelschichtenfolge (4) dem Konverter (3) nachgeordnet wird, D) Vereinzeln der Vielzahl von strahlungsemittierenden Halbleiterchips (2) zur Erzeugung optoelektronischer Bauelemente (1). Darüber hinaus wird ein optoelektronisches Bauelement (1), welches durch das Verfahren hergestellt wird, angegeben.