公开(公告)号：DE102010046792A1

公开(公告)日：2012-03-29

申请号：DE102010046792

申请日：2010-09-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BERGBAUER WERNER ,  STRASBURG MARTIN DR ,  RODE PATRICK

IPC: H01L33/38 ,  B82B1/00 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L33/50

Abstract: Es ist ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) mit einem Halbleiterschichtenstapel (1) aus einem nitridischen Verbindungshalbleitermaterial auf einem Trägersubstrat (2) angegeben, wobei das Trägersubstrat (2) eine Oberfläche (2a) aufweist, die Silizium enthält. Der Halbleiterschichtenstapel (1) weist eine Ausnehmung (3) auf, die sich von einer Rückseite (1e) des Halbleiterschichtenstapels (1) durch eine aktive Schicht (1a) zu einer Schicht (1b) eines ersten Leitfähigkeitstyps erstreckt. Die Schicht (1b) des ersten Leitfähigkeitstyps ist mittels einer ersten elektrischen Anschlussschicht (4), welche die Rückseite (1e) zumindest stellenweise bedeckt, durch die Ausnehmung (3) hindurch elektrisch angeschlossen. Eine Schicht (1c) eines zweiten Leitfähigkeitstyps ist mittels einer zweiten elektrischen Anschlussschicht (5), die an der Rückseite (1e) angeordnet ist, elektrisch angeschlossen. Weiter ist ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Halbleiterchips (10) angegeben.

公开(公告)号：DE102010020789A1

公开(公告)日：2011-11-24

申请号：DE102010020789

申请日：2010-05-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BERGBAUER WERNER ,  DRECHSEL PHILIPP ,  HOEPPEL LUTZ DR ,  KOELPER CHRISTOPHER ,  STRASBURG MARTIN DR ,  RODE PATRICK

IPC: H01L33/22 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  H01L31/036 ,  H01L31/18 ,  H01L33/16

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) angegeben, der einen Halbleiterschichtenstapel (2) und eine Strahlungsaustrittsfläche oder Strahlungseintrittsfläche (3) aufweist. Der Halbleiterschichtenstapel (2) weist eine aktive Schicht (2a) auf, die zur Erzeugung oder zum Empfangen elektromagnetischer Strahlung geeignet ist. Im Halbleiterschichtenstapel (2) und/oder auf der Strahlungsaustrittsfläche oder Strahlungseintrittsfläche (3) ist eine Mehrzahl von Nanostrukturen (4) angeordnet, die1, 42) aufweisen. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen optoelektronischen Halbleiterchips (10) angegeben.

公开(公告)号：DE102010051286A1

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：DE102010051286

申请日：2010-11-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SABATHIL MATTHIAS DR ,  LINKOV ALEXANDER DR ,  KOELPER CHRISTOPHER ,  STRASBURG MARTIN DR ,  MALM NORWIN VON DR

IPC: H01L33/50

Abstract: Es ist ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) angegeben, der einen Halbleiterschichtenstapel (2) und eine Konversionsschicht (3) umfasst. Der Halbleiterschichtenstapel (2) weist eine aktive Schicht (2a) zur Strahlungserzeugung auf. Die Konversionsschicht (3) ist auf einer Strahlungsaustrittsseite (21) des Halbleiterschichtenstapels (2) angeordnet, wobei die Konversionsschicht (3) geeignet ist, zumindest einen Teil der von der aktiven Schicht (2a) emittierten Strahlung in Strahlung einer anderen Wellenlänge umzuwandeln. Die Strahlungsaustrittsseite (21) des Halbleiterschichtenstapels (2) weist eine erste Nanostrukturierung auf, wobei die Konversionsschicht (3) in dieser ersten Nanostrukturierung (4) angeordnet ist. Weiter ist ein Verfahren zum Herstellen eines derartigen Halbleiterchips (10) angegeben.

公开(公告)号：DE102010012711A1

公开(公告)日：2011-09-29

申请号：DE102010012711

申请日：2010-03-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BERGBAUER WERNER ,  STRASBURG MARTIN DR ,  LUGAUER HANS-JUERGEN DR ,  RODE PATRICK

IPC: H01L33/04 ,  H01L33/32

Abstract: Es wird ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement angegeben mit zumindest einer epitaktisch entlang einer Wachstumsrichtung (91, 92) gewachsenen Halbleiterschichtenfolge (10), die auf einem Gruppe-III-Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial basiert und die in Wachstumsrichtung Stickstoff-Polarität aufweist, wobei die Halbleiterschichtenfolge (10) in Wachstumsrichtung (91, 92) eine n-dotierte Halbleiterschicht (11) und darüber eine aktive Zone (12) aufweist, wobei die aktive Zone (12) zumindest eine aktive Schicht enthält, die im Betrieb des Halbleiterbauelements elektromagnetische Strahlung abstrahlt, und wobei die Halbleiterschichtenfolge (10) als Nanostab ausgebildet ist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eins strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements angegeben.