公开(公告)号：DE102012108104A1

公开(公告)日：2014-03-06

申请号：DE102012108104

申请日：2012-08-31

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KOELPER CHRISTOPHER ,  SABATHIL MATTHIAS

IPC: H01L33/58 ,  H01L33/54

Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement umfasst: – mindestens einen Halbleiterchip (101), der zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung vorgesehen ist, – ein Strahlformungselement (102), durch das zumindest ein Teil der von dem Halbleiterchip im Betrieb emittierten elektromagnetischen Strahlung tritt, wobei – das Strahlformungselement (102) mittels einer Kopplungsschicht (103) mit dem Halbleiterchip (101) gekoppelt ist und die Kopplungsschicht (103) ein Matrixmaterial (104) und eine Mehrzahl von Nanopartikeln (105) aufweist, wobei die Nanopartikel (105) aus einem Material gebildet sind, das eine größere Brechzahl als das Matrixmaterial (104) aufweist.

公开(公告)号：DE102012101718A1

公开(公告)日：2013-09-05

申请号：DE102012101718

申请日：2012-03-01

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  TECH UNI CAROLO WILHELMINA ZU BRAUNSCHWEIG

Inventor： MANDL MARTIN ,  STRASBURG MARTIN ,  KOELPER CHRISTOPHER ,  PFEUFFER ALEXANDER ,  RODE PATRICK ,  LEDIG JOHANNES ,  NEUMANN RICHARD ,  WAAG ANDREAS

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/14 ,  H01L33/38

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben mit: – einer Vielzahl aktiver Bereiche (1), die beabstandet zueinander angeordnet sind, und – einem Träger (2), der an einer Unterseite (1a) der Vielzahl aktiver Bereiche (1) angeordnet ist, wobei – einer der aktiven Bereiche (1) eine Haupterstreckungsrichtung (R) aufweist, – der aktive Bereich (1) einen Kernbereich (10) aufweist, der mit einem ersten Halbleitermaterial gebildet ist, – der aktive Bereich (1) eine aktive Schicht (11) aufweist, die den Kernbereich (10) zumindest in Richtungen (x, y) quer zur Haupterstreckungsrichtung (R) des aktiven Bereichs (1) bedeckt, und – der aktive Bereich (1) eine Deckschicht (12) aufweist, die mit einem zweiten Halbleitermaterial gebildet ist und die aktive Schicht (11) zumindest in Richtungen (x, y) quer zur Haupterstreckungsrichtung (R) des aktiven Bereichs (11) bedeckt.

公开(公告)号：DE102010020789A1

公开(公告)日：2011-11-24

申请号：DE102010020789

申请日：2010-05-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BERGBAUER WERNER ,  DRECHSEL PHILIPP ,  HOEPPEL LUTZ DR ,  KOELPER CHRISTOPHER ,  STRASBURG MARTIN DR ,  RODE PATRICK

IPC: H01L33/22 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  H01L31/036 ,  H01L31/18 ,  H01L33/16

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) angegeben, der einen Halbleiterschichtenstapel (2) und eine Strahlungsaustrittsfläche oder Strahlungseintrittsfläche (3) aufweist. Der Halbleiterschichtenstapel (2) weist eine aktive Schicht (2a) auf, die zur Erzeugung oder zum Empfangen elektromagnetischer Strahlung geeignet ist. Im Halbleiterschichtenstapel (2) und/oder auf der Strahlungsaustrittsfläche oder Strahlungseintrittsfläche (3) ist eine Mehrzahl von Nanostrukturen (4) angeordnet, die1, 42) aufweisen. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen optoelektronischen Halbleiterchips (10) angegeben.

公开(公告)号：DE102012109594A1

公开(公告)日：2014-04-10

申请号：DE102012109594

申请日：2012-10-09

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MANDL MARTIN ,  STRASBURG MARTIN ,  KOELPER CHRISTOPHER ,  PFEUFFER ALEXANDER ,  RODE PATRICK

IPC: H01L33/08 ,  H01L21/28 ,  H01L27/15 ,  H01L33/30 ,  H01L33/38 ,  H01L33/62

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des Verfahren umfasst dieses die folgenden Schritte: A) Erzeugen von strahlungsaktiven Inseln (4) mit einer Halbleiterschichtenfolge (3) auf einem Aufwachssubstrat (2), wobei die Inseln (4) je mindestens eine aktive Zone (33) der Halbleiterschichtenfolge (3) aufweisen und ein mittlerer Durchmesser der Inseln (4), in Draufsicht auf das Aufwachssubstrat gesehen, zwischen einschließlich 50 nm und 10 µm beträgt, B) Erzeugen einer Trennschicht (5) an einer dem Aufwachssubstrat (2) zugewandten Seite der Inseln (4), wobei die Trennschicht (5) die Inseln (4) ringsum umgibt, in Draufsicht auf das Aufwachssubstrat (2) gesehen, C) Anbringen eines Trägersubstrats (6) an einer dem Aufwachssubstrat (2) abgewandten Seite der Inseln (4), und D) Ablösen des Aufwachssubstrats (2) von den Inseln (4), wobei bei dem Ablösen mindestens ein Teil der Trennschicht (5) zerstört und/oder mindestens zeitweise erweicht wird.

公开(公告)号：DE102011056140A1

公开(公告)日：2013-06-13

申请号：DE102011056140

申请日：2011-12-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MANDL MARTIN ,  STRASBURG MARTIN ,  KOELPER CHRISTOPHER ,  PFEUFFER ALEXANDER ,  RODE PATRICK

IPC: H01L33/08 ,  H01L27/15 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/10 ,  H01L33/20 ,  H01L33/46

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben, mit: – einer Vielzahl aktiver Bereiche (1), die beabstandet zueinander angeordnet sind, und – einer reflektierenden Schicht (2), die an einer Unterseite (1a) der Vielzahl aktiver Bereiche (1) angeordnet ist, wobei – zumindest einer der aktiven Bereiche (1) eine Haupterstreckungsrichtung (R) aufweist, – einer der aktiven Bereiche (1) einen Kernbereich (10) aufweist, der mit einem ersten Halbleitermaterial gebildet ist, – der aktive Bereich (1) eine aktive Schicht (11) aufweist, die den Kernbereich (10) zumindest in Richtungen (x, y) quer zur Haupterstreckungsrichtung (R) des aktiven Bereichs (1) bedeckt, – der aktive Bereich (1) eine Deckschicht (12) aufweist, die mit einem zweiten Halbleitermaterial gebildet ist und die aktive Schicht (11) zumindest in Richtungen (x, y) quer zur Haupterstreckungsrichtung (R) des aktiven Bereichs (11) bedeckt, und – die reflektierende Schicht (2) zur Reflexion von im Betrieb in der aktiven Schicht (11) erzeugter elektromagnetischer Strahlung eingerichtet ist.

公开(公告)号：DE102012215092A1

公开(公告)日：2014-02-27

申请号：DE102012215092

申请日：2012-08-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SPECHT HOLGER ,  LINKOV ALEXANDER ,  KOELPER CHRISTOPHER ,  KATZ SIMEON

IPC: G01J1/02 ,  H01L21/66

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Messen einer von einer Leuchtdiode (210) abgegebenen Lichtstrahlung (300). Bei dem Verfahren wird ein Ende (121) einer Lichtleitfaser (120), welche mit einer Messeinrichtung (130) verbunden ist, durch eine optische Einrichtung (140) hindurch mit der von der Leuchtdiode (210) abgegebenen Lichtstrahlung (300) bestrahlt, so dass ein Teil der Lichtstrahlung (300) in die Lichtleitfaser (120) eingekoppelt und zu der Messeinrichtung (130) geführt wird. Die optische Einrichtung (140) bewirkt, dass die die optische Einrichtung (140) durchtretende Lichtstrahlung (300) in diffuser Form in Richtung des Endes (121) der Lichtleitfaser (130) abgegeben wird. Die Erfindung betrifft des Weiteren eine Vorrichtung (100) zum Messen einer von einer Leuchtdiode (210) abgegebenen Lichtstrahlung (300).

公开(公告)号：DE102011114641A1

公开(公告)日：2013-04-04

申请号：DE102011114641

申请日：2011-09-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SABATHIL MATTHIAS ,  PLOESL ANDREAS ,  VON MALM NORWIN ,  LINKOV ALEXANDER ,  HOEPPEL LUTZ ,  KOELPER CHRISTOPHER

IPC: H01L33/58 ,  H01L33/44

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einem optoelektronischen Halbleiterchip (1) und einem optischen Element (2) angegeben, wobei zwischen dem Halbleiterchip (1) und dem optischen Element (2) eine Verbindungsschicht (3) mit einem transparenten Oxid angeordnet ist, die an den Halbleiterchip (1) und das optische Element (2) jeweils unmittelbar angrenzt und das optische Element (2) auf dem Halbleiterchip (1) befestigt. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements angegeben.

公开(公告)号：DE102010051287A1

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：DE102010051287

申请日：2010-11-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SABATHIL MATTHIAS DR ,  LINKOV ALEXANDER DR ,  KOELPER CHRISTOPHER

IPC: H01L33/50

Abstract: Es ist ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) angegeben, der einen Halbleiterschichtenstapel (2) umfasst. Der Halbleiterschichtenstapel (2) weist eine zur Strahlungserzeugung vorgesehene aktive Schicht und eine Strahlungsaustrittsseite (21) auf. Der Halbleiterchip (10) weist weiter eine Konversionsschicht (3) auf, die mit einer Befestigungsseite (31) auf der Strahlungsaustrittsseite (21) des Halbleiterschichtenstapels (2) angeordnet ist. Die Konversionsschicht (3) ist geeignet, zumindest einen Teil der von der aktiven Schicht emittierten Strahlung in Strahlung einer anderen Wellenlänge umzuwandeln. Die Befestigungsseite (31) der Konversionsschicht (3) weist eine erste Nanostrukturierung (4) auf. Die Strahlungsaustrittsseite (21) des Halbleiterschichtenstapels (2) weist eine zweite Nanostrukturierung (5) auf. Weiter ist ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Halbleiterchips (10) angegeben.

公开(公告)号：DE102010051286A1

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：DE102010051286

申请日：2010-11-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SABATHIL MATTHIAS DR ,  LINKOV ALEXANDER DR ,  KOELPER CHRISTOPHER ,  STRASBURG MARTIN DR ,  MALM NORWIN VON DR

IPC: H01L33/50

Abstract: Es ist ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) angegeben, der einen Halbleiterschichtenstapel (2) und eine Konversionsschicht (3) umfasst. Der Halbleiterschichtenstapel (2) weist eine aktive Schicht (2a) zur Strahlungserzeugung auf. Die Konversionsschicht (3) ist auf einer Strahlungsaustrittsseite (21) des Halbleiterschichtenstapels (2) angeordnet, wobei die Konversionsschicht (3) geeignet ist, zumindest einen Teil der von der aktiven Schicht (2a) emittierten Strahlung in Strahlung einer anderen Wellenlänge umzuwandeln. Die Strahlungsaustrittsseite (21) des Halbleiterschichtenstapels (2) weist eine erste Nanostrukturierung auf, wobei die Konversionsschicht (3) in dieser ersten Nanostrukturierung (4) angeordnet ist. Weiter ist ein Verfahren zum Herstellen eines derartigen Halbleiterchips (10) angegeben.