公开(公告)号：DE102014116080A1

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：DE102014116080

申请日：2014-11-04

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SINGER FRANK ,  MOOSBURGER JÜRGEN DR ,  SABATHIL MATTHIAS DR ,  HOXHOLD BJÖRN ,  SPERL MATTHIAS

IPC: H01L33/62

Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement weist einen Verbundkörper auf, der einen Formkörper und einen in den Formkörper eingebetteten optoelektronischen Halbleiterchip umfasst. Ein elektrisch leitender Durchkontakt erstreckt sich von einer Oberseite des Verbundkörpers zu einer Unterseite des Verbundkörpers durch den Formkörper. Eine Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips ist zumindest teilweise nicht durch den Formkörper bedeckt. Der optoelektronische Halbleiterchip weist an seiner Oberseite einen ersten elektrischen Kontakt auf. An der Oberseite des Verbundkörpers ist eine erste Oberseitenmetallisierung angeordnet, die den ersten elektrischen Kontakt elektrisch leitend mit dem Durchkontakt verbindet. An der Oberseite des Verbundkörpers ist außerdem eine zweite Oberseitenmetallisierung angeordnet, die elektrisch gegen die erste Oberseitenmetallisierung isoliert ist.

公开(公告)号：DE102011014845A1

公开(公告)日：2012-09-27

申请号：DE102011014845

申请日：2011-03-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SABATHIL MATTHIAS DR ,  LUGAUER HANS-JUERGEN DR ,  PLOESL ANDREAS DR ,  LINKOV ALEXANDER DR ,  RODE PATRICK

IPC: H01L33/50

Abstract: Es wird ein Licht emittierendes Halbleiterbauteil angegeben, mit – einem ersten Halbleiterkörper (1), der eine aktive Zone (11) umfasst, in der im Betrieb des Licht emittierenden Halbleiterbauteils elektromagnetische Strahlung erzeugt wird, die den ersten Halbleiterkörper (1) zumindest teilweise durch eine Strahlungsaustrittsfläche (1a) hindurch verlässt, und – einem zweiten Halbleiterkörper (2), der zur Konversion der elektromagnetischen Strahlung in konvertierte elektromagnetische Strahlung kleinere Wellenlänge geeignet ist, wobei – der erste Halbleiterkörper (1) und der zweite Halbleiterkörper (2) getrennt voneinander gefertigt sind, – der zweite Halbleiterkörper (2) elektrisch inaktiv ist, und – der zweite Halbleiterkörper (2) sich in direktem Kontakt mit der Strahlungsaustrittfläche (1a) befindet und dort verbindungsmittelfrei am ersten Halbleiterkörper (1) befestigt ist.

公开(公告)号：DE102010036180A1

公开(公告)日：2012-03-08

申请号：DE102010036180

申请日：2010-09-02

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HOEPPEL LUTZ DR ,  SABATHIL MATTHIAS DR ,  MALM NORWIN VON DR

IPC: H01L33/48

Abstract: Es wird ein Leuchtdiodenchip angegeben, mit – einem Halbleiterkörper (1), der einen strahlungserzeugenden aktiven Bereich (13) umfasst, – zumindest zwei Kontaktstellen (2a, 2b) zum elektrischen Kontaktieren des aktiven Bereichs, – einem Träger (3), und – einem Verbindungsmittel (4), das zwischen dem Träger (3) und dem Halbleiterkörper (1) angeordnet ist, wobei – der Halbleiterkörper (1) an seiner dem Träger (3) zugewandten Außenflächen eine Aufrauung (15) aufweist, – der Halbleiterkörper (1) mittels des Verbindungsmittels (4) mechanisch mit dem Träger (3) verbunden ist, – das Verbindungsmittel (4) stellenweise in direktem Kontakt mit dem Halbleiterkörper (1) und dem Träger (3) steht, und – die zumindest zwei Kontaktstellen (2a, 2b) an der dem Träger (3) abgewandten Oberseite des Halbleiterkörpers (1) angeordnet sind.

公开(公告)号：DE102009059887A1

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：DE102009059887

申请日：2009-12-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GMEINWIESER NIKOLAUS DR ,  LEBER ANDREAS ,  SABATHIL MATTHIAS DR

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/32 ,  H01L33/58 ,  H01S5/028

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips (1) beinhaltet dieser eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Schicht (3). Weiterhin umfasst der Halbleiterchip (1) eine Lichtauskoppelschicht (4), die mindestens mittelbar auf einer Strahlungsdurchtrittsfläche (20) der Halbleiterschichtenfolge (2) aufgebracht ist. Ein Material der Lichtauskoppelschicht (4) ist von einem Material der Halbleiterschichtenfolge (2) verschieden und Brechungsindices der Materialien der Lichtauskoppelschicht (4) und der Halbleiterschichtenfolge (2) unterscheiden sich um höchstens 20% voneinander. Durch Ausnehmungen (44) in der Lichtauskoppelschicht (4) sind Facetten (40) gebildet, wobei die Ausnehmungen (44) die Lichtauskoppelschicht (4) nicht vollständig durchdringen. Außerdem weisen die Facetten (40) eine Gesamtfläche auf, die mindestens 25% eines Flächeninhalts der Strahlungsdurchtrittsfläche (20) entspricht.

公开(公告)号：DE102010051287A1

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：DE102010051287

申请日：2010-11-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SABATHIL MATTHIAS DR ,  LINKOV ALEXANDER DR ,  KOELPER CHRISTOPHER

IPC: H01L33/50

Abstract: Es ist ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) angegeben, der einen Halbleiterschichtenstapel (2) umfasst. Der Halbleiterschichtenstapel (2) weist eine zur Strahlungserzeugung vorgesehene aktive Schicht und eine Strahlungsaustrittsseite (21) auf. Der Halbleiterchip (10) weist weiter eine Konversionsschicht (3) auf, die mit einer Befestigungsseite (31) auf der Strahlungsaustrittsseite (21) des Halbleiterschichtenstapels (2) angeordnet ist. Die Konversionsschicht (3) ist geeignet, zumindest einen Teil der von der aktiven Schicht emittierten Strahlung in Strahlung einer anderen Wellenlänge umzuwandeln. Die Befestigungsseite (31) der Konversionsschicht (3) weist eine erste Nanostrukturierung (4) auf. Die Strahlungsaustrittsseite (21) des Halbleiterschichtenstapels (2) weist eine zweite Nanostrukturierung (5) auf. Weiter ist ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Halbleiterchips (10) angegeben.

公开(公告)号：DE102010051286A1

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：DE102010051286

申请日：2010-11-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SABATHIL MATTHIAS DR ,  LINKOV ALEXANDER DR ,  KOELPER CHRISTOPHER ,  STRASBURG MARTIN DR ,  MALM NORWIN VON DR

IPC: H01L33/50

Abstract: Es ist ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) angegeben, der einen Halbleiterschichtenstapel (2) und eine Konversionsschicht (3) umfasst. Der Halbleiterschichtenstapel (2) weist eine aktive Schicht (2a) zur Strahlungserzeugung auf. Die Konversionsschicht (3) ist auf einer Strahlungsaustrittsseite (21) des Halbleiterschichtenstapels (2) angeordnet, wobei die Konversionsschicht (3) geeignet ist, zumindest einen Teil der von der aktiven Schicht (2a) emittierten Strahlung in Strahlung einer anderen Wellenlänge umzuwandeln. Die Strahlungsaustrittsseite (21) des Halbleiterschichtenstapels (2) weist eine erste Nanostrukturierung auf, wobei die Konversionsschicht (3) in dieser ersten Nanostrukturierung (4) angeordnet ist. Weiter ist ein Verfahren zum Herstellen eines derartigen Halbleiterchips (10) angegeben.

公开(公告)号：DE102010046300A1

公开(公告)日：2012-04-19

申请号：DE102010046300

申请日：2010-09-22

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BERGENEK KRISTER DR ,  WIRTH RALPH DR ,  SABATHIL MATTHIAS DR

IPC: H01L25/075 ,  F21K99/00 ,  H01L33/50 ,  H05B44/00

Abstract: Es wird ein Beleuchtungsmodul angegeben, das ein erstes Licht emittierendes Halbleiterbauelement (1), das im Betrieb rotes Licht (901) abstrahlt, ein zweites Licht emittierendes Halbleiterbauelement (2), das im Betrieb grünes Licht (902) abstrahlt, und ein drittes Licht emittierendes Halbleiterbauelement (3), das im Betrieb blaues oder kaltweißes Licht (903) abstrahlt, aufweist, wobei das zweite Halbleiterbauelement (2) einen blau emittierenden zweiten Halbleiterchip und ein zweites Wellenlängenkonversionselement aufweist, das einen Anteil von größer oder gleich 90% des vom zweiten Halbleiterchip emittierten blauen Lichts in das grüne Licht (902) umwandelt, und wobei eine Überlagerung des vom ersten, zweiten und dritten Halbleiterbauelement (1, 2, 3) jeweils abgestrahlten Lichts (901, 902, 903) warmweißes Licht (904) ergibt.

公开(公告)号：DE102010018260A1

公开(公告)日：2011-08-04

申请号：DE102010018260

申请日：2010-04-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SABATHIL MATTHIAS DR ,  HOEPPEL LUTZ DR ,  VON MALM NORWIN DR ,  ILLEK STEFAN DR ,  BARCHMANN BERND ,  RODE PATRICK

IPC: H01L25/075 ,  F21V29/00 ,  H01L33/50 ,  H01L33/64

Abstract: Es wird eine Beleuchtungsvorrichtung angegeben. Gemäß zumindest einem Aspekt weist die Beleuchtungsvorrichtung einen vorderseitigen Träger (1), eine rückseitigen Träger (2) und eine Mehrzahl von Leuchtdiodenchips (3) auf, die im Betrieb der Beleuchtungsvorrichtung Licht emittieren und Verlustwärme abgeben. Der rückseitige Träger (2) ist zumindest stellenweise von dem vorderseitigen Träger (1) bedeckt. Die Leuchtdiodenchips (3) sind zwischen dem rückseitigen Träger (2) und dem vorderseitigen Träger (1) angeordnet und von diesen mechanisch arretiert. Sie sind mittels des rückseitigen und/oder des vorderseitigen Trägers (1, 2) elektrisch kontaktiert. Der vorderseitige Träger (1) ist wärmeleitend mit den Leuchtdiodenchips (3) gekoppelt und weist eine von den Leuchtdiodenchips (3) abgewandte Lichtauskoppelfläche (101) auf, die zur Abgabe eines Teils der von den Leuchtdiodenchips (3) erzeugten Verlustwärme an die Umgebung ausgebildet ist.