公开(公告)号：ES2864881T3

公开(公告)日：2021-10-14

申请号：ES14709823

申请日：2014-02-21

Applicant: QUALCOMM INC

Inventor： SONG YOUNG ,  PARK YUNSEO ,  ZHANG XIAONAN ,  LANE RYAN ,  NEJATI BABAK ,  HADJICHRISTOS ARISTOTELE ,  CHEN XIAOMING

IPC: H01L23/64 ,  H01L23/00 ,  H01L23/522 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/11

Abstract: Un dispositivo semiconductor que comprende: una placa de circuito impreso, PCB (202) que comprende una primera capa metálica (202a, 310); un conjunto de bolas de soldadura (204, 308) acopladas a la PCB; y Un chip (200) acoplado a la PCB a través del conjunto de bolas de soldadura (204, 308), comprendiendo el chip una segunda capa metálica (218, 304) y una tercera capa metálica (210, 302) y un conjunto de vías (212, 306) que acoplan la segunda capa metálica (218) y la tercera capa metálica (210, 302); en el que la primera capa metálica (202a, 310) de la PCB, el conjunto de bolas de soldadura (204, 308), las segunda y tercera capas metálicas (218; 210, 302) y el conjunto de vías (212, 306) del chip están configurados para funcionar como un inductor en el dispositivo; en el que la primera capa metálica (202a, 310) de la PCB, el conjunto de bolas de soldadura (204, 308), la segunda y tercera capas metálicas (218; 210, 302) y el conjunto de vías (212, 306) del chip están configurados para proporcionar un devanado para el inductor, teniendo el devanado un número de N vueltas que es 2 o más.

公开(公告)号：ES2763034T3

公开(公告)日：2020-05-26

申请号：ES16763161

申请日：2016-08-30

Applicant: QUALCOMM INC

Inventor： LEE JOHN ,  SONG YOUNG ,  JOW UEI-MING ,  CHOI SANGJO ,  ZHANG XIAONAN

IPC: H01L23/552 ,  H01P7/06

Abstract: Un circuito integrado, CI, de flip chip que comprende: un troquel semiconductor (5 14), que comprende: al menos una capa semiconductora (22); una pluralidad de capas metálicas (24) para proporcionar interconexiones a la al menos una capa semiconductora; una capa de apertura (26) que comprende una apertura de transmisión de señal de entrada (30) configurada para pasar una señal de entrada de radiofrecuencia (RF) (38) a través de la misma, y una apertura de transmisión de señal de salida (32) configurada para pasar una señal de RF de salida (42)) a través de la misma; y al menos una capa de interconexión posterior de final de línea (28) dispuesta entre la al menos una capa semiconductora y la capa de apertura, la al menos una capa de interconexión posterior de final de línea, que comprende: una línea de transmisión de entrada (36) configurada para transmitir la señal de RF de entrada a través de la apertura de transmisión de señal de entrada; y una línea de transmisión de salida (40) configurada para recibir la señal de RF de salida a través de la apertura de transmisión de señal de salida; y una pluralidad de protuberancias conductoras (16) interconectadas a al menos una de entre la pluralidad de capas metálicas (24), la pluralidad de protuberancias conductoras y la capa de apertura que definen una cavidad interior del resonador (34); la cavidad del resonador interior configurada para recibir la señal de RF de entrada desde la línea de transmisión de entrada a través de la apertura de transmisión de señal de entrada, hacer resonar la señal de RF de entrada para generar la señal de RF de salida que comprende una señal de RF filtrada de la señal de RF de entrada y acoplar la señal de RF de salida en la línea de transmisión de salida a través de la apertura de transmisión de señal de salida.

公开(公告)号：HUE046872T2

公开(公告)日：2020-04-28

申请号：HUE16763161

申请日：2016-08-30

Applicant: QUALCOMM INC

Inventor： LEE JOHN ,  SONG YOUNG ,  JOW UEI-MING ,  CHOI SANGJO ,  ZHANG XIAONAN

IPC: H01P7/06