公开(公告)号：KR20180008394A

公开(公告)日：2018-01-24

申请号：KR20177026202

申请日：2016-05-02

Applicant: SONY CORP

Inventor： MIYAZAWA SHINJI

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H04N5/374

CPC classification number: H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L27/14 ,  H01L27/146 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/73257 ,  H04N5/374

Abstract: 본개시는, 장치사이즈를보다소형화할수 있도록하는고체촬상장치및 그제조방법및 전자기기에관한것이다. 고체촬상장치는, 광전변환을행하는화소가 2차원배열된화소어레이부가형성된제1 구조체와, 화소로부터출력된화소신호를장치의외부에출력하기위한출력회로부가형성된제2 구조체가적층되어구성되어있다. 출력회로부, 제2 구조체의일부를구성하는반도체기판을관통하는관통비아및 장치의외부와접속하는신호출력용외부단자는, 제1 구조체의화소어레이부의하방에배치되고, 출력회로부는, 관통비아를통하여신호출력용외부단자와접속되어있다. 본개시는, 예를들면, 고체촬상장치등에적용할수 있다.

Abstract translation: 本公开涉及使得装置尺寸进一步减小的固态成像装置，其制造方法和电子设备。 一种固态成像装置包括：像素的第一结构部分被二维排列的像素阵列，用于执行光电转换形成，是从像素结构输出的像素信号，并且所述第二结构中，输出电路部分被形成为输出到装置的外部被堆叠 有。 输出电路部，通过通和信号输出，外部终端，用于连接该装置通过构成第二结构的一部分所述半导体衬底穿透的外部设置在所述第一结构中，输出电路部，所述通孔的所述像素阵列部的下方 并连接到外部端子进行信号输出。 本公开可以应用于例如固态成像装置等。

公开(公告)号：WO2015111419A3

公开(公告)日：2015-10-08

申请号：PCT/JP2015000329

申请日：2015-01-26

Applicant: SONY CORP

Inventor： YAMAMOTO ATSUSHI ,  MIYAZAWA SHINJI ,  OOKA YUTAKA ,  MAEDA KENSAKU ,  MORIYA YUSUKE ,  OGAWA NAOKI ,  FUJII NOBUTOSHI ,  FURUSE SHUNSUKE ,  NAGATA MASAYA ,  YAMAMOTO YUICHI

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14618 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687 ,  H01L2224/11

Abstract: The present technology relates to techniques of preventing intrusion of moisture into a chip. Various illustrative embodiments include image sensors that include: a substrate; a plurality of layers stacked on the substrate; the plurality of layers including a photodiode layer having a plurality of photodiodes formed on a surface of the photodiode layer; the plurality of layers including at least one layer having a groove formed such that a portion of the at least one layer is excavated; and a transparent resin layer formed above the photodiode layer and formed in the groove. The present technology can be applied to, for example, an image sensor.

Abstract translation: 本技术涉及防止水分侵入芯片的技术。 各种示例性实施例包括图像传感器，其包括：基板; 层叠在所述基板上的多个层; 所述多个层包括在所述光电二极管层的表面上形成有多个光电二极管的光电二极管层; 所述多个层包括至少一个具有形成为使得所述至少一个层的一部分被挖出的凹槽的层; 以及在光电二极管层的上方形成并形成在沟槽内的透明树脂层。 本技术可以应用于例如图像传感器。

公开(公告)号：DE112017001519T5

公开(公告)日：2018-12-06

申请号：DE112017001519

申请日：2017-03-10

Applicant: SONY CORP

Inventor： MIYAZAWA SHINJI ,  MASUDA YOSHIAKI

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/768 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H04N5/369 ,  H04N5/374

Abstract: Die Offenbarung der vorliegenden Erfindung betrifft eine Bildaufnahmevorrichtung und eine elektronische Einrichtung, mit denen die Größe der Vorrichtung kompakter gemacht werden kann. Bei der vorliegenden Erfindung ist das Folgende laminiert: ein erster struktureller Körper, in dem eine Pixelarrayeinheit gebildet ist; und ein zweiter struktureller Körper, in dem eine Eingabe/Ausgabe-Schaltkreiseinheit und ein Signalverarbeitungsschaltkreis gebildet sind, um zu bewirken, dass ein vorbestimmtes Signal von außerhalb einer Vorrichtung eingegeben wird und ein Pixelsignal, welches von einem Pixel ausgegeben wurde, nach außerhalb der Vorrichtung ausgegeben wird. Die vorliegende Erfindung umfasst Folgendes: einen ersten Durchgangs-Via, der durch ein Halbleitersubstrat hindurchgeht, das einen Teil des zweiten strukturellen Körpers darstellt; einen externen Anschluss für eine Signalausgabe, der über den ersten Durchgangs-Via mit dem Äußeren verbunden ist; einen zweiten Durchgangs-Via, der mit einer Eingabeschaltkreiseinheit verbunden ist und der durch das Halbleitersubstrat hindurchgeht; einen externen Anschluss zur Signaleingabe, der über den zweiten Durchgangs-Via mit dem Äußeren verbunden ist; ein Substrat, das unterhalb der Pixelarrayeinheit des ersten strukturellen Körpers angeordnet ist und das mit dem externen Anschluss zur Signalausgabe und dem externen Anschluss zur Signaleingabe verbunden ist; und eine Leiterplatte, die mit einer Oberfläche des Substrats entgegengesetzt zu der Oberfläche verbunden ist, mit der der externe Anschluss zur Signalausgabe und der externe Anschluss zur Signaleingabe verbunden sind. Die Offenbarung der vorliegenden Erfindung kann zum Beispiel auf eine Bildaufnahmevorrichtung angewandt werden.

公开(公告)号：EP2980849A4

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：EP14773969

申请日：2014-03-14

Applicant: SONY CORP

Inventor： OOKA YUTAKA ,  MIYAZAWA SHINJI ,  MAEDA KENSAKU ,  YAMAMOTO ATSUSHI

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/369 ,  H04N5/372 ,  H04N5/374 ,  H04N9/07

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/14685

Abstract: Provided is a solid-state image pickup element including: a sensor unit configured to generate an electrical signal in response to incident light; a color filter covering the sensor unit; and a lens configured to concentrate the incident light into the sensor unit via the color filter and formed by a laminated film made of a predetermined lens material. The lens is formed on the color filter without providing a planarization layer for removing a difference in level in the color filter.

公开(公告)号：JP2013102322A

公开(公告)日：2013-05-23

申请号：JP2011244313

申请日：2011-11-08

Applicant: Sony Corp ,  ソニー株式会社

Inventor： MIYAZAWA SHINJI

IPC: H04N5/225 ,  G02B27/26 ,  G03B35/08 ,  H04N13/02

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an imaging apparatus with simple configuration and structure capable of imaging a subject as a stereoscopic image.SOLUTION: An imaging apparatus comprises an imaging element array 40 having first polarization means 30, a lens system 20 and second polarization means 50. The first polarization means 30 has a first region 31 and a second region 32, the second polarization means 50 has plural third regions 51 and fourth regions 52. Light passes the third regions 51 is in a polarization state, light passes the fourth regions 52 is in a non-polarization state, and to a part of the second polarization means 50 constituting the third region 51, a wire grid polarizer inclined to a first direction is provided. The first region passing light reaches to an imaging element by passing through the third region 51, and the first region passing light and the second region passing light reach the imaging element by passing through the fourth region 52, thus an image for obtaining a stereoscopic image having a distance between a gravity point BCof the first region and a gravity point BCof the first polarization means 30 serving as a base line length of binocular parallax is imaged.

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够将被摄体成像为立体图像的简单结构和结构的成像装置。 解决方案：成像装置包括具有第一偏振装置30，透镜系统20和第二偏振装置50的成像元件阵列40.第一偏振装置30具有第一区域31和第二区域32，第二偏振装置 50具有多个第三区域51和第四区域52.光通过第三区域51处于偏振状态，光通过第四区域52处于非偏振状态，并且第二偏振装置50的一部分构成第三区域 区域51设置有向第一方向倾斜的线栅偏振器。 第一区域通过光通过第三区域51到达成像元件，并且通过光的第一区域和第二区域通过光通过第四区域52到达成像元件，因此获得立体图像的图像 具有第一区域的重力点BC 1 之间的距离和服务的第一偏振装置30的重力点BC 0 因为双眼视差的基线长度被成像。 版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2010122396A

公开(公告)日：2010-06-03

申请号：JP2008294877

申请日：2008-11-18

Applicant: Sony Corp ,  ソニー株式会社

Inventor： HATANO KEISUKE ,  MATSUNUMA KENJI ,  MIYAZAWA SHINJI

IPC: G03F1/40 ,  G03F1/68

CPC classification number: G03F1/40 ,  G03F1/50

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photomask having an island-shaped independent light-shielding pattern, in which deformation of the pattern due to electrostatic damage can be prevented. SOLUTION: The photomask includes a base, a plurality of chip pattern regions where a light-shielding pattern comprising a metal material is formed on the base, and scribe regions comprising a light-shielding pattern formed between the chip pattern regions. The photomask is provided with slits, which are regions having no metal material formed thereon and surround the chip pattern regions. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种具有岛形独立的遮光图案的光掩模，其中可以防止由于静电损伤导致的图案变形。 解决方案：光掩模包括基底，在基底上形成包括金属材料的遮光图案的多个芯片图案区域，以及包括在芯片图案区域之间形成的遮光图案的划线区域。 光掩模设置有狭缝，其是在其上形成并且围绕芯片图案区域的金属材料的区域。 版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2010098169A

公开(公告)日：2010-04-30

申请号：JP2008268544

申请日：2008-10-17

Applicant: Sony Corp ,  ソニー株式会社

Inventor： MIYAZAWA SHINJI ,  TAKEDA TAKESHI

IPC: H01L27/148 ,  H01L27/14 ,  H04N5/335 ,  H04N5/369 ,  H04N5/372

CPC classification number: H01L27/14818 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/14843

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To enlarge the area of a light receiving surface per pixel, and to improve image quality. SOLUTION: A first transfer electrode 31 is made to face an electric charge reading channel region 22 across a gate insulating film Gx with an electric charge transfer channel region 23. Then, a first light shielding film 41 is formed so as to cover the first transfer electrode 31 and to include a part facing the electric charge reading channel region 22 across the gate insulating film Gx. Here, the first light shielding film 41 is formed of a conductive material and electrically connected to the first transfer electrode 31. Then, the first transfer electrode 31 and the first light shielding film 41 are used as electric charge reading electrodes to read a signal electric charge from a photodiode 21. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：扩大每像素的光接收表面的面积，并提高图像质量。 解决方案：使第一转印电极31跨越栅极绝缘膜Gx与电荷转移通道区域23面对电荷读取通道区域22.然后，形成第一遮光膜41以覆盖 第一转印电极31并且包括跨越栅极绝缘膜Gx的面向电荷读取通道区域22的部分。 这里，第一遮光膜41由导电材料形成并与第一转印电极31电连接。然后，第一转印电极31和第一遮光膜41用作电荷读取电极，以读取信号电 光电二极管21的电荷。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2014060203A

公开(公告)日：2014-04-03

申请号：JP2012203069

申请日：2012-09-14

Applicant: Sony Corp ,  ソニー株式会社

Inventor： MIYAZAWA SHINJI ,  OOKA YUTAKA

IPC: H01L27/14 ,  H01L27/146 ,  H01L31/02 ,  H01L31/10 ,  H04N5/374

CPC classification number: H01L27/14618 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14685

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a solid-state imaging device with enhanced waterproofness.SOLUTION: The solid-state imaging device including: a substrate having plural photodiodes formed on the surface thereof; and a transparent protective film having the waterproofness, which encloses a region of the substrate where plural photodiodes are disposed with side wall portions perpendicular to the surface of the substrate and a top plane portion covering a region enclosed by the side walls. The solid-state imaging device is applicable to, for example, a CMOS image sensor.

Abstract translation: 要解决的问题：提供具有增强的防水性的固态成像装置。解决方案：固态成像装置包括：在其表面上形成有多个光电二极管的基板; 以及具有防水性的透明保护膜，其包围基板的区域，其中多个光电二极管配置有垂直于基板表面的侧壁部分，以及覆盖由侧壁包围的区域的顶面部分。 固态成像装置可应用于例如CMOS图像传感器。

公开(公告)号：JP2011114325A

公开(公告)日：2011-06-09

申请号：JP2009272442

申请日：2009-11-30

Applicant: Sony Corp ,  ソニー株式会社

Inventor： YORIKADO YUHI ,  MIYAZAWA SHINJI ,  YANAGIDA TSUYOSHI

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/14 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14643 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14689 ,  H04N9/07

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a solid-state image pickup device with a highly reliable insulating layer without increasing the number of manufacturing steps, and also to provide an electronic apparatus utilizing the solid-state image pickup device.
SOLUTION: The solid-state image pickup device 1 includes a semiconductor layer 20 with a photoelectric conversion element to generate a signal electric charge corresponding to a received light quantity, the insulating layer 29 having an insulating material buried in an opening part formed at the semiconductor layer 20, and protecting membranes 30, 31 formed at a surface side of the semiconductor layer 20 so as to cover the insulating layer 29. By forming the protecting membranes 30, 31 so as to cover the insulating layer 29, the insulating layer 29 is not removed unnecessarily at the semiconductor layer 20 surface side in manufacturing steps after forming the insulating layer 29.
COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：为了提供具有高可靠性绝缘层的固态图像拾取装置，而不增加制造步骤的数量，并且还提供利用固态图像拾取装置的电子装置。 解决方案：固态摄像装置1包括具有光电转换元件的半导体层20，以产生对应于接收光量的信号电荷，绝缘层29具有掩埋在形成的开口部分中的绝缘材料 在半导体层20和形成在半导体层20的表面侧的保护膜30,31以覆盖绝缘层29.通过形成保护膜30,31以覆盖绝缘层29，绝缘层 在形成绝缘层29之后的制造步骤中，层29在半导体层20的表面侧不被不必要地移除。（C）2011，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2006229150A

公开(公告)日：2006-08-31

申请号：JP2005044397

申请日：2005-02-21

Applicant: Sony Corp ,  ソニー株式会社

Inventor： MIYAZAWA SHINJI

IPC: H01L27/14 ,  H04N5/335 ,  H04N5/359 ,  H04N5/361 ,  H04N5/369 ,  H04N5/372

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a solid-state imaging device which can increase transmittance on a light receiving sensor to improve sensitivity and can reduce the occurrence of dark current through hydrogen annealing during manufacturing.
SOLUTION: A solid-state imaging device 1 is configured such that a low-reflection film 5A is formed on a semiconductor substrate 2 on a part where a photodiode 3 of the light receiving sensor is formed, a light shielding film 11 is formed above a transfer electrode 7 and embedded between the transfer electrode 7 and the low-reflection film 5A, and between the transfer electrode 7 and an insulating layer 14 on the low-reflection film 5A; an embedded portion 11A of the light shielding film 11 is in contact with a gate insulating film 4; and a film 13 permeable to hydrogen is formed between the low-reflection film 5A and the embedded portion 11A of the light shielding film 11.
COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种可以增加光接收传感器上的透射率以提高灵敏度并且可以减少在制造期间通过氢退火的暗电流的发生的固态成像装置。 解决方案：固态成像装置1被配置为使得在形成光接收传感器的光电二极管3的部分上的半导体衬底2上形成低反射膜5A，遮光膜11是 形成在转印电极7的上方并嵌入转印电极7和低反射膜5A之间，以及转印电极7和低反射膜5A上的绝缘层14之间; 遮光膜11的嵌入部分11A与栅绝缘膜4接触; 并且在低反射膜5A和遮光膜11的嵌入部分11A之间形成可渗透氢的膜13.版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI