公开(公告)号：FR2959866A1

公开(公告)日：2011-11-11

申请号：FR1053527

申请日：2010-05-06

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： GUYADER FRANCOIS ,  SANCHEZ YANNICK ,  HOTELLIER NICOLAS ,  BERGER THIERRY

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48

Abstract: Lors de la gravure de l'oxyde de champ (RIS) de façon à prolonger l'orifice (OR) de la future liaison traversante (TSV) jusqu'au niveau de métal (M1), on protège au moins une partie de cet oxyde de champ avec une résine (MP) qui peut être sacrificielle ou non.

公开(公告)号：FR3117268B1

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：FR2012858

申请日：2020-12-08

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： BERGER THIERRY ,  ALLEGRET-MARET STÉPHANE

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/02

Abstract: Pixel d'un capteur de lumière et son procédé de fabrication La présente description concerne un pixel (2) et un procédé de fabrication d'un tel pixel (2), le procédé comprenant les étapes successives suivantes : déposer une première couche d'électrode (118) sur une face exposée d'une structure d'interconnexion (102) et en contact avec un élément conducteur (104) de la structure ; déposer une couche isolante (200) ; graver une ouverture (300) traversant la couche isolante (200) jusqu'à la première couche d'électrode (118) ; déposer une deuxième couche d'électrode (400) sur et en contact avec la première couche d'électrode (118) et la couche isolante (200) ; retirer par gravure une partie de la deuxième couche d'électrode (400) reposant sur la couche isolante (200) ; et déposer un film (500) configuré pour convertir des photons en paires électron-trou. Figure pour l'abrégé : Fig. 7

公开(公告)号：FR3117268A1

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：FR2012858

申请日：2020-12-08

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： BERGER THIERRY ,  ALLEGRET-MARET STÉPHANE

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/02

Abstract: Pixel d'un capteur de lumière et son procédé de fabrication La présente description concerne un pixel (2) et un procédé de fabrication d'un tel pixel (2), le procédé comprenant les étapes successives suivantes : déposer une première couche d'électrode (118) sur une face exposée d'une structure d'interconnexion (102) et en contact avec un élément conducteur (104) de la structure ; déposer une couche isolante (200) ; graver une ouverture (300) traversant la couche isolante (200) jusqu'à la première couche d'électrode (118) ; déposer une deuxième couche d'électrode (400) sur et en contact avec la première couche d'électrode (118) et la couche isolante (200) ; retirer par gravure une partie de la deuxième couche d'électrode (400) reposant sur la couche isolante (200) ; et déposer un film (500) configuré pour convertir des photons en paires électron-trou. Figure pour l'abrégé : Fig. 7

公开(公告)号：FR3108786B1

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：FR2003181

申请日：2020-03-31

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： BERGER THIERRY ,  JEANJEAN DAMIEN

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224

Abstract: Pixel d'un capteur de lumière et son procédé de fabrication La présente description concerne un procédé de fabrication d'un pixel (2) comprenant :déposer une couche isolante (200) sur une face exposée (110) d'une structure d'interconnexion (102) d'un circuit intégré, la structure d'interconnexion (102) comportant un élément conducteur (104) affleurant ladite face exposée (110) ; graver une ouverture (300) traversant la couche isolante (200) jusqu'à l'élément conducteur (104) ;déposer une couche d'électrode (400) sur et en contact avec l'élément conducteur (104) et la couche isolante (200) ; effectuer une planarisation mécano-chimique jusqu'à la couche isolante (200), une portion de la couche d'électrode (400) laissée en place dans l'ouverture (300) formant une électrode (402) ; etdéposer un film (500) configuré pour convertir des photons en paires électron-trou lorsqu'un rayonnement à une longueur d'onde de fonctionnement du pixel (2) atteint le pixel. Figure pour l'abrégé : Fig. 5

公开(公告)号：FR3108786A1

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：FR2003181

申请日：2020-03-31

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： BERGER THIERRY ,  JEANJEAN DAMIEN

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224

Abstract: Pixel d'un capteur de lumière et son procédé de fabrication La présente description concerne un procédé de fabrication d'un pixel (2) comprenant :déposer une couche isolante (200) sur une face exposée (110) d'une structure d'interconnexion (102) d'un circuit intégré, la structure d'interconnexion (102) comportant un élément conducteur (104) affleurant ladite face exposée (110) ; graver une ouverture (300) traversant la couche isolante (200) jusqu'à l'élément conducteur (104) ;déposer une couche d'électrode (400) sur et en contact avec l'élément conducteur (104) et la couche isolante (200) ; effectuer une planarisation mécano-chimique jusqu'à la couche isolante (200), une portion de la couche d'électrode (400) laissée en place dans l'ouverture (300) formant une électrode (402) ; etdéposer un film (500) configuré pour convertir des photons en paires électron-trou lorsqu'un rayonnement à une longueur d'onde de fonctionnement du pixel (2) atteint le pixel. Figure pour l'abrégé : Fig. 5