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公开(公告)号：FR2959866A1
公开(公告)日：2011-11-11
申请号：FR1053527
申请日：2010-05-06
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 , ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： GUYADER FRANCOIS , SANCHEZ YANNICK , HOTELLIER NICOLAS , BERGER THIERRY
IPC: H01L21/768 , H01L23/48
Abstract: Lors de la gravure de l'oxyde de champ (RIS) de façon à prolonger l'orifice (OR) de la future liaison traversante (TSV) jusqu'au niveau de métal (M1), on protège au moins une partie de cet oxyde de champ avec une résine (MP) qui peut être sacrificielle ou non.
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公开(公告)号：FR2956244A1
公开(公告)日：2011-08-12
申请号：FR1050822
申请日：2010-02-05
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 , ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： FIORI VINCENT , HOTELLIER NICOLAS , PRUVOST JULIEN , DELOFFRE EMILIE
IPC: H01L21/78
Abstract: L'invention concerne un dispositif comprenant un substrat semiconducteur (30) en surface duquel sont formés des composants électroniques (32) répartis en puces, comprenant en outre au moins une plaquette (36) fixée au-dessus des composants électroniques avec interposition d'une couche intermédiaire (38), caractérisé en ce que, en regard de zones de découpe définies entre les puces, la couche intermédiaire comprend une alternance de premières régions (38A) et d'au moins de secondes régions (38B) en des matériaux présentant des valeurs distinctes d'une caractéristique mécanique.
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公开(公告)号：FR3055471A1
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：FR1658070
申请日：2016-08-31
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor： PETITDIDIER SEBASTIEN , HOTELLIER NICOLAS , BIANCHI RAUL ANDRES , FARCY ALEXIS , FROMENT BENOIT
IPC: H01L23/58
Abstract: L'invention concerne une puce semiconductrice comprenant au moins deux vias isolés (8) traversant la puce de la face avant à la face arrière dans laquelle, du côté de la face arrière, les vias sont connectés à une même bande conductrice (12) et, du côté de la face avant, chaque via est séparé d'un plot conducteur (3, 4) par une couche d'un diélectrique (6).
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公开(公告)号：FR3055471B1
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：FR1658070
申请日：2016-08-31
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor： PETITDIDIER SEBASTIEN , HOTELLIER NICOLAS , BIANCHI RAUL ANDRES , FARCY ALEXIS , FROMENT BENOIT
IPC: H01L23/58
Abstract: L'invention concerne une puce semiconductrice comprenant au moins deux vias isolés (8) traversant la puce de la face avant à la face arrière dans laquelle, du côté de la face arrière, les vias sont connectés à une même bande conductrice (12) et, du côté de la face avant, chaque via est séparé d'un plot conducteur (3, 4) par une couche d'un diélectrique (6).
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公开(公告)号：FR2969817B1
公开(公告)日：2013-09-27
申请号：FR1061119
申请日：2010-12-23
Inventor： HOTELLIER NICOLAS , ROBIN OLIVIER , CHATON CATHERINE
IPC: H01L21/768 , H01L23/48 , H05K3/00
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：FR2969817A1
公开(公告)日：2012-06-29
申请号：FR1061119
申请日：2010-12-23
Inventor： HOTELLIER NICOLAS , ROBIN OLIVIER , CHATON CATHERINE
IPC: H01L21/768 , H01L23/48 , H05K3/00
Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un via dans une plaquette semiconductrice (1) dans laquelle ont été formés des composants électroniques (3) et dont une face principale est recouverte d'un multicouche isolant (7) traversé localement par des régions de contact conductrices (14) , comprenant les étapes suivantes : déposer une couche de carbone amorphe (50) au dessus dudit multicouche ; former un évidement traversant la couche de carbone amorphe, le multicouche et une partie du substrat de silicium ; déposer une couche isolante (56) et une couche conductrice (58) remplissant ledit évidement ; retirer les parties des couches conductrice et isolante formées sur la face principale par planarisation mécano-chimique en s'arrêtant sur la couche de carbone amorphe ; éliminer la couche de carbone amorphe ; et former des niveaux d'interconnexions.
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公开(公告)号：FR3037439A1
公开(公告)日：2016-12-16
申请号：FR1555362
申请日：2015-06-12
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA , STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS
Inventor： HOTELLIER NICOLAS , FOURNEL RICHARD , GIANESELLO FREDERIC , GUYADER FRANCOIS , FIORI VINCENT
Abstract: Dispositif électronique et procédé de traitement, dans lesquels une plaque arrière (3) comprend une couche arrière de substrat (4), une couche avant de substrat (5) et une couche intermédiaire diélectrique (6), située entre la couche arrière et la couche avant, et comprenant une structure électronique (7) aménagée sur ladite couche avant de substrat (5), incluant des composants électroniques et des moyens de connexion électrique, et dans lesquels ladite couche arrière de substrat (4) présente au moins une région locale pleine (17) et au moins une région locale évidée (18), cette région locale évidée étant aménagée sur toute l'épaisseur de ladite couche arrière, de sorte que ladite couche arrière de substrat ne recouvre pas au moins une zone locale (19) de la face arrière de ladite couche intermédiaire diélectrique (6), correspondant à ladite région locale évidée (18).
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公开(公告)号：FR2902236B1
公开(公告)日：2008-12-05
申请号：FR0652068
申请日：2006-06-08
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： HOTELLIER NICOLAS , FELLOUS CYRIL , COWACHE CHRISTOPHE , SANCHEZ YANNICK
IPC: H01L27/146
Abstract: A microelectronic device includes a color filter equipped with a plurality of filtering elements, including several filtering elements. The device includes at least one first zone located inside a cavity and includes a first group of filtering elements having a first critical dimension, and at least one second zone at the periphery of the cavity, including a second group of filtering elements having a second critical dimension that is different from the first critical dimension.
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公开(公告)号：FR2983638A1
公开(公告)日：2013-06-07
申请号：FR1161066
申请日：2011-12-02
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： BAR PIERRE , JOBLOT SYLVAIN , HOTELLIER NICOLAS
Abstract: L'invention concerne un procédé de formation d'un circuit intégré comprenant les étapes suivantes : a) former des ouvertures dans une face avant d'une première plaquette (W1) et les remplir d'un matériau conducteur (5) ; b) former des zones dopées de composants dans des zones actives (9) de la face avant, former des niveaux d'interconnexion (11) sur ladite face et aplanir ladite face ; c) recouvrir d'une couche d'isolant (17) une face avant d'une deuxième plaquette (W2), et aplanir ladite face revêtue d'isolant ; d) appliquer la face avant de la deuxième plaquette (W2) sur la face avant de la première plaquette (W1), de façon à obtenir un collage entre les deux plaquettes ; e) former des vias (33) à partir de la face arrière de la deuxième plaquette, jusqu'à atteindre les niveaux d'interconnexion (11) ; et f) amincir la première plaquette, jusqu'à atteindre les ouvertures remplies de matériau conducteur.
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公开(公告)号：FR2897472A1
公开(公告)日：2007-08-17
申请号：FR0650536
申请日：2006-02-14
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： FELLOUS CYRIL , HOTELLIER NICOLAS , AUMONT CHRISTOPHE , ROY FRANCOIS
IPC: H01L27/146
Abstract: L'invention concerne un photodétecteur comprenant une photodiode (D) formée dans un substrat semiconducteur (1) et un élément de guide d'onde (G) constitué d'un bloc d'un matériau à haut indice (7) s'étendant verticalement à l'aplomb de la photodiode dans une couche épaisse d'un diélectrique (5) superposée au substrat, la couche épaisse étant au moins majoritairement constituée d'oxyde de silicium et le bloc étant constitué d'un polymère siloxane.
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