-
公开(公告)号：FR2959866A1
公开(公告)日：2011-11-11
申请号：FR1053527
申请日：2010-05-06
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 , ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： GUYADER FRANCOIS , SANCHEZ YANNICK , HOTELLIER NICOLAS , BERGER THIERRY
IPC: H01L21/768 , H01L23/48
Abstract: Lors de la gravure de l'oxyde de champ (RIS) de façon à prolonger l'orifice (OR) de la future liaison traversante (TSV) jusqu'au niveau de métal (M1), on protège au moins une partie de cet oxyde de champ avec une résine (MP) qui peut être sacrificielle ou non.
-
公开(公告)号：FR2974665A1
公开(公告)日：2012-11-02
申请号：FR1153616
申请日：2011-04-27
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 , ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： GAY LAURENT , GUYADER FRANCOIS , DIETTE FREDERIC
IPC: H01L21/58
Abstract: Puce microélectronique (3) comportant : ▪ un substrat (4) semi-conducteur ; ▪ au moins une région (10) de sa surface adaptée pour être connectée électriquement à un cadre métallique (2) agencé pour recevoir ladite puce (3) ; ▪ au moins une zone de connexion (6) formée d'une couche (7) conductrice à base de cuivre, comportant un organe de connexion (8), ladite zone de connexion (6) étant reliée à ladite région (10) par une piste conductrice (11), dans laquelle ladite région (10) est formée par une couche (12) formant barrière à diffusion du cuivre, interposée entre la zone de connexion (6) et le substrat (3
-
3.发明专利
公开(公告)号：FR2993395A1
公开(公告)日：2014-01-17
申请号：FR1256726
申请日：2012-07-12
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2
Inventor： GUYADER FRANCOIS
IPC: H01L21/48 , H01L21/461
Abstract: Procédé de traitement d'un substrat (GS, AR) comportant au moins une partie à protéger (AR), comprenant une formation au dessus de ladite au moins une partie, d'une couche de carbone amorphe (CA).
-
公开(公告)号：FR3115158B1
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：FR2010400
申请日：2020-10-12
Inventor： GUYADER FRANCOIS , PELLEGRINI SARA , RAE BRUCE
IPC: H01L31/18 , H01L31/107
Abstract: Pixel à SPAD La présente description concerne un procédé de fabrication d'un dispositif électronique (20) comprenant un empilement d'un premier niveau (102) comprenant une SPAD, d'un deuxième niveau (104) comprenant un circuit d'extinction adapté à ladite SPAD, et d'un troisième niveau (106) comprenant un circuit de traitement d'informations générées par ladite SPAD, le procédé comprenant : a) la formation du premier niveau (102) ; b) la fixation, sur le premier niveau, par collage moléculaire, d'un empilement de couches comprenant une couche semiconductrice ; et c) la formation du circuit d'extinction du deuxième niveau dans la couche semiconductrice. Figure pour l'abrégé : Fig. 2
-
公开(公告)号：FR3115158A1
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：FR2010400
申请日：2020-10-12
Inventor： GUYADER FRANCOIS , PELLEGRINI SARA , RAE BRUCE
IPC: H01L31/18 , H01L31/107
Abstract: Pixel à SPAD La présente description concerne un procédé de fabrication d'un dispositif électronique (20) comprenant un empilement d'un premier niveau (102) comprenant une SPAD, d'un deuxième niveau (104) comprenant un circuit d'extinction adapté à ladite SPAD, et d'un troisième niveau (106) comprenant un circuit de traitement d'informations générées par ladite SPAD, le procédé comprenant : a) la formation du premier niveau (102) ; b) la fixation, sur le premier niveau, par collage moléculaire, d'un empilement de couches comprenant une couche semiconductrice ; et c) la formation du circuit d'extinction du deuxième niveau dans la couche semiconductrice. Figure pour l'abrégé : Fig. 2
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：FR3039925B1
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：FR1557609
申请日：2015-08-07
Inventor： GUYADER FRANCOIS , GOURVEST EMMANUEL , GROS DAILLON PATRICK
IPC: H01L21/00 , H01L27/146
-
公开(公告)号：FR3059143B1
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：FR1661440
申请日：2016-11-24
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor： GAY LAURENT , GUYADER FRANCOIS
IPC: H01L21/02 , H01L21/768 , H01L27/146
Abstract: L'invention concerne une puce de capteur d'image comprenant une couche semiconductrice (3) destinée à recevoir un éclairement du côté de sa face arrière (F2) et comportant une matrice de pixels (1), une structure d'interconnexion (7) disposée sur la face avant (F1) de la couche semiconductrice (3), un support (21) disposé sur la structure d'interconnexion (7) et dont une première face (F3) est du côté de la face avant (F1), et une tranchée annulaire (49) disposée sur le pourtour de la puce (5), ladite tranchée s'étendant à partir de la deuxième face (F4) du support (21) à travers toute l'épaisseur du support.
-
公开(公告)号：FR3077927A1
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：FR1851203
申请日：2018-02-13
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor： LALANNE FREDERIC , GAY LAURENT , FONTENEAU PASCAL , HENRION YANN , GUYADER FRANCOIS
IPC: H01L27/148
Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un capteur d'images, comportant les étapes successives suivantes : a) réaliser une structure comportant une couche semiconductrice (101) ayant une face avant et une face arrière, et un mur d'isolation capacitif (105) s'étendant verticalement de la face avant à la face arrière de la couche semiconductrice, le mur d'isolation capacitif comprenant des première (105a) et deuxième (105b) parois isolantes séparées par une région (105c) en un matériau conducteur ou semiconducteur ; et b) graver, depuis la face arrière de ladite structure, une partie de l'épaisseur de la couche semiconductrice (101) et de la région (105c) en un matériau conducteur ou semiconducteur, de façon sélective par rapport aux parois isolantes (105a, 105b).
-
公开(公告)号：FR3059143A1
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：FR1661440
申请日：2016-11-24
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor： GAY LAURENT , GUYADER FRANCOIS
IPC: H01L21/02 , H01L21/768 , H01L27/146
Abstract: L'invention concerne une puce de capteur d'image comprenant une couche semiconductrice (3) destinée à recevoir un éclairement du côté de sa face arrière (F2) et comportant une matrice de pixels (1), une structure d'interconnexion (7) disposée sur la face avant (F1) de la couche semiconductrice (3), un support (21) disposé sur la structure d'interconnexion (7) et dont une première face (F3) est du côté de la face avant (F1), et une tranchée annulaire (49) disposée sur le pourtour de la puce (5), ladite tranchée s'étendant à partir de la deuxième face (F4) du support (21) à travers toute l'épaisseur du support.
-
公开(公告)号：FR3016733A1
公开(公告)日：2015-07-24
申请号：FR1450572
申请日：2014-01-23
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2
Inventor： GUYADER FRANCOIS , DELOFFRE EMILIE
IPC: H01L21/98
Abstract: Procédé de traitement d'une plaque destinée à être assemblée par collage direct sur une autre plaque, la plaque comprenant une face à assembler comportant un matériau isolant. Le procédé comprend une application d'une solution chimique (SCH) ou un traitement par un plasma sur au moins une portion de la partie périphérique (PP) de ladite face à assembler de façon à conférer à ladite au moins une portion un caractère intrinsèque moins hydrophile que le reste de la plaque.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
13
records
(took 0.029 seconds)
