中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

22 records (took 0.026 seconds)

    CIRCUIT ELECTRONIQUE COMPRENANT UN INTERRUPTEUR D'ALIMENTATION D'UN CIRCUIT LOGIQUE
    1.
    发明专利
    CIRCUIT ELECTRONIQUE COMPRENANT UN INTERRUPTEUR D'ALIMENTATION D'UN CIRCUIT LOGIQUE 未知

    公开(公告)号：FR2986373A1

    公开(公告)日：2013-08-02

    申请号：FR1250896

    申请日：2012-01-31

    Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： LE COZ JULIEN ,  FLATRESSE PHILIPPE ,  BOEUF FREDERIC

    IPC: H01L27/06 ,  H03K17/687 ,  H03K19/003

    Abstract: L'invention concerne un circuit comprenant, entre deux bornes d'application d'une tension d'alimentation, un transistor MOS (34) et des composants logiques (36) formés dans des caissons semiconducteurs qui s'étendent sur un substrat semiconducteur (42) dopé d'un premier type de conductivité avec interposition d'une couche isolante (44). Une première région dopée du premier type de conductivité (50) s'étend sous la couche isolante en regard du caisson du transistor. Une deuxième région dopée d'un second type de conductivité (52) sépare la première région du substrat. Le circuit comprend un générateur d'un premier signal (Vg) appliqué sur la grille du transistor, d'un deuxième signal (Vp) appliqué sur la première région et d'un troisième signal (V1) appliqué sur la deuxième région, les premier et deuxième signaux variant entre deux valeurs simultanément, le deuxième signal présentant une tension supérieure, en valeur absolue à 1,8 V, la jonction constituée des première et deuxième régions étant bloquée.

    DEPHASEUR ELECTRO-OPTIQUE A CAPACITE D'OXYDE
    2.
    发明专利
    DEPHASEUR ELECTRO-OPTIQUE A CAPACITE D'OXYDE 未知

    公开(公告)号：FR3011346A1

    公开(公告)日：2015-04-03

    申请号：FR1359558

    申请日：2013-10-02

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

    Inventor： MANOUVRIER JEAN-ROBERT ,  BOEUF FREDERIC

    IPC: G02F1/025

    Abstract: L'invention est relative à un déphaseur électro-optique configuré pour être disposé dans un guide d'onde optique (12), comprenant une nervure (WG) en matériau semi-conducteur , agencée dans le prolongement du guide d'onde ; une structure de commande configurée pour modifier la concentration de charges dans la nervure en fonction d'une tension de commande (VC) appliquée entre des première et deuxième bornes de commande (A, C) du déphaseur. La structure de commande comprend une couche conductrice (18-1) couvrant une partie de la nervure et reliée électriquement à une première des bornes de commande (C) ; et une couche d'isolant (20) agencée pour isoler la couche conductrice électriquement de la nervure.

    Modulateur optique capacitif
    3.
    发明专利
    Modulateur optique capacitif 未知

    公开(公告)号：FR3098977B1

    公开(公告)日：2021-07-30

    申请号：FR1908189

    申请日：2019-07-19

    Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

    Inventor： BOEUF FREDERIC ,  BARRERA CYRILLE

    IPC: H01L21/20 ,  G02B6/42 ,  H01L21/18 ,  H01L21/302 ,  H01L21/31

    Abstract: Modulateur optique capacitif La présente description concerne un modulateur électro-optique capacitif comprenant : une première couche (108) de silicium ; un empilement d'une première bande (302) de germanium ou de silicium-germanium reposant sur la première couche (108) et d'une deuxième bande (300) de silicium reposant sur la première bande, la première bande étant moins large que la deuxième bande ; un isolant (400) bordant latéralement l'empilement et affleurant une face supérieure de la deuxième bande (300) ; une couche isolante (402) reposant sur l'isolant (400) et la deuxième bande (300) ; et une couche (500) de matériaux III-V reposant sur la couche isolante (402) et comprenant une troisième bande (501) disposée au-dessus et en regard de la deuxième bande (300). La présente description concerne également un procédé de fabrication d'un tel modulateur. Figure pour l'abrégé : Fig. 5

    PROCEDE DE FABRICATION D'UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A CAPACITE PARASITE REDUITE
    6.
    发明专利
    PROCEDE DE FABRICATION D'UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A CAPACITE PARASITE REDUITE 未知

    公开(公告)号：FR3049110A1

    公开(公告)日：2017-09-22

    申请号：FR1652403

    申请日：2016-03-21

    Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

    Inventor： LE ROYER CYRILLE ,  BOEUF FREDERIC ,  GRENOUILLET LAURENT ,  HUTIN LOUIS ,  MORAND YVES

    IPC: H01L21/336

    Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication, comprenant les étapes de : -fournir un substrat (100) comportant une couche de matériau semi-conducteur (133) surmontée d'une grille sacrificielle comportant un isolant de grille sacrificiel comportant : -une partie médiane, et -des bords surmontés d'espaceurs sacrificiels et présentant une épaisseur tox; -retirer l'isolant de grille sacrificiel et le matériau de grille sacrificiel; -former un dépôt conforme d'une épaisseur thk de matériau diélectrique à l'intérieur de la gorge formée pour former un isolant de grille, avec tox > thk ≥ tox/2 ; -former une électrode de grille (142) dans la gorge ; -retirer les espaceurs sacrificiels pour découvrir des bords (122) de la couche d'isolant de grille ; -former des espaceurs (150, 151) sur les bords (122) de la couche d'isolant de grille de part et d'autre de l'électrode de grille (142), ces espaceurs présentant une constante diélectrique au plus égale à 3,5.

    Modulateur optique capacitif
    9.
    发明专利
    Modulateur optique capacitif 未知

    公开(公告)号：FR3098977A1

    公开(公告)日：2021-01-22

    申请号：FR1908189

    申请日：2019-07-19

    Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

    Inventor： BOEUF FREDERIC ,  BARRERA CYRILLE

    IPC: H01L21/20 ,  G02B6/42 ,  H01L21/18 ,  H01L21/302 ,  H01L21/31

    Abstract: Modulateur optique capacitif La présente description concerne un modulateur électro-optique capacitif comprenant : une première couche (108) de silicium ; un empilement d'une première bande (302) de germanium ou de silicium-germanium reposant sur la première couche (108) et d'une deuxième bande (300) de silicium reposant sur la première bande, la première bande étant moins large que la deuxième bande ; un isolant (400) bordant latéralement l'empilement et affleurant une face supérieure de la deuxième bande (300) ; une couche isolante (402) reposant sur l'isolant (400) et la deuxième bande (300) ; et une couche (500) de matériaux III-V reposant sur la couche isolante (402) et comprenant une troisième bande (501) disposée au-dessus et en regard de la deuxième bande (300). La présente description concerne également un procédé de fabrication d'un tel modulateur. Figure pour l'abrégé : Fig. 5

Patent Agency Ranking