公开(公告)号：FR2956244A1

公开(公告)日：2011-08-12

申请号：FR1050822

申请日：2010-02-05

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： FIORI VINCENT ,  HOTELLIER NICOLAS ,  PRUVOST JULIEN ,  DELOFFRE EMILIE

IPC: H01L21/78

Abstract: L'invention concerne un dispositif comprenant un substrat semiconducteur (30) en surface duquel sont formés des composants électroniques (32) répartis en puces, comprenant en outre au moins une plaquette (36) fixée au-dessus des composants électroniques avec interposition d'une couche intermédiaire (38), caractérisé en ce que, en regard de zones de découpe définies entre les puces, la couche intermédiaire comprend une alternance de premières régions (38A) et d'au moins de secondes régions (38B) en des matériaux présentant des valeurs distinctes d'une caractéristique mécanique.

公开(公告)号：FR3077159A1

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：FR1850475

申请日：2018-01-22

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： SANCHEZ YANNICK PIERRE ,  DELOFFRE EMILIE

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/822 ,  H01L27/146

Abstract: Procédé de fabrication de capteurs d'image dans lequel une couche active (30) en matériau semiconducteur est plaquée, par pression, contre les parois de cavités (20) d'une première plaque (22).

公开(公告)号：FR3016733A1

公开(公告)日：2015-07-24

申请号：FR1450572

申请日：2014-01-23

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： GUYADER FRANCOIS ,  DELOFFRE EMILIE

IPC: H01L21/98

Abstract: Procédé de traitement d'une plaque destinée à être assemblée par collage direct sur une autre plaque, la plaque comprenant une face à assembler comportant un matériau isolant. Le procédé comprend une application d'une solution chimique (SCH) ou un traitement par un plasma sur au moins une portion de la partie périphérique (PP) de ladite face à assembler de façon à conférer à ladite au moins une portion un caractère intrinsèque moins hydrophile que le reste de la plaque.

公开(公告)号：FR2890982B1

公开(公告)日：2008-05-02

申请号：FR0509642

申请日：2005-09-21

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： GROS MICHAEL ,  DELOFFRE EMILIE ,  WYON CHRISTOPHE

IPC: C23C16/40 ,  H01L21/02 ,  H01L21/316

Abstract: The formation of a layer of dielectric material on a carrier material (31) comprises: (A) circulating, in contact with the carrier material, a gas mixture (16) containing a precursor of a metal then an oxidizing gas (17) in conditions to form a first dielectric layer (32a); (B) circulating, in contact with the first dielectric layer, a gas mixture containing the precursor in second more intensely oxidizing conditions than that of the first operation. Independent claims are also included for: (1) a layer made up of at least one dielectric material obtained by this method; (2) an integrated circuit incorporating a condenser including this dielectric layer.

公开(公告)号：FR2890982A1

公开(公告)日：2007-03-23

申请号：FR0509642

申请日：2005-09-21

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： GROS MICHAEL ,  DELOFFRE EMILIE ,  WYON CHRISTOPHE

IPC: C23C16/40 ,  H01L21/02 ,  H01L21/316

Abstract: La présente invention concerne un procédé de formation d'une couche 32 constituée d'au moins un matériau diélectrique sur un matériau porteur 31, dans lequel :- on fait circuler au contact dudit matériau porteur 31 un mélange gazeux 16 contenant au moins un précurseur comprenant un élément métallique et un gaz oxydant 17 dans de premières conditions oxydantes de façon à former une première couche 32a constituée d'au moins un matériau diélectrique, et- on fait circuler, au contact de ladite première couche 32a, un mélange gazeux 16 contenant ledit précurseur dans de deuxièmes conditions oxydantes, lesdites deuxièmes conditions oxydantes étant plus oxydantes que lesdites première conditions oxydantes.