公开(公告)号：FR3092402A1

公开(公告)日：2020-08-07

申请号：FR1900935

申请日：2019-01-31

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

Inventor： LECAT--MATHIEU DE BOISSAC CAPUCINE ,  ABOUZEID FADY ,  GASIOT GILLES ,  ROCHE PHILIPPE ,  MALHERBE VICTOR

IPC: G01R29/02

Abstract: Mesure de la durée d'une impulsion La présente description concerne un dispositif (1) comprenant : un premier circuit (11) comportant une première chaine d'étages (113a) identiques définissant des première et deuxième lignes à retard ; un deuxième circuit (14) comportant une deuxième chaine d'étages (113b) identiques aux étages de la première chaine, la deuxième chaine définissant des troisième et quatrième lignes à retard ; et un troisième circuit (13) reliant sélectivement la troisième ligne à retard, la quatrième ligne à retard ou une première entrée (133) du troisième circuit à une même entrée (112) du premier circuit (11). Figure pour l'abrégé : Fig. 1

公开(公告)号：FR3000296B1

公开(公告)日：2015-02-27

申请号：FR1262812

申请日：2012-12-26

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： THONNART YVAIN ,  GIRAUD BASTIEN ,  ABOUZEID FADY ,  CLERC SYLVAIN ,  NOEL JEAN-PHILIPPE

IPC: H01L27/088

公开(公告)号：FR2956516B1

公开(公告)日：2012-12-07

申请号：FR1051043

申请日：2010-02-15

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  CENTRE NAT RECH SCIENT

Inventor： ABOUZEID FADY ,  CLERC SYLVAIN

IPC: G11C11/412 ,  H01L29/786

公开(公告)号：FR3092402B1

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：FR1900935

申请日：2019-01-31

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： LECAT--MATHIEU DE BOISSAC CAPUCINE ,  ABOUZEID FADY ,  GASIOT GILLES ,  ROCHE PHILIPPE ,  MALHERBE VICTOR

IPC: G01R29/02

Abstract: Mesure de la durée d'une impulsion La présente description concerne un dispositif (1) comprenant : un premier circuit (11) comportant une première chaine d'étages (113a) identiques définissant des première et deuxième lignes à retard ; un deuxième circuit (14) comportant une deuxième chaine d'étages (113b) identiques aux étages de la première chaine, la deuxième chaine définissant des troisième et quatrième lignes à retard ; et un troisième circuit (13) reliant sélectivement la troisième ligne à retard, la quatrième ligne à retard ou une première entrée (133) du troisième circuit à une même entrée (112) du premier circuit (11). Figure pour l'abrégé : Fig. 1

公开(公告)号：FR2951337B1

公开(公告)日：2012-06-08

申请号：FR0957053

申请日：2009-10-09

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： FIRMIN FABIAN ,  CLERC SYLVAIN ,  SCHOELLKOPF JEAN-PIERRE ,  ABOUZEID FADY

IPC: H03K3/3562

公开(公告)号：FR3003996A1

公开(公告)日：2014-10-03

申请号：FR1352849

申请日：2013-03-28

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： CLERC SYLVAIN ,  ABOUZEID FADY ,  GIRAUD BASTIEN ,  NOEL JEAN-PHILIPPE ,  ROCHE PHILIPPE ,  THONNART YVAIN

IPC: H01L21/00 ,  G06F1/04 ,  H03K5/19 ,  H03K19/003 ,  H03K19/08

Abstract: Procédé de commande d'un circuit intégré, comportant : -la fourniture (100) d'un circuit intégré comprenant : • une pluralité de cellules logiques, incluant chacune des premier et second transistors à effet de champ ; • une cellule d'arbre d'horloge, incluant des troisième et quatrième transistors à effet de champ ; -l'application (102) de première et seconde différences de potentiel électrique de grille arrière sur les, respectivement, premier et second transistors de mêmes cellules logiques ; -l'application (104) d'une troisième différence de potentiel électrique de grille arrière sur le troisième transistor, présentant une valeur supérieure à la première différence de potentiel appliquée au même moment, ou -l'application d'une quatrième différence de potentiel électrique de grille arrière sur le quatrième transistor, présentant une valeur supérieure à la seconde différence de potentiel appliquée au même moment.

公开(公告)号：FR3000296A1

公开(公告)日：2014-06-27

申请号：FR1262812

申请日：2012-12-26

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： THONNART YVAIN ,  GIRAUD BASTIEN ,  ABOUZEID FADY ,  CLERC SYLVAIN ,  NOEL JEAN-PHILIPPE

IPC: H01L27/088

Abstract: L'invention concerne un circuit intégré, comprenant -un bloc comportant comportant : • un premier (38) et un second (40) caissons semi-conducteurs de dopages opposés ; • des cellules standard (42, 43), placées les unes à côté des autres, chaque cellule standard (42) comportant des premiers transistors (60, 62);une cellule d'arbre d'horloge (30), entourée par les cellules standard, la cellule d'arbre d'horloge (30) comportant : - un troisième caisson semi-conducteur (104), présentant un dopage de même type que le dopage du premier caisson (38) ; - des seconds transistors (100, 102); - une bande semi-conductrice (106), s'étendant continûment autour du troisième caisson (104) et présentant un dopage de type opposé au dopage du troisième caisson, pour isoler électriquement le troisième caisson (104) du premier caisson (38).

公开(公告)号：FR3000295A1

公开(公告)日：2014-06-27

申请号：FR1262811

申请日：2012-12-26

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： GIRAUD BASTIEN ,  ABOUZEID FADY ,  CLERC SYLVAIN ,  NOEL JEAN-PHILIPPE ,  THONNART YVAIN

IPC: H01L27/088

Abstract: L'invention concerne un circuit intégré comprenant : • un premier caisson (60) semi-conducteur ; • une pluralité de cellules standard (66), chaque cellule standard comportant un premier transistor à effet de champ de technologie FDSOI comprenant un premier plan de masse semi-conducteur, situé immédiatement sur le premier caisson ;ne cellule d'arbre d'horloge (30), contiguë à des cellules standard, la cellule d'arbre d'horloge comportant un second transistor à effet de champ de technologie FDSOI lequel comporte un second plan de masse semi-conducteur situé immédiatement sur le premier caisson (60), de manière à former une jonction p-n avec ce premier caisson. Le circuit intégré comporte un réseau d'alimentation (51) électrique apte à appliquer des polarisations électriques distinctes directement sur les premier et second plans de masse.

公开(公告)号：FR3000295B1

公开(公告)日：2015-02-27

申请号：FR1262811

申请日：2012-12-26

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： GIRAUD BASTIEN ,  ABOUZEID FADY ,  CLERC SYLVAIN ,  NOEL JEAN-PHILIPPE ,  THONNART YVAIN

IPC: H01L27/088

公开(公告)号：FR2951337A1

公开(公告)日：2011-04-15

申请号：FR0957053

申请日：2009-10-09

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： FIRMIN FABIAN ,  CLERC SYLVAIN ,  SCHOELLKOPF JEAN-PIERRE ,  ABOUZEID FADY

IPC: H03K3/3562

Abstract: Cette bascule comprenant un premier étage maître de verrouillage de données (B2), un deuxième étage esclave de verrouillage de données (B3) et un circuit multiplexeur (B1) d'entrée recevant en entrée des données à verrouiller dans la bascule. Le multiplexeur (B1) est à phase d'horloge (Cp) unique. Le premier étage maître (B2) est cadencé à partir d'une certaine phase d'horloge (Cp) alors que le deuxième étage (B3) est cadencé à partir d'une autre phase d'horloge.